DRV8220DSGR

DRV8220 ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 具有 PWM、PH/EN 以及半桥控制接口和低功耗睡眠模式的 DRV8220 18V H 桥电 机驱动器 1 特性 3 说明 • N 沟道 H 桥电机驱动器 – MOSFET 导通电阻：HS + LS 1Ω – 可驱动一个双向有刷直流电机 – 两个单向有刷直流电机 – 一个单线圈或双线圈闭锁继电器 – 推挽式和双稳态螺线管 – 其他电阻、电感或 LED 负载 • 4.5V 至 18V 工作电源电压范围 • 高输出电流能力： – 全桥：1.76A 峰值 – 半桥：每个输出 1.76A 峰值 – 并联半桥：3.52A 峰值 • 多个接口可实现灵活性并减少 GPIO • 标准脉宽调制 (PWM) 接口（IN1/IN2） • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入 • 超低功耗休眠模式 – 在 VVM = 12V，TJ = 25°C 时为 960nA – 定时自动睡眠模式以减少 GPIO • 保护特性 – 欠压锁定（UVLO） – 过流保护（OCP） – 热关断（TSD） • 器件系列。请参阅器件比较表了解详细信息。 – DRV8210：1.65-11V，1Ω，多接口 – DRV8210P：睡眠引脚，PWM 接口 – DRV8212：1.65-11V，280mΩ，多接口 – DRV8212P：睡眠引脚，PWM 接口 – DRV8220：4.5-18V，1Ω，多接口 DRV8220 是一款集成电机驱动器，具有四个 N 通道功 率 FET、电荷泵稳压器和保护电路。电荷泵集成了所 有电容器，以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案 尺寸，并实现 100% 占空比运行。 DRV8220 支持多种控制接口模式，包括：PWM（IN1/ IN2）、相位/使能（PH/EN）、独立半桥和并联半桥。 每个接口都支持低功耗睡眠模式，通过关断大部分内部 电路实现超低静态电流消耗。DSG 封装支持 nSLEEP 引脚，以使用逻辑信号输入控制睡眠模式。 该器件能够提供高达 1.76A 的输出电流。该器件由 4.5V 至 18V 的电源电压供电运行。 该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定 （ UVLO ） 、 输 出 过 流 （ OCP ） 和 器 件 过 热 （TSD）。 DRV8220 是一系列器件的一部分，这些器件采用引脚 对引脚可扩展 RDS(on) 和电源电压选项，以支持各种负 载和电源轨，且几乎不需要设计变更。请参阅器件比较 表，了解有关该系列器件的信息。访问 TI.com 查看我 们完整的有刷电机驱动器产品系列。 器件信息 器件型号 (1) 封装 WSON (8) 2.00mm × 2.00mm DRV8220DRL SOT563 (6) 1.20mm × 1.60mm (1) 对于所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。 4.5 to 18 V VM 2 应用 有刷直流电机、螺线管和继电器驱动 水表、煤气表和电表 IP 网络摄像机红外截止滤光器 可视门铃 机器视觉摄像机 断路器 电子智能锁 电动玩具和机器人玩具 血压监护仪 输液泵 电动牙刷 美容美发 DRV8220 nSLEEP Controller • • • • • • • • • • • • 封装尺寸（标称值） DRV8220DSG MODE Control Inputs H-Bridge Motor Driver Protec on 简化版原理图 本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。 English Data Sheet: SLVSFU5 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 内容 1 特性................................................................................... 1 2 应用................................................................................... 1 3 说明................................................................................... 1 4 修订历史记录..................................................................... 2 5 器件比较............................................................................ 3 6 引脚配置和功能................................................................. 4 7 规格................................................................................... 5 7.1 绝对最大额定值...........................................................5 7.2 ESD 额定值.................................................................5 7.3 建议工作条件.............................................................. 5 7.4 热信息......................................................................... 5 7.5 电气特性......................................................................6 7.6 典型特性......................................................................7 8 详细说明............................................................................ 9 8.1 概述.............................................................................9 8.2 功能方框图.................................................................. 9 8.3 特性说明....................................................................10 8.4 器件功能模式............................................................ 13 9 应用和实施.......................................................................15 9.1 应用信息....................................................................15 9.2 典型应用....................................................................15 9.3 电流能力和热性能..................................................... 23 10 电源建议........................................................................ 30 10.1 大容量电容.............................................................. 30 11 布局................................................................................31 11.1 布局指南..................................................................31 11.2 布局示例..................................................................31 12 器件和文档支持............................................................. 33 12.1 文档支持..................................................................33 12.2 接收文档更新通知................................................... 33 12.3 支持资源..................................................................33 12.4 商标.........................................................................33 12.5 Electrostatic Discharge Caution..............................33 12.6 术语表..................................................................... 33 13 机械、封装和可订购信息............................................... 