DRV5055A2ELPGMQ1

参考文献 DRV5055-Q1 ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 DRV5055-Q1 汽车比例式线性霍尔效应传感器 1 特性 3 说明 • • • • DRV5055-Q1 是一款线性霍尔效应传感器，可按比例 响应磁通量密度。该器件可用于在各种应用中进行精确 的位置检测。 • • • • • 比例式线性霍尔效应磁传感器 可由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出，提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项（VCC = 5V 时）： – A1：100mV/mT，±21mT 范围 – A2/Z2：50mV/mT，±42mT 范围 – A3：25mV/mT，±85mT 范围 – A4：12.5mV/mT，±169mT 范围 – A5：-100mV/mT，±21mT 范围 高速 20kHz 检测带宽 低噪声输出，具有 ±1mA 驱动电流 磁体温度漂移补偿（针对 A 版本提供，针对 Z 版本 不提供） 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准： – 温度等级 0：-40°C 至 150°C 标准行业封装： – 表面贴装 SOT-23 – 穿孔 TO-92 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量，两个封装选项 可提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构，当外部模数转换器 (ADC) 使 用相同的 VCC 作为其基准电压时，可消除 VCC 容差产 生的误差。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，可抵 消磁体漂移，在 –40°C 至 +150°C 的宽温度范围内实 现线性性能。 封装信息 (1) 汽车位置检测 制动、加速、离合踏板 扭矩传感器 换挡器 油门位置 高度找平 动力传动系统和变速系统组件 绝对值角度编码 电流检测 封装(1) 器件型号 DRV5055-Q1 2 应用 • • • • • • • • • 该器件由 3.3V 或 5V 电源供电。当不存在磁场时，模 拟输出可驱动 1/2 VCC。输出会随施加的磁通量密度呈 线性变化，多个灵敏度选项可根据所需的检测范围提供 最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 (2) DBZ（SOT-23，3） 2.92mm × 2.37mm LPG（TO-92，3） 4mm × 1.52mm 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附 录。 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用） VCC OUT VCC DRV5055-Q1 VCC OUT 封装尺寸(2) Controller ADC VL (MAX) VCC / 2 GND 0V 典型原理图 north VL (MIN) 0 mT B south 磁响应（A1、A2、A3、A4、Z2 版本） 本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认 准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。 English Data Sheet: SBAS639 DRV5055-Q1 www.ti.com.cn ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 内容 1 特性................................................................................... 1 2 应用................................................................................... 1 3 说明................................................................................... 1 4 引脚配置和功能................................................................. 3 5 规格................................................................................... 4 5.1 绝对最大额定值...........................................................4 5.2 ESD 等级.................................................................... 4 5.3 建议运行条件.............................................................. 4 5.4 热性能信息.................................................................. 4 5.5 电气特性......................................................................5 5.6 磁特性......................................................................... 6 5.7 典型特性......................................................................7 6 详细说明.......................................................................... 10 6.1 概述...........................................................................10 6.2 功能方框图................................................................ 10 6.3 特性说明....................................................................10 2 6.4 器件功能模式............................................................ 14 7 应用和实施.......................................................................15 7.1 应用信息....................................................................15 7.2 典型应用....................................................................16 7.3 优秀设计实践............................................................ 18 7.4 电源相关建议............................................................ 19 7.5 布局...........................................................................19 8 器件和文档支持............................................................... 20 8.1 文档支持....................................................................20 8.2 接收文档更新通知..................................................... 