34 4 修订历史记录 注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同 Changes from Revision * (February 2021) to Revision A (April 2021) Page • 更新了首页上的产品系列参考和器件比较表....................................................................................................... 1 • 在“引脚配置和功能”、“规格表”、“详细说明”、“应用和实现”以及“布局”部分中添加了有关 DRL 封装选项的技术信息........................................................................................................................................... 1 Changes from Revision A (April 2021) to Revision B (August 2021) Page • 将“器件状态”更新为“量产数据”.................................................................................................................. 1 2 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 5 器件比较 表 5-1. 器件比较表 器件名称 电源电压（V） RDS(on)（mΩ） IOCP（A） DRV8210 1.65 至 11 950（DRL）， 1050（DSG） 1.76 DRV8212 1.65 至 11 280 4 DRV8220 4.5 至 18 1000 1.76 DRV8210P 1.65 至 11 1050 1.76 DRV8212P 1.65 至 11 280 4 接口选项 PWM、PH/EN、半桥 睡眠模式进入 自动睡眠、 VCC 自动睡眠、 nSLEEP 引脚 PWM nSLEEP 引脚 引脚对引脚器 件 封装 DRV8210、 DRV8212、 DRV8220 SOT563 （DRL）、 WSON （DSG） DRV8837、 DRV8837C、 DRV8210P、 DRV8212P WSON （DSG） WSON （DSG） Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 3 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 6 引脚配置和功能 IN1 1 6 OUT1 IN2 2 5 VM GND 3 4 OUT2 VM 1 OUT1 2 8 nSLEEP 7 MODE 6 IN1/PH 5 IN2/EN Thermal OUT2 3 GND 4 Pad 图 6-1. DRV8220 DRL 封装 6 引脚 SOT 顶视图 图 6-2. DRV8220 DSG 封装 8 引脚 WSON 顶视图 表 6-1. 引脚功能 引脚 4 类型 说明 名称 DRL DSG GND 3 4 PWR IN1 1 — I H 桥控制输入。请参阅节 8.3.2 内部下拉电阻。 IN1/PH — 6 I H 桥控制输入。请参阅节 8.3.2 内部下拉电阻。 IN2 2 — I H 桥控制输入。请参阅节 8.3.2 内部下拉电阻。 IN2/EN — 5 I H 桥控制输入。请参阅节 8.3.2 内部下拉电阻。 MODE — 7 I H 桥控制输入模式。请参阅节 8.3.2 以 nSLEEP 引脚电压为参考的三电平输入。 nSLEEP — 8 I 睡眠模式输入。将此引脚设置为逻辑高电平以启用器件。将此引脚设置为逻辑低电平 以进入低功耗睡眠模式。 OUT1 6 2 O H 桥输出。连接到电机或其他负载。 OUT2 4 3 O H 桥输出。连接到电机或其他负载。 VM 5 1 PWR PAD — — — 器件接地。连接到系统接地。 电机电源。使用 0.1µF 陶瓷电容器和额定电压为 VM 的充足大容量电容器将此引脚旁 路至 GND 引脚。 散热焊盘。连接到系统接地。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 7 规格 7.1 绝对最大额定值 在工作温度范围内（除非另有说明）(1) 最小值 最大值 单位 电源引脚电压 VM -0.5 20 V 电源瞬态电压斜坡 VM 0 2 V/µs 逻辑引脚电压 INx，nSLEEP，IN1/PH， IN2/EN -0.5 5.75 三级引脚电压 MODE -0.5 5.75 输出引脚电压 OUTx -VSD VVM+VSD 输出电流(1) OUTx 受内部限制 受内部限制 A 环境温度，TA -40 125 °C 结温，TJ -40 150 °C 存储温度，Tstg -65 150 ℃ (1) V V 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅仅是应力额定值，并不意味着器件在这些条件下以及在建议工 作条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。 7.2 ESD 额定值 值 V(ESD） (1) (2) 静电放电 人体放电模型（HBM），符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±2000 充电器件模型（CDM），符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±500 单位 V JEDEC 文件 JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。列为 ±2000V 的引脚实际上可能具有更高的性能。 JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。列为 ±500V 的引脚实际上可能具有更高的性能。 7.3 建议工作条件 在工作温度范围内（除非另有说明） 最小值 VVM VIN fPWM IOUT TA TJ (1) (1) 标称值 最大值 单位 电机电源电压 VM 4.5 18 V 逻辑引脚电压 INx，nSLEEP，IN1/PH，IN2/EN， MODE 0 5.5 V PWM 频率 INx， IN1/PH，IN2/EN 0 100 kHz 峰值输出电流 OUTx 0 1.76 A 工作环境温度 -40 125 °C 工作结温 -40 150 °C 必须遵循功率耗散和热限值。 7.4 热信息 热指标(1) DRV8220 DRV8220 DRL (SOT563) DSG (WSON) 6 引脚 8 引脚 单位 RθJA 结至环境热阻 152.4 94.7 °C/W RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 63.6 115.1 °C/W RθJB 结至电路板热阻 39.1 62.3 °C/W ΨJT 结至顶部特征参数 2.0 11.6 °C/W ΨJB 结至电路板特征参数 38.7 62.0 °C/W Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 5 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 热指标(1) RθJC(bot) (1) DRV8220 DRV8220 DRL (SOT563) DSG (WSON) 6 引脚 8 引脚 单位 38.6 结至外壳（底部）热阻 °C/W 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。 7.5 电气特性 4.5V ≤ VVM ≤ 18V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。 典型值是在 TJ = 27°C 且 VVM = 12V 时。 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源 (VM) IVM VM 工作模式电流 IN1 = 0V，IN2 = 3.3V IVMQ VM 睡眠模式电流 睡眠模式，VVM = 12V，TJ = 27°C tWAKE 开通时间 睡眠模式到工作模式延迟 tAUTOSLEEP 自动睡眠关闭时间 工作模式到自动睡眠模式延迟， nSLEEP = 3.3V tSLEEP 关闭时间 工作模式到睡眠模式延迟，nSLEEP = 0V 1.5 0.9 2 mA 960 nA 65 μs 2.6 ms 1 μs 逻辑电平输入 （INx，nSLEEP，IN1/PH，IN2/EN） VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.35 VIH 输入逻辑高电平电压 1.45 5.5 VHYS 输入逻辑迟滞 IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V -1 1 µA IIH 输入逻辑高电平电流，IN1/EN， IN2/PH VI = 3.3 V 20 50 µA IIH_nSLEEP 输入逻辑高电平电流，nSLEEP VI = 3.3V，工作模式 60 100 µA 42 nA RPD 输入下拉电阻，IN1/EN，IN2/PH 49 V mV VI = 3.3V，自动睡眠模式 100 至 GND V kΩ 三电平输入（MODE） VTIL 三电平输入逻辑低电平电压 VTIZ 三电平输入高阻态电压 VTIH 三电平输入逻辑高电压 RTPD 三电平下拉电阻 RTPU 三电平上拉电阻 RI = 高阻态 0 0.22 × VnSLEEP V 0.6 × VnSLEEP 0.675 × VnSLEEP V 0.75 × VnSLEEP 5.5 V 至 GND，睡眠模式 1 至 GND，工作模式 130 kΩ， 75 kΩ 至 nSLEEP 缓冲基准 MΩ 驱动器输出（OUTx） 6 RDS(on)_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IO = 0.2 A 500 mΩ RDS(on)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IO = -0.2 A 500 mΩ VSD 体二极管正向电压 IO = -0.5 A 1 V tRISE 输出上升时间 VOUTx 上升，从 VVM 的 10% 上升到 90% 150 ns tFALL 输出下降时间 VOUTx 下降，从 VVM 的 90% 下降到 10% 150 ns tPD 输入至输出传播延迟 输入超过 0.8V 至 VOUTx = 0.1×VVM，IO = 1A 135 ns tDEAD 输出死区时间 内部死区时间 500 ns IOUT 流入 OUTx 的泄漏电流 OUTx 为高阻态，RL = 20Ω 至 VM 186 μA -3 nA OUTx 为高阻态，RL = 20Ω 至 GND Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 4.5V ≤ VVM ≤ 18V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。 典型值是在 TJ = 27°C 且 VVM = 12V 时。 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 保护电路 VUVLO VM 电源欠压锁定（UVLO） VUVLO_HYS 4.5 电源上升 电源 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 VVM 下降至 OUTx 禁用 IOCP 过流保护跳变点 tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 tRETRY 过流保护重试时间 TTSD 热关断温度 THYS 热关断滞后 V 3.7 电源下降 V 325 mV 11 µs 4.2 µs 1.76 A 1.7 ms 153 193 °C 22 °C 7.6 典型特性 IVMQ Supply Sleep Current (nA) 1700 VVM VVM VVM VVM VVM 1500 1300 1100 A. nSLEEP = 0V 700 500 300 100 0 20 40 60 80 100 Junction Temperature (°C) 120 140 160 图 7-2. 休眠电流（IVMQ）与结温（TJ） 1.45 1.45 1.4 1.35 1.3 1.25 1.2 1.15 1.1 TJ TJ TJ TJ TJ 1.05 1 0.95 4 6 8 10 12 14 VM Supply Voltage (V) = = = = = -40°C 27°C 85°C 125°C 150°C 16 IVM Supply Active Current (mA) 1.4 IVM Supply Active Current (mA) -20 nSLEEP = 0V 图 7-1. 休眠电流（IVMQ）与电源电压（VVM） A. 4.5 V 8V 12 V 16 V 18 V 900 -100 -40 A. = = = = = 图 7-3. 有效电流（IVM）与电源电压（VVM） 1.3 1.25 VVM VVM VVM VVM VVM 1.2 1.15 1.1 = = = = = 4.5 V 8V 12 V 16 V 18 V 1.05 1 0.95 -40 18 A. nSLEEP = 3.3 V 1.35 -20 0 20 40 60 80 100 Junction Temperature (°C) 120 140 160 nSLEEP = 3.3 V 图 7-4. 有效电流（IVM）与结温（TJ） Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 7 DRV8220 www.ti.com.cn RDS(on)_HS (m) ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 1050 1000 950 900 850 800 750 700 650 600 550 500 450 400 350 TJ TJ TJ TJ TJ 4 A. 5 6 7 8 = = = = = -40°C 27°C 85°C 125°C 150°C 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 VM Supply Voltage (V) nSLEEP = 3.3 V A. RDS(on)_LS (m) 1050 1000 950 900 850 800 750 700 650 600 550 500 450 400 350 TJ TJ TJ TJ TJ 4 A. 8 5 6 7 8 nSLEEP = 3.3 V 图 7-6. 高侧 RDS(on)与结温（TJ） 图 7-5. 高侧 RDS(on)与电源电压 = = = = = -40°C 27°C 85°C 125°C 150°C 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 VM Supply Voltage (V) nSLEEP = 3.3 V A. nSLEEP = 3.3 V 图 7-7. 低侧 RDS(on)与电源电压 图 7-8. 低侧 RDS(on)与结温（TJ） 图 7-9. OUTx 连接到 GND 时流入 OUTx（IOUT）的高 阻态泄漏电流与电源电压（VVM） 图 7-10. OUTx 连接到 VM 时流入 OUTx（IOUT）的高 阻态泄漏电流与电源电压（VVM） Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 8 详细说明 8.1 概述 DRV8220 是具有多个控制接口选项的集成 H 桥驱动器：PWM（IN1/IN2）接口（DRL 和 DSG 封装）、PH/EN （仅限 DSG）或半桥接口（仅限 DSG）。为了减少印刷电路板上的面积和外部元件，该器件集成了电荷泵稳压 器及其电容器。DSG 封装和 DRL 封装都支持定时自动睡眠模式，该模式通过消除禁用/睡眠引脚，并在输入保持 非活动状态 1-2ms 时自动将器件置于低功耗睡眠模式来减少微控制器 GPIO 连接。将自动睡眠模式应用于 PWM 或 PH/EN 时，nSLEEP 引脚可能会连接高电平。nSLEEP 引脚可使器件在自动睡眠不可用的半桥模式下进入睡眠 状态。 PWM 接口是标准的 2 引脚（IN1/IN2）电机驱动接口。通过 PH/EN 接口，仅使用来自控制器的一个 PWM 资源即 可实现双向 PWM 控制。PWM 和 PH/EN 接口可以双向驱动有刷直流电机和双稳态继电器等负载。独立半桥模式 可完全控制每个半桥。半桥可以独立控制两个负载，每个通道充当高侧或低侧驱动器，具有全桥驱动的一半 RDS(on)。另外，在半桥模式下，还可以将输入和输出连接在一起（也称“并联”），作为高侧或低侧驱动器驱动 单个负载，其 RDS(on)为全桥驱动的四分之一。 集成保护功能可在出现系统故障时保护该器件。这些保护功能包括欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）和过 热关断（TSD）。 8.2 功能方框图 VM VM VM Power Charge Pump VM Power Gate Drive Logic OUT1 VM BD C BDC VM Core Logic VM Core Logic MODE BD C BDC IN1 Control Inputs Gate Drive OUT2 Control Inputs IN2 Overcurrent IN2/PH OUT1 Logic VnSLEEP IN1/EN Gate Drive Charge Pump VM nSLEEP Overcurrent Gate Drive OUT2 Undervoltage Undervoltage Thermal Thermal GND GND 图 8-1. DSG 封装中的多接口类型 图 8-2. DRL 封装中的 PWM 接口类型 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 9 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 8.3 特性说明 8.3.1 外部元件 表 8-1 列出了为此器件推荐的外部元件。 表 8-1. 推荐的外部元件 元件 引脚 1 引脚 2 推荐 CVM1 VM GND 0.1µF、低 ESR 陶瓷电容器、额定电压为 VM。 CVM2 VM GND 节 10.1，额定电压为 VM。 8.3.2 控制模式 DRV8220 通过 PH/IN1 和 EN/IN2 引脚提供三种模式来支持不同的控制方案。通过将 MODE 引脚设置为逻辑低电 平、逻辑高电平或高阻态，可选择控制接口模式，如表 8-2 中所示。MODE 引脚不锁存状态，因此可以在运行期 间更改。 DRL 封装型号仅支持 PWM 接口（请参阅表 8-4）。 表 8-2. DSG 型号的 MODE 引脚功能 MODE 状态 控制模式 MODE = 逻辑低电平 PWM MODE = 逻辑高电平 PH/EN MODE = 高阻态 半桥 可接受占空比为 0% 至 100% 的直流或脉宽调制（PWM）电压信号输入。默认情况下，INx、PH/IN1 和 EN/IN2 引脚具有内部下拉电阻，以确保在没有输入时输出为高阻态（唯一的例外是半桥模式，在这种模式下，如果 INx 为悬空模式，则 OUTx = L）。 以下几部分显示了每个控制模式的真值表。此外，当在半桥的高侧和低侧 MOSFET 之间切换时，DRV8220 会自 动处理死区时间生成。图 8-3 介绍了以下部分中描述的各种 H 桥状态的命名和配置。 