20 8.3 支持资源....................................................................20 8.4 商标...........................................................................20 8.5 静电放电警告............................................................ 20 8.6 术语表....................................................................... 20 9 修订历史记录................................................................... 20 10 机械、封装和可订购信息............................................... 21 Copyright © 2024 Texas Instruments Incorporated 提交文档反馈 Product Folder Links: DRV5055-Q1 English Data Sheet: SBAS639 DRV5055-Q1 www.ti.com.cn ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 4 引脚配置和功能 1 VCC 3 OUT GND 2 图 4-1. DBZ 封装 3 引脚 SOT-23 顶视图 1 2 3 VCC GND OUT 图 4-2. LPG 封装 3 引脚 TO-92 顶视图 表 4-1. 引脚功能 引脚 I/O 说明 名称 SOT-23 TO-92 VCC 1 1 — 电源。TI 建议将此引脚连接到一个电容值至少为 0.01µF 的接地陶瓷电容器。 OUT 2 3 O 模拟输出 GND 3 2 — 接地基准 Copyright © 2024 Texas Instruments Incorporated 提交文档反馈 3 Product Folder Links: DRV5055-Q1 English Data Sheet: SBAS639 DRV5055-Q1 www.ti.com.cn ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 5 规格 5.1 绝对最大额定值 在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1) 最小值 最大值 电源电压 VCC -0.3 7 V 输出电压 OUT -0.3 VCC + 0.3 V 磁通量密度，BMAX 单位 T 无限 工作结温，TJ -40 170 °C 贮存温度，Tstg -65 150 °C (1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及 在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。 5.2 ESD 等级 值 V(ESD) (1) 静电放电 单位 人体放电模型 (HBM)，符合 AEC Q100-002 标准(1) ±2500 充电器件模型 (CDM)，符合 AEC Q100-011 标准 ±750 V AEC Q100-002 指示 HBM 应力测试应当符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范。 5.3 建议运行条件 在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明） VCC 电源电压(1) IO 持续输出电流 TA 工作环境温度(2) (1) (2) 最小值 最大值 3 3.63 单位 4.5 5.5 -1 1 mA -40 150 °C V 有两个隔离的工作 VCC 范围。如需更多信息，请参阅 工作 VCC 范围部分。 必须遵循功率耗散和热限值。 5.4 热性能信息 DRV5055-Q1 热指标(1) SOT-23 (DBZ) TO-92 (LPG) 3 引脚 3 引脚 170 121 °C/W RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 66 67 °C/W RθJB 结至电路板热阻 49 97 °C/W YJT 结至顶部特征参数 1.7 7.6 °C/W 结至电路板特征参数 48 97 °C/W RθJA YJB (1) 4 结至环境热阻 单位 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用手册。 Copyright © 2024 Texas Instruments Incorporated 提交文档反馈 Product Folder Links: DRV5055-Q1 English Data Sheet: SBAS639 DRV5055-Q1 www.ti.com.cn ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 5.5 电气特性 对于 VCC = 3V 至 3.63V 和 4.5V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 ICC 工作电源电流 tON 上电时间（参阅图 6-4） fBW 检测带宽 td 传播延迟时间 BND 以输入为基准的 RMS 噪声密度 BN 输入参考噪声 VN (1) (2) 以输出为基准的噪声(2) 最小值 从 B 变化到 OUT 变化 典型值 最大值 单位 6 10 mA 175 330 kHz 10 µs VCC = 5V 130 VCC = 3.3V 215 BND × 6.6 × √ 20kHz BN × S VCC = 5V µs 20 0.12 nT/√ Hz mTPP VCC = 3.3V 0.2 DRV5055A1、 DRV5055A5 12 mVPP DRV5055A2、 DRV5055Z2 6 mVPP DRV5055A3 3 mVPP DRV5055A4 1.5 mVPP B 是施加的磁通密度。 VN 表示器件输出端的电压噪声。如果不需要完整的器件带宽，则可以使用 RC 滤波器来降低噪声。 Copyright © 2024 Texas Instruments Incorporated 提交文档反馈 5 Product Folder Links: DRV5055-Q1 English Data Sheet: SBAS639 DRV5055-Q1 www.ti.com.cn ZHCSHC2D – OCTOBER 2017 – REVISED JUNE 2024 5.6 磁特性 对于 VCC = 3V 至 3.63V 和 4.5V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 典型值 最大值 VCC = 5V 2.43 2.5 2.57 VCC = 3.3V 1.59 1.65 1.71 VQ 静态电压 B = 0mT，TA = 25°C VQΔT 静态电压温漂 B = 0mT， TA = -40°C 至 150°C 与 25°C VQRE 静态电压比例式误差(2) VQΔL 静态电压寿命漂移 DRV5055A1 VCC = 5V， TA = 25°C S 灵敏度 VCC = 3.3V， TA = 25°C VCC = 5V， TA = 25°C BL 线性磁感应范围(3) (4) VCC = 3.3V， TA = 25°C VL V ±0.2 % % 95 100 105 DRV5055A2/Z2 47.5 50 52.5 DRV5055A3 23.8 25 26.2 DRV5055A4 11.9 12.5 13.2 DRV5055A5 -105 -100 -95 DRV5055A1 57 60 63 DRV5055A2/Z2 28.5 30 31.5 DRV5055A3 14.3 15 15.8 DRV5055A4 7.1 7.5 7.9 DRV5055A5 -63 -60 -57 DRV5055A1、 DRV5055A5 ±21 mT DRV5055A2/Z2 ±42 mT DRV5055A3 ±85 mT DRV5055A4 ±169 mT DRV5055A1、 DRV5055A5 ±22 mT DRV5055A2/Z2 ±44 mT DRV5055A3 ±88 mT DRV5055A4 ±176 mT 输出电压线性范围(4) 0.2 DRV5055A1/A2/A3/A4 VCC – 0.2 mV/mT V 0.12 %/°C STC 磁体的灵敏度温度补偿(5) 0 %/°C SLE 灵敏度线性误差(4) VOUT 处于 VL 范围之内 ±1 % SSE 灵敏度对称性误差(4) VOUT 处于 VL 范围之内 ±1 % SRE 灵敏度比例式误差(2) TA = 25°C， 以 VCC = 3.3V 或 5V 为基准 SΔL 灵敏度寿命漂移 1000 小时高温工作应力 (1) (2) (3) (4) (5) 6 V ±1% × VCC