VM VM 1 OUT1 1 Forward drive 1 Reverse drive 2 Slow decay (brake) 22 Slow decay (brake) 1 3 High-Z (coast) OUT2 OUT1 3 High-Z (coast) OUT2 2 2 3 3 Forward Reverse 图 8-3. H 桥状态 10 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL） PWM 接口（IN1/IN2）根据表 8-3 和表 8-4 中的逻辑表控制 OUTx 引脚。在 DSG 封装中，将 MODE 引脚设置为 逻辑低电平后，即选择 PWM 模式。滑行/高阻抗状态兼作自动睡眠模式。在滑行/高阻抗状态下保持 tSLEEP 后，器 件将自动进入低功耗睡眠模式（自动睡眠模式）。PWM 模式是 DRL 封装中唯一可用的接口模式。 表 8-3. 采用 DSG 封装且具有自动睡眠功能和睡眠引脚的 PWM 控制模式 nSLEEP IN1 IN2 OUT1 OUT2 0 X X 高阻态 高阻态 低功耗睡眠模式 1 0 0 高阻态 高阻态 滑行（H 桥高阻态）/ 低功耗自动睡眠模式 1 0 1 L H 反向（OUT2 → OUT1） 1 1 0 H L 正向（OUT1 → OUT2） 1 1 1 L L 制动（低侧慢速衰减） 说明 表 8-4. 采用 DRL 封装且具有自动睡眠功能的 PWM 控制模式 IN1 IN2 OUT1 OUT2 说明 滑行（H 桥高阻态）/ 低功耗自动睡眠模式 0 0 高阻态 高阻态 0 1 L H 反向（OUT2 → OUT1） 1 0 H L 正向（OUT1 → OUT2） 1 1 L L 制动（低侧慢速衰减） 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1） 如果 MODE 引脚在加电时处于逻辑高电平状态，器件会选择“相位使能”模式（PH/EN）。PH/EN 模式允许使 用接口的速度和方向类型来控制 H 桥。表 8-5 显示了 PH/EN 模式的真值表。当 EN 引脚为低电平时，该器件将进 入制动模式。这使得控制器可以在 EN 引脚上使用单个 PWM 发生器外设，而标准 GPIO 引脚使用 PH 引脚控制 方向。但是，如果 EN 引脚保持低电平的时间超过 tSLEEP，器件将进入低功耗睡眠模式并禁用输出。 表 8-5. PH/EN 控制模式 nSLEEP EN PH OUT1 OUT2 0 X X 高阻态 高阻态 1 0 X 1 1 0 L H 反向（OUT2 → OUT1） 1 1 1 H L 正向（OUT1 → OUT2） 说明 低功耗睡眠模式（H 桥高阻态） L → 高阻态 L → 高阻态 制动（低侧慢速衰减）tSLEEP，然后进 入自动睡眠模式（H 桥高阻态） 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态） 当 MODE 引脚悬空（高阻态）时，会选择半桥控制模式。此模式允许直接控制每个半桥来支持高侧慢速衰减（或 制动），驱动两个独立的负载，或并联输出来提高单个负载的电流能力。表 8-6 显示了独立半桥模式的真值表。 由于该模式没有自动睡眠状态，因此必须使用 nSLEEP 引脚使器件进入和退出睡眠模式。更多详细信息，请参阅 节 8.4.2。 表 8-6. 半桥控制模式 Old_Colspec：左 nSLEEP IN1 IN2 OUT1 OUT2 0 X X 高阻态 高阻态 低功耗睡眠模式 1 0 X L X OUT1 低侧导通 1 1 X H X OUT1 高侧导通 1 X 0 X L OUT2 低侧导通 1 X 1 X H OUT2 高侧导通 说明 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 11 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 8.3.3 保护电路 DRV8220 可完全防止电源欠压、输出过流和器件过热事件。 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO） 无论何时，只要电源电压低于欠压锁定阈值电压（VUVLO），H 桥中的所有 MOSFET 都将被禁用。在这种情况 下，电荷泵和器件逻辑会被禁用。当电源电压升至高于 VUVLO 阈值时，将恢复正常运行。表 8-7 总结了器件进入 UVLO 时的条件。 表 8-7. DRV8220 UVLO 响应条件 VVM 器件响应 4.5V 正常运行 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP） 即使发生了硬短路事件，每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。如果输出电流超过 过流阈值 IOCP 且持续时间超过过流抗尖峰时间 tOCP ，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。在 tRETRY 之后， MOSFET 会根据 PH/IN1 和 EN/IN2 引脚的状态重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件 将恢复正常运行。 在半桥控制模式下，OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件，将只禁用相应的半桥。另一个半桥会继续正常运 行。这样，器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件，将同时 禁用两个半桥。两个半桥共用同一个过流重试计时器。如果在 OUT1 中首先发生过流事件，则该输出将在 tRETRY 期间内禁用。如果 OUT2 在 OUT1 之后但在 tRETRY 到期之前发生过流事件，则两个 OUTx 引脚将在 tRETRY 的整 个持续时间内保持禁用状态。 8.3.3.3 热关断（TSD） 如果内核温度超过过热限值 TTSD，将会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。当过热条件消失且裸片温度降至 VTSD 阈值 以下时，将恢复正常运行。 8.3.4 引脚图 8.3.4.1 逻辑电平输入 图 8-4 显示了逻辑电平输入引脚 IN1、IN2、PH/IN1 和 EN/IN2 的输入结构。 100 k 图 8-4. 逻辑电平输入 8.3.4.2 三电平输入 图 8-5 显示了三电平输入引脚 MODE 的输入结构。MODE 引脚将其输入状态与 nSLEEP 引脚的电压进行比较， 以确定逻辑高电平、逻辑低电平或高阻态 ( (Hi-Z) 输入状态。然而，当器件处于自动睡眠模式时，这些内部电阻器 不会从睡眠引脚中吸取电流。这有助于降低器件在睡眠模式下的总电流消耗。 12 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 VnSLEEP 75 k + ± + 130 k ± 图 8-5. 中的 MODE 三电平输入 8.4 器件功能模式 DRV8220 具有多种不同的运行模式，具体取决于系统输入和条件。 8.4.1 工作模式 在工作模式下，H 桥、电荷泵和内部逻辑将激活，器件将准备好接收输入。进入低功耗睡眠模式或故障模式后， 器件将退出工作模式。退出睡眠模式时，nSLEEP 必须保持高电平超过 tWAKE 才能启用器件。 从自动睡眠模式唤 醒时，INx 引脚（当 MODE = 0 时为 DRL 封装或 DSG 封装）或 EN 引脚（当 MODE = 1 时为 DSG 封装）必须 在 tWAKE 期间保持高电平才能启用器件。在 tWAKE 时间之后，器件处于唤醒状态，INx 引脚或 EN 引脚可能会接收 到 PWM 信号。 8.4.2 低功耗睡眠模式 DRV8220 支持低功耗睡眠模式，以在驱动器未工作时减少 VM 的电流消耗。在低功耗睡眠模式下，器件消耗的电 流最少，由 IVMQ 表示。在 DSG 封装中有两种方法可以进入低功耗睡眠模式：自动睡眠和使用 nSLEEP 引脚。表 8-8 介绍了如何进入低功耗睡眠模式。DRL 封装型号仅支持自动睡眠模式。 表 8-8. DRV8220 睡眠模式汇总 型号 输入引脚状态 OUT1 DRL IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态 MODE = 0，IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态 DSG MODE = 1，EN = 0 nSLEEP = 0 OUT2 说明 PWM 接口自动睡眠：进入该状态后，输出将被禁用。器件将保持工作 模式 tSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。 PH/EN 接口自动睡眠：进入该状态后，通过接通低侧 FET，两个输出 L → 高阻态 L → 高阻态 都进入制动模式。器件将保持此状态 tSLEEP 时间，然后进入低功耗模 式。处于低功耗模式后，输出将被禁用。 高阻态 高阻态 睡眠引脚：当 nSLEEP 引脚变为低电平时，输出被禁用，且器件立即 进入低功耗睡眠模式。 当输入引脚转为表 8-8 中所述状态之外的其他状态时，器件将返回运行模式。要将器件从自动睡眠模式唤醒，INx 引脚或 EN 引脚（取决于 MODE 状态和封装型号）必须设置为高电平超过 tWAKE 时间，然后才能接收 PWM 输入 信号。使用 nSLEEP 引脚时，nSLEEP 必须设置为高电平超过 tWAKE 时间且 INx 或 EN 引脚不得处于自动睡眠状 态。 在 DSG 封装中，TI 建议在 PWM 或 PH/EN 接口模式下使用自动睡眠时将 nSLEEP 引脚连接到逻辑电源轨。对于 微控制器控制 nSLEEP 的应用，设计人员必须确保在 VM > VUVLO 时 nSLEEP 不悬空。这可能会导致意外输出， 具体取决于 MODE、IN1/PH 和 IN2/EN 引脚的状态。如果系统中可能出现这种情况，TI 建议在 nSLEEP 上使用 100kΩ 下拉电阻。 8.4.3 故障模式 DRV8220 在遇到故障时会进入故障模式。这可以保护器件和输出负载。故障模式下的器件行为取决于故障条件， 如节 8.3.3 中所述。一旦满足恢复条件，器件就会离开故障模式并重新进入工作模式。表 8-9 总结了故障条件、响 应和恢复。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 13 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 表 8-9. DRV8220 故障条件汇总 故障 欠压锁定（UVLO） 过流（OCP） 热关断（TSD） 14 条件 H桥 恢复 VM < VUVLO 下降 禁用 VM > VUVLO 上升 IOUT > IOCP 禁用 tRETRY TJ > TTSD 禁用 TJ < TTSD - THYS Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 9 应用和实施 备注 以下应用部分中的信息不属于 TI 组件规范，TI 不保证其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定组件对 其目的的适合性。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。 9.1 应用信息 DRV8220 可用于需要半桥或 H 桥功率级配置的各种应用。常见的应用示例包括有刷直流电机、电磁阀、双稳态 闭锁继电器和传动器。这些器件还可以驱动许多常见的无源负载，例如 LED、电阻元件、继电器等。本部分重点 介绍 DRV8220 的一些应用示例。 9.2 典型应用 9.2.1 全桥驱动 DRV8220 的典型应用是通过将输出作为全桥或 H 桥配置来双向（正向和反向）驱动有刷直流电机或单线圈闭锁 继电器。图 9-1 和图 9-2 显示了使用 PWM 接口驱动电机的每个封装型号的示例。图 9-3 显示了一个使用 PWM 接口驱动单线圈闭锁继电器的示例。图 9-4 显示了一个使用 PH/EN 接口驱动电机的示例。 VCC VM VM Controller 1 PWM 16 IN1 DRV82xxDRL 2 PWM 0.1 …F CBulk 0.1 …F VCC 1 15 IN2 VCC VM VM OUT1 3 7 OUT1 OUT2 BDC 3 BDC Thermal Pad MODE 6 OUT2 IN1 GND IN2 4 图 9-1. 用于 DRL 封装的 PWM 接口电机驱动应用 Controller 8 nSLEEP 2 14 GND DRV8220DSG PWM 5 PWM 图 9-2. 用于 DSG 封装的 PWM 接口电机驱动应用 VM VM VCC CBulk 0.1 …F VCC 1 VM DRV8220DSG 8 2 Thermal Pad VCC VCC 7 OUT1 3 Singlecoil relay 0.1 …F CBulk Controller nSLEEP 1 MODE VM 6 OUT2 IN1 GND IN2 4 DRV8220DSG 2 PWM 7 OUT1 BDC 5 3 PWM Controller 8 nSLEEP Thermal Pad MODE 6 OUT2 PH GND EN 4 O 5 PWM 图 9-3. PWM 接口单线圈闭锁继电器应用 图 9-4. PH/EN 接口电机驱动应用 9.2.1.1 设计要求 表 9-1 列出了典型用例所需的参数。 表 9-1. 系统设计要求 设计参数 基准 示例值 电机电源电压 VM 11V 微控制器电源电压 VCC 3.3V 目标电机 RMS 电流 Imotor 300mA 目标继电器电流 Irelay 50mA Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 15 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 9.2.1.2 详细设计过程 9.2.1.2.1 电源电压 适当的电源电压取决于负载（电机、螺线管、继电器等）的额定值。如果使用有刷直流电机，电源电压将影响所 需的 RPM。更高的电压可使有刷直流电机更快地旋转，同时将相同的 PWM 占空比应用于功率 FET。更高的电压 也会增加通过电机、螺线管或继电器的感应绕组的电流变化率。 9.2.1.2.2 控制接口 节 8.3.2.1 介绍了 PWM 控制接口，具体取决于所选的封装。TI 建议将 MODE 引脚直接连接到 GND 网络，如图 9-2 中所示。但是，如果应用中需要其他接口状态，可以将 MODE 引脚连接到 GPIO 引脚，以在运行期间选择其 他接口选项。自动睡眠特性可实现仅使用两个引脚对电机和低功耗模式进行双向控制。这样就不需要使用另一个 GPIO 来控制睡眠引脚。图 9-5 和图 9-6 显示了使用 PWM 接口驱动电机的波形示例。 图 9-7 和图 9-8 显示了使用 PWM 接口驱动单线圈继电器的波形示例。继电器可以在正向/反向状态和制动/滑行状 态之间驱动，如图所示。 节 8.3.2.2 介绍了 PH/EN 控制接口。将 MODE 引脚连接到微控制器电源可选择 PH/EN 接口。通过仅切换 EN 引 脚，PH/EN 模式有助于减少电机驱动所需的微控制器 PWM 发生器的数量。PH 引脚通过此接口控制电机驱动的 方向。如果 EN 保持低电平超过 tSLEEP，器件将进入睡眠模式。 9.2.1.2.3 低功耗运行 节 8.4.2 介绍了如何进入低功耗睡眠模式。进入睡眠模式时，TI 建议将所有输入设置为逻辑低电平，以最大限度 地降低系统功耗。 9.2.1.3 应用曲线 A. 通道 1 = IN1 通道 2 = IN2 通道 3 = OUT1 A. 通道 4 = OUT2 图 9-5. 具有 50% 占空比、INx 和 OUTx 电压的电机的 PWM 驱动 16 通道 1 = IN1 通道 2 = 电机电流 通道 3 = OUT1 通道 4 = OUT2 图 9-6. 具有 50% 占空比、信号和电机电流的电机的 PWM 驱动 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn A. ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 通道 1 = IN1 通道 2 = IN2 通道 3 = VOUT1 通道 4 = VOUT2 通道 6 = 继电器开 通道 7 = 继电器线 关 圈电流 图 9-7. 驱动模式为“正向 → 滑行→ 反向→ 滑行”的 单线圈闭锁继电器的 PWM 驱动 A. 通道 1 = IN1 通道 2 = IN2 通道 3 = VOUT1 通道 4 = VOUT2 通道 6 = 继电器开 通道 7 = 继电器线 关 圈电流 图 9-8. 驱动模式为“正向 → 制动 → 反向 → 制动”的 单线圈闭锁继电器的 PWM 驱动 9.2.2 半桥驱动 通过让 MODE 引脚悬空，可以将 DRV8220 配置为半桥模式。在此模式下，器件输出可用作低侧或高侧驱动器。 这可使器件驱动各种负载，例如单向（仅在一个方向上）一个或两个电机、螺线管、阀门和继电器。 图 9-9 显示 了用作 OUT1 上的低侧驱动器和 OUT2 上的高侧驱动器的器件。两个负载也可以从高侧或低侧驱动。通过将 INx 引脚和 OUTx 引脚连接在一起（如图 9-10 和图 9-11 中所示），该器件可以用一半的 RDS(on) 驱动单个负载。这可 以满足更大的电流要求。这种配置称为“并行半桥模式”。 在半桥模式下，半桥中的其他 FET 和体二极管将在 PWM 占空比关闭期间再循环续流电流，因此不需要额外的外 部二极管。 VM VM VMCU 0.1 μF CBulk 0.1 …F VMCU CBulk 1 DRV8220DSG VM VM 1 VM Valve nSLEEP 2 Thermal Pad MODE O IN1 GND IN2 4 Thermal Pad 3 X MODE X 6 OUT2 IN1 GND IN2 4 PWM Controller O 7 OUT1 BDC 6 OUT2 8 nSLEEP 2 7 OUT1 3 Pump DRV8220DSG Controller 8 PWM 5 5 PWM 图 9-10. 半桥模式用作输出并联的高侧驱动器 图 9-9. 半桥模式用作两个负载的高侧和低侧驱动器 VM VMCU 0.1 …F CBulk 1 VM VM DRV8220DSG 8 nSLEEP 2 OUT1 BDC Controller O 7 3 Thermal Pad MODE X 6 OUT2 IN1 GND IN2 4 PWM 5 图 9-11. 半桥模式用作输出并联的低侧驱动器 9.2.2.1 设计要求 表 9-2 列出了图 9-9 中所示用例所需的参数。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 17 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 表 9-2. 系统设计要求 设计参数 基准 示例值 负载电源电压 VM 12V 微控制器电源电压 VMCU 3.3V 最大阀门电流 IOUT1 100mA 脉冲持续 100ms 最大泵电流 IOUT2 600mA，RMS 9.2.2.2 详细设计过程 9.2.2.2.1 电源电压 适当的电源电压取决于负载的额定值。 9.2.2.2.2 控制接口 节 8.3.2.3 介绍了 DSG 封装的半桥控制接口。 9.2.2.2.3 低功耗运行 将 nSLEEP 设为 0V 会使 DRV8220 在半桥模式下睡眠。节 8.4.2 详细介绍了如何进入低功耗睡眠模式。进入睡眠 模式时，TI 建议将所有输入设置为逻辑低电平，以最大限度地降低系统功耗。要在半桥模式下唤醒 DRV8220，请 将 nSLEEP 置于高电平，然后设置 IN1 或 IN2 在保持高电平超过 tWAKE 之后，再返回低电平或发送 PWM 信号。 图 9-16 和图 9-17 显示了此唤醒过程。 为了最大限度地减少流入 OUTx 引脚的泄漏电流（尤其是在电池供电的应用中），请将负载从 OUTx 连接到 GND。如前所述，也可以将负载从 OUTx 连接到 VM，但当其被禁用时可能会有少许漏电流流入 OUTx。如果负 载以 H 桥配置连接，预计不会出现泄漏电流。 9.2.2.3 应用曲线 下图显示了半桥模式下高侧和低侧驱动的波形示例。图 9-12 和图 9-13 显示了使用高侧和低侧驱动来单向驱动电 机的示例波形。图 9-14 和图 9-15 显示了使用高侧和低侧驱动来驱动螺线管的示例波形。图 9-16 和图 9-17 显示 了当 OUTx 引脚并联在一起以创建单个半桥时，使用高侧和低侧驱动来驱动电机的示例。 A. 通道 1 = IN2 通道 2 = VOUT2 通道 4 = 电机电流 A. 图 9-12. 使用高侧 FET 在具有 50% 占空比的半桥模式 下驱动电机 18 通道 1 = IN2 通道 2 = VOUT2 通道 4 = 电机电流 图 9-13. 使用低侧 FET 在具有 50% 占空比的半桥模式 下驱动电机 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn A. ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 通道 1 = IN1 通道 2 = VOUT1 通道 4 = 螺线管电 A. 通道 1 = IN1 通道 2 = VOUT1 通道 4 = 螺线管电 流 流 图 9-14. 使用高侧 FET 在半桥模式下驱动螺线管 A. 通道 1 = IN1，IN2 通道 2 = VnSLEEP （并联） 通道 3 = VOUT 图 9-15. 使用低侧 FET 在半桥模式下驱动螺线管 A. 通道 1 = IN1，IN2 （OUT1/2 并联） 通道 8 = 电机电流 通道 2 = VnSLEEP 通道 3 = VOUT （并联） （OUT1/2 并联） 通道 8 = 电机电流 图 9-16. 使用高侧 FET 在并联半桥模式下驱动电机 图 9-17. 使用低侧 FET 在并联半桥模式下驱动电机 9.2.3 双线圈继电器驱动 PWM 接口也可用于驱动双线圈闭锁继电器。本部分中的图显示了示例原理图。 VCC VM VM VMCU CBulk 0.1 …F 1 VM DRV8220DSG 2 OUT1 VM O Controller Thermal Pad PWM 6 IN1 GND IN2 4 16 IN1 DRV8220DRL 15 IN2 OUT1 GND OUT2 3 PWM 0.1 …F VM 2 MODE OUT2 1 PWM 7 3 Dualcoil relay Controller 8 nSLEEP 14 VM Dualcoil relay 5 图 9-18. 双线圈继电器驱动，DSG 封装 图 9-19. 双线圈继电器驱动，DRL 封装 9.2.3.1 设计要求 表 9-3 提供了双线圈继电器应用的示例要求。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 19 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 表 9-3. 系统设计要求 设计参数 基准 示例值 电机电源电压 VM 12V 微控制器电源电压 VCC 3.3V 继电器电流 IOUT1，IOUT2 500mA 脉冲持续 100ms 9.2.3.2 详细设计过程 9.2.3.2.1 电源电压 适当的电源电压取决于负载的额定值。 9.2.3.2.2 控制接口 PWM 接口可用于驱动双线圈继电器。节 8.3.2.1 介绍了 PWM 控制接口。图 9-20 和图 9-21 显示了使用 PWM 接 口的驱动双线圈继电器的原理图和时序图。 VM Sleep mode Sleep mode Drive Coil1 Drive Coil2 Sleep mode IN1 IN2 VM Coil1 Coil2 VM VOUT2 VOUT1 IOUT1 VOUT1 Hi-Z IOUT2 Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z GND Dual-coil relay VM VOUT2 Hi-Z GND IOUT1 图 9-20. 由 OUTx H 桥驱动的双线圈继电器原理图 IOUT2 图 9-21. 使用 PWM 接口的驱动双线圈继电器时序图 表 9-4 显示了 PWM 接口的逻辑表。此表中的描述反映了输入和输出状态如何驱动双线圈继电器。当线圈 1 被驱 动时（OUT1 电压在 GND 处），OUT2 处的电压将转到 VM。由于继电器的中心抽头也位于 VM，因此没有电流 流过线圈 2。驱动线圈 2 时也是如此；线圈 1 短接到 VM。高侧 FET 的体二极管起到续流二极管的作用，因此不 需要额外的外部二极管。图 9-22 显示了此应用的示波器描迹。 表 9-4. 双线圈继电器驱动 PWM 控制表 IN1 IN2 OUT1 OUT2 说明 0 0 高阻态 高阻态 输出禁用（H 桥高阻抗） 0 1 L H 驱动线圈 1 1 0 H L 驱动线圈 2 1 1 L L 驱动线圈 1 和线圈 2（双线圈锁存继电器的 无效状态） 9.2.3.2.3 低功耗运行 节 8.4.2 介绍了如何进入低功耗睡眠模式。进入睡眠模式时，TI 建议将所有输入设置为逻辑低电平，以最大限度 地降低系统功耗。 20 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 为了最大限度地减少流入 OUTx 引脚的泄漏电流（尤其是在电池供电的应用中），请将负载从 OUTx 连接到 GND。如前一部分中所示，也可以将负载从 OUTx 连接到 VM，但当其被禁用时可能会有少许漏电流流入 OUTx。 9.2.3.3 应用曲线 A. 通道 1 = IN1 通道 2 = IN2 通道 3 = VOUT1 通道 4 = VOUT2 通道 6 = 继电器开关 通道 7 = 继电器线圈 1 电流 通道 8 = 继电器线圈 2 电流 图 9-22. 双线圈继电器的 PWM 驱动 9.2.4 电流检测 GND 引脚上的一个小分流电阻器可以将电流检测信息提供回微控制器 ADC。微控制器可以使用此信息来检测电 机负载情况，例如失速。图 9-23 显示了使用 DRL 封装的示例原理图。如果需要更好的电流检测动态范围，可以 添加一个放大器，如图 9-24 中所示。 可以将 DSG 散热焊盘连接到电路板接地网络或 GND 引脚/检测信号网络。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 21 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 VCC VM Controller 1 PWM 16 IN1 DRV8220DRL 2 PWM RFILTER 15 IN2 OUT1 GND OUT2 3 ADC CFILTER 0.1 …F VM 14 BDC RSENSE 图 9-23. DRL 封装中 DRV8220 的 GND 引脚上的分流电阻器 VM 0.1 …F CBulk VCC 1 DRV8220 VM 8 2 Controller 7 OUT1 BDC VCC nSLEEP MODE Thermal Pad 3 6 OUT2 IN1 4 PWM 5 GND IN2 + PWM TLV905I ADC RSENSE CFILTER R1 ± R2 图 9-24. 电流检测放大器示例 9.2.4.1 设计要求 表 9-5 提供了电流检测应用的示例要求。 表 9-5. 系统设计要求 设计参数 基准 示例值 电机电源电压 VM 12V 微控制器电源电压 VCC 3.3V RSENSE 上的最大电压 VSENSE 150 mV 电机 RMS 电流 IOUT1，IOUT2 500mA 电机失速电流 IOUT1,stall，IOUT2,stall 1A 9.2.4.2 详细设计过程 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整 INx 引脚的绝对最大额定值设置分流电阻器上的最大电压。如果 INx 引脚上的信号电平低（以电路板接地为参 考），则 INx 引脚相对于 GND 引脚电压处于负电压。这会将最大检测电压/GND 引脚电压设置为 0.5V。图 9-25 显示了相对引脚电压。 22 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 IN1 VIN2 = 0 V + VGND,pin = -0.5 V + RSENSE IN2 GND VSENSE = 0.5 V - VGND,board = 0 V 图 9-25. 使用电流检测电阻器的相对于电路板接地的引脚电压 此示例使用 150mV 作为最大 VSENSE，该值小于 0.5V，并提供一定的安全或误差裕度。通过电机的最大电流将是 失速电流，在本例中为 1A。借助此信息，可根据以下等式计算检测电阻 RSENSE。 RSENSE = VSENSE/ISTALL = 0.15/1 = 0.15Ω (1) 由于器件的 GND 引脚电压会随着通过检测电阻的电流而变化，因此设计人员还必须确保逻辑引脚满足 VIL 和 VIH 参数，MODE 引脚满足 VTIL、VTIZ 和 VTIH 参数，且电源保持在 VUVLO 以上，以便正常运行。 9.2.4.2.2 RC 滤波器 图 9-23 中显示的 RC 滤波器用于过滤噪声和来自感应信号的瞬变。TI 建议使用 RFILTER = 1kΩ 和 CFILTER = 100nF。可以根据具体的系统条件选择不同的值。 9.3 电流能力和热性能 此驱动器的输出电流和功率损耗能力在很大程度上取决于 PCB 设计和外部系统条件。本部分提供了一些用于计算 这些值的指导。 9.3.1 功率耗散和输出电流能力 该器件的总功耗由三个主要部分组成：静态电源电流耗散（PVM ）、功率 MOSFET 开关损耗（PSW ）及功率 MOSFET RDS(on） （导通）损耗（PRDS ）。虽然其他因素可能会造成额外的功率损耗，但与这三个主要因素相 比，其他因素通常并不重要。 PTOT = PVM + PSW + PRDS (2) 可以根据标称电机电源电压（VVM）和 IVM 运行模式电流规格来计算 PVM。 PVM = VVM x IVM (3) PVM = 16.8mW = 12V x 1.4mA (4) 可以根据标称电机电源电压（VVM）、平均输出电流（IRMS）、开关频率（fPWM）以及器件输出上升（tRISE）和 下降（tFALL）时间规格来计算 PSW。 PSW = PSW_RISE + PSW_FALL (5) PSW_RISE = 0.5 x VM x IRMS x tRISE x fPWM (6) PSW_FALL = 0.5 x VM x IRMS x tFALL x fPWM (7) Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 23 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 PSW_RISE = 9mW = 0.5 x 12V x 0.5A x 150ns x 20kHz (8) PSW_FALL = 9mW = 0.5 x 12V x 0.5A x 150ns x 20kHz (9) PSW = 18mW = 9mW + 9mW (10) 可以根据器件 RDS(on)和平均输出电流（IRMS）来计算 PRDS。 PRDS = IRMS 2 x（RDS(ON)_HS + RDS(ON)_LS） (11) RDS(ON)与器件温度密切相关。假设器件结温为 85°C，根据标称温度数据，RDS(on)可增加约 1.5 倍。下面的计算显 示了此降额系数。或者，节 7.6 部分显示了绘制 RDS(on)随温度变化的曲线。 PRDS = 375mW =(0.5A)2 x (500mΩ x 1.5 + 500mΩ x 1.5) (12) 根据上面的示例计算，下面的表达式计算了器件的总预期功耗。 PTOT = PVM + PSW + PRDS (13) PTOT = 410mW = 16.8mW + 18mW + 375mW (14) 可以使用 PTOT、器件环境温度（TA）和封装热阻（RθJA）来计算驱动器的结温。RθJA 的值在很大程度上依赖于 PCB 设计以及器件周围的铜散热器性能。节 9.3.2 更详细地介绍了这种依赖性。 TJ = (PTOT x RθJA) + TA (15) TJ = 124°C = (0.410W x 94.7 °C/W) + 85°C (16) 对于所有系统工作条件，器件结温应保持在其绝对最大额定值以下。本部分中的计算提供了对结温的合理估计。 然而，其他基于系统运行过程中温度测量的方法更加现实和可靠。可以在节 9.3.2 和节 12.1.1 中找到有关电机驱 动器电流额定值和功耗的其他信息。 9.3.2 热性能 数据表指定的结至环境热阻 RθJA 主要用于比较各种驱动器或者估算热性能。不过，实际系统性能可能比此值更 好或更差，具体情况取决于 PCB 层叠、布线、过孔数量以及散热焊盘周围的铜面积。驱动器驱动特定电流的时间 长度也会影响功率耗散和热性能。本节将介绍如何设计稳态和瞬态温度条件。 本节中的数据是按如下条件仿真得出的： WSON（DSG 封装） • 2 层 PCB，标准 FR4，1oz（35mm 覆铜厚度）或 2oz 覆铜厚度。散热过孔仅存在于散热焊盘下方（2 个过 孔，1.2mm 间距，0.3mm 直径，0.025mm 铜镀层）。 – 顶层：DRV8220 WSON 封装尺寸和铜平面散热器。顶层铜面积在模拟中有所不同。 – 底层：接地层通过 DRV8220 散热焊盘下方的过孔进行热连接。底层铜面积随顶层铜面积而变化。 • 4 层 PCB，标准 FR4。外侧平面具有 1oz（35mm 覆铜厚度）或 2oz 覆铜厚度。内侧平面保持在 1oz。散热过 孔仅存在于散热焊盘下方（2 个过孔，1.2mm 间距，0.3mm 直径，0.025mm 铜镀层）。 – 顶层：DRV8220 WSON 封装尺寸和铜平面散热器。顶层铜面积在模拟中有所不同。 – 中间层 1：GND 平面通过过孔热连接到 DRV8220 焊盘。接地平面的面积为 74.2mm x 74.2mm。 – 中间层 2：电源平面，无热连接。电源平面的面积为 74.2mm x 74.2mm。 – 底层：带有小型铜焊盘的信号层位于 DRV8220 下方，通过从顶部平面和内部 GND 平面拼接进行热连接。 底层热焊盘的尺寸与封装相同（2 mm x 2 mm）。虽然顶部铜平面的尺寸并不固定，但底部焊盘的尺寸保 持不变。 图 9-26 显示了 HTSSOP 封装的模拟电路板示例。表 9-6 显示了每次仿真时使用的不同板尺寸。 24 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 A A 图 9-26. WSON PCB 模型顶层 表 9-6. 用于 16 引脚 PWP 封装的尺寸 A 铜面积（mm2） 尺寸 A（mm） 2 15.11 4 20.98 8 29.27 16 40.99 SOT（DRL 封装） • 2 层 PCB，标准 FR4，1oz（35mm 覆铜厚度）或 2oz 覆铜厚度。散热过孔仅存在于封装尺寸下方（2 个过 孔，1.2mm 间距，0.3mm 直径，0.025mm 铜镀层）。 – 顶层：DRV8220 SOT 封装尺寸和铜平面散热器。顶层铜面积在模拟中有所不同。 – 底层：接地层通过 DRV8220DRL 封装尺寸下的过孔进行热连接。底层铜面积随顶层铜面积而变化。 • 4 层 PCB，标准 FR4。外侧平面具有 1oz（35mm 覆铜厚度）或 2oz 覆铜厚度。内侧平面保持在 1oz。散热过 孔仅存在于 DRV8220DRL 封装尺寸下方（2 个过孔，1.2mm 间距，0.3mm 直径，0.025mm 铜镀层）。 – 顶层：DRV8220 SOT 封装尺寸和铜平面散热器。顶层铜面积在模拟中有所不同。 – 中间层 1：GND 平面通过过孔在 DRV8220DRL 封装尺寸下进行热连接。接地平面的面积为 74.2mm x 74.2mm。 – 中间层 2：电源平面，无热连接。电源平面的面积为 74.2mm x 74.2mm。 – 底层：带有小型铜焊盘的信号层位于 DRV8220DRL 下方，通过从顶部平面和内部 GND 平面拼接进行热连 接。底层热焊盘的尺寸与封装相同（1.2 mm x 1.6 mm）。虽然顶部铜平面的尺寸并不固定，但底部焊盘的 尺寸保持不变。 图 9-27 显示了 HTSSOP 封装的模拟电路板示例。表 9-7 显示了每次仿真时使用的不同板尺寸。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 25 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 A IN1 1 IN2 2 GND 3 Via Via 6 OUT1 5 VM 4 OUT2 A 图 9-27. SOT PCB 模型顶层 表 9-7. 用于 16 引脚 PWP 封装的尺寸 A 铜面积（mm2） 尺寸 A（mm） 2 15.11 4 20.98 8 29.27 16 40.99 9.3.2.1 稳态热性能 “稳态”条件假设电机驱动器使用恒定 RMS 电流运行很长一段时间。本部分中的图显示了 RθJA 和 ΨJB（结至电 路板特征参数）的变化，这些变化取决于铜面积、覆铜厚度和 PCB 层数。铜面积越大、层数越多、铜平面越厚， RθJA 和 ΨJB 就越小，表明 PCB 布局的热性能越强。 图 9-28. WSON、PCB 结至环境热阻与铜面积 26 图 9-29. WSON、结至电路板特征参数与铜面积 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 97.5 4 layer, 2 oz 4 layer, 1 oz 2 layer, 2 oz 2 layer, 1 oz 95 92.5 JB (C/W) 90 87.5 85 82.5 80 77.5 2 图 9-30. SOT、PCB 结至环境热阻与铜面积 4 6 8 10 12 Top layer copper area (cm2) 14 16 图 9-31. SOT、结至电路板特征参数与铜面积 9.3.2.2 瞬态热性能 电机驱动器可能会遇到不同的瞬态驱动条件，导致在短时间内出现大电流流过。这些条件可能包括 • 转子最初静止时电机启动。 • 某个电机输出的电源或接地短路且触发过流保护时的故障条件。 • 短暂为电机或电磁阀加电，然后断电。 对于这些瞬态情况，驱动持续时间是除了铜面积和厚度之外影响热性能的另一个因素。在瞬态情况中，热阻抗参 数（ZθJA）表示结至环境热性能。本部分中的图显示了 WSON 和 SOT 封装的 1oz 和 2oz 铜布局的模拟热阻抗。 这些图表表明，短电流脉冲可实现更佳的热性能。对于较短的驱动时间，器件裸片尺寸和封装决定了热性能。对 于更长的驱动脉冲，电路板的布局对热性能的影响更大。这两个图表都显示了随着驱动脉冲持续时间的增加，由 于层数和铜面积导致的热阻抗分裂曲线。可以将长脉冲视为稳态性能。 图 9-32. 1oz 铜布局的 WSON 封装结至环境热阻抗 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 27 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 ZJA (C/W) 200 100 90 80 70 60 50 2 cm2, 2-layer 4 cm2, 2-layer 8 cm2, 2-layer 16 cm2, 2-layer 2 cm2, 4-layer 4 cm2, 4-layer 8 cm2, 4-layer 16 cm2, 4-layer 40 30 20 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 4 5 6 7 8 10 Pulse duration (s) 20 30 4050 70 100 200 300 500 1000 图 9-33. 2oz 铜布局的 WSON 封装结至环境热阻抗 ZJA (C/W) 200 100 90 80 70 60 50 2 cm2, 2-layer 4 cm2, 2-layer 8 cm2, 2-layer 16 cm2, 2-layer 2 cm2, 4-layer 4 cm2, 4-layer 8 cm2, 4-layer 16 cm2, 4-layer 40 30 20 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 4 5 6 7 8 10 Pulse duration (s) 20 30 4050 70 100 200 300 500 1000 图 9-34. 1oz 铜布局的 SOT 封装结至环境热阻抗 28 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 图 9-35. 2oz 铜布局的 SOT 封装结至环境热阻抗 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 29 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 10 电源建议 10.1 大容量电容 配备合适的局部大容量电容是电机驱动系统设计中的一项重要因素。使用更多的大容量电容通常是有益的，但缺 点在于这会增加成本和物理尺寸。 所需的局部大容量电容的容量取决于多种因素，包括： • 电机或负载所需的最高电流 • 电源的电容和拉电流的能力 • 电源和电机系统之间的寄生电感量 • 可接受的系统电压纹波 • 电机制动方法（如果适用） 电源与电机驱动系统之间的电感会限制额定电流与电源之间的变化幅度。如果局部大容量电容太小，系统将对过 大的电流需求作出响应，或随电压的变化将其从电机中排除。当使用足够多的大容量电容时，电机电压保持稳 定，可以快速提供大电流。 数据表通常会给出建议的最小值，但需要进行系统级测试来确定大小适中的大容量电容。 Power Supply Parasitic Wire Inductance Motor Drive System VBB + ± + Motor Driver GND Local Bulk Capacitor IC Bypass Capacitor 图 10-1. 系统电源寄生效应示例 30 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 11 布局 11.1 布局指南 由于 DRV8220 器件集成了能够驱动大电流的功率 MOSFET，因此，应特别注意布局设计和外部元件放置。下面 提供了一些设计和布局指南。有关布局建议的更多信息，请参阅应用手册电机驱动器电路板布局最佳实践。 • 低 ESR 陶瓷电容器应用于 VM-to-GND 旁路电容器。建议使用 X5R 和 X7R 类型的电容器。 • VM 电源电容器应尽可能靠近器件放置，以最大限度减少回路电感。 • VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器，但也应尽可能靠近器件放置，以最大限度减小回路电 感。 • VM、OUT1、OUT2 和 GND 承载着从电源传输到输出，然后重新传回到接地的高电流。对于这些迹线，应使 用厚金属布线（如果可行）。 • GND 应直接连接到 PCB 接地平面上。 • 应通过热过孔将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面（如果可用），以获得最强的 PCB 散 热能力。 • 应尽可能扩大连接到散热焊盘的铜平面面积，以确保获得最佳散热效果。 11.2 布局示例 CBULK VM IN1 1 6 OUT1 IN2 2 5 VM GND 3 4 OUT2 MOT+ MOT- 0.1 …F 图 11-1. 没有过孔的 DRL 封装的简化布局示例 IN1 1 6 OUT1 IN2 2 5 VM GND 3 4 OUT2 MOT+ Vias to bo
om layer trace MOTVM 0.1 μF CBULK 图 11-2. 带实现更好散热的更大铜面积的 DRL 封装的简化布局示例 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 31 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 CBULK VM MOT+ 0.1 …F VM 1 OUT1 2 8 nSLEEP 7 MODE 6 IN1 5 IN2 Thermal MOT- OUT2 3 GND 4 Pad 图 11-3. DSG 封装的简化布局示例 32 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 12 器件和文档支持 12.1 文档支持 12.1.1 相关文档 请参阅如下相关文档： • 德州仪器（TI），计算电机驱动器的功耗 应用报告 • 德州仪器（TI），PowerPAD™ 速成 应用报告 • 德州仪器（TI），PowerPAD™ 热增强型封装 应用报告 • 德州仪器（TI），了解电机驱动器电流额定值 应用报告 • 德州仪器（TI），电机驱动器电路板布局最佳实践 应用报告 12.2 接收文档更新通知 要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更 改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。 12.3 支持资源 TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解 答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。 链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的《使用条款》。 12.4 商标 TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments. 所有商标均为其各自所有者的财产。 12.5 Electrostatic Discharge Caution This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage. ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications. 12.6 术语表 TI 术语表 本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 33 DRV8220 www.ti.com.cn ZHCSML6B – FEBRUARY 2020 – REVISED AUGUST 2021 13 机械、封装和可订购信息 以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知， 且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。 34 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: DRV8220 重要声明和免责声明 TI 提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，不保证没 有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。 这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验 证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可 将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知 识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成本、损失和债务，TI 对此概不负责。 TI 提供的产品受 TI 的销售条款 (https:www.ti.com/legal/termsofsale.html) 或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改 TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。重要声明 邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265 Copyright © 2021，德州仪器 (TI) 公司 PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 8-Apr-2023 PACKAGING INFORMATION Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking (3) Samples (4/5) (6) DRV8220DRLR ACTIVE SOT-5X3 DRL 6 4000 RoHS & Green Call TI | SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 8220 Samples DRV8220DSGR ACTIVE WSON DSG 8 3000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 220 Samples (1) The marketing status values are defined as follows: ACTIVE: Product device recommended for new designs. LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect. NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design. PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available. OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device. (2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may reference these types of products as "Pb-Free". RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption. Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of