LM158JGB

LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 行业标准双路运算放大器 1 特性 3V 至 36V 的宽电源电压范围（B、BA 版本） 静态电流：300 µA/通道（B、BA 版本） 单位增益带宽为 1.2 MHz（B、BA 版本） 共模输入电压范围包括接地，支持近地直接感测 25°C 时的最大输入失调电压为 2 mV（BA 版本） 25°C 时的最大输入失调电压为 3 mV（A、B 版 本） • 内部射频和 EMI 滤波器（B、BA 版本） • 对于符合 MIL-PRF-38535 标准的产品，所有参数 均经过测试，除非另有说明。对于所有其他产品， 生产流程不一定包含对所有参数的测试。 • • • • • • 2 应用 • • • • • • • • • • 商用网络和服务器电源单元 多功能打印机 电源和移动充电器 电机控制：交流感应、有刷直流、无刷直流、高 压、低压、永磁和步进电机 台式计算机和主板 室内外空调 洗衣机、烘干机和冰箱 交流逆变器、串式逆变器、中央逆变器和变频器 不间断电源 电子销售点系统 3 说明 LM358B 和 LM2904B 器 件 是 行 业 标 准 运 算 放 大 器 LM358 和 LM2904 的下一代版本，其中包括两个高压 (36V) 运算放大器。这些器件为成本敏感型应用提供了 卓越的价值，其特性包括低偏移（300µV，典型值）、 对地共模输入范围和高差分输入电压能力。 LM2904BA 的最大值为 2mV）和更低的静态电流（每 个放大器为 300µA，典型值）等增强型特性简化了电 路设计。高 ESD（2kV，HBM）和集成 EMI 以及射频 滤波器可支持将 LM358B 和 LM2904B 器件用于更严 苛、更具环境挑战性的应用。 LM358B 和 LM2904B 放 大 器 采 用 微 型 封 装 （ 如 SOT23-8 ） ， 以 及 行 业 标 准 封 装 （ 包 括 SOIC 、 TSSOP 和 VSSOP）。 器件信息 器件型号(1) 封装 封装尺寸（标称值） LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA、 LM358、LM358A、 LM2904、LM2904V、 LM258、LM258A SOIC (8) 4.90mm × 3.90mm LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA、 LM358、LM358A、 LM2904、LM2490V TSSOP (8) 3.00mm × 4.40mm LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA、 LM358、LM358A、 LM2904、LM2904V、 LM258、LM258A VSSOP (8) 3.00mm × 3.00mm LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA SOT-23 (8) 2.90mm × 1.60mm LM358、LM2904 SO (8) 5.20mm × 5.30mm LM358、LM2904、 PDIP (8) LM358A、LM258、LM258A 9.81mm × 6.35mm LM158、LM158A CDIP (8) 9.60mm × 6.67mm LM158、LM158A LCCC (20) 8.89mm × 8.89mm LM358B 和 LM2904B 运算放大器利用单位增益稳定 性、更低的失调电压（最大值为 3mV；LM358BA 和 系列产品比较 技术规范 电源电压 失调电压（25°C 时的最大值） 输入偏置电流（典型值/最大值） 增益带宽积 电源电流（每通道的典型值） ESD (HBM) 工作环境温度 (1) LM358B LM358BA LM2904B LM2904BA LM358 LM358A LM2904 LM2904V LM2904AV LM258 LM258A LM158 LM158A 单位 3 至 36 3 至 36 3 至 30 3 至 26 3 至 30 3 至 30 3 至 30 V ±3 ±2 ±3 ±2 ±7 ±3 ±7 ±7 ±2 ±5 ±3 ±5 ±2 mV 10/35 10/35 20/250 15/100 20/250 20/250 20/150 15/80 20/150 15/50 nA 1.2 1.2 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 MHz mA 0.3 0.3 0.35 0.35 0.35 0.35 0.35 2000 2000 500 500 500 500 500 V -40 至 85 −40 至 125 0 至 70 −40 至 125 −40 至 125 -25 至 85 -55 至 125 °C 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。 本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。 English Data Sheet: SLOS068 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 内容 1 特性................................................................................... 1 2 应用................................................................................... 1 3 说明................................................................................... 1 4 修订历史记录..................................................................... 2 5 引脚配置和功能................................................................. 4 6 规格................................................................................... 5 6.1 绝对最大额定值...........................................................5 6.2 ESD 等级.................................................................... 5 6.3 建议运行条件.............................................................. 6 6.4 热性能信息.................................................................. 6 6.5 电气特性：LM358B 和 LM358BA............................... 7 6.6 电气特性：LM2904B 和 LM2904BA......................... 10 6.7 电气特性：LM358、LM358A.................................... 12 6.8 电气特性：LM2904、LM2904V................................ 14 6.9 电气特性：LM158、LM158A.................................... 15 6.10 电气特性：LM258、LM258A.................................. 17 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B............................18 6.12 典型特性：LM158、LM158A、LM258、 LM258A、LM358、LM358A、LM2904 和 LM2904V..25 7 参数测量信息................................................................... 27 8 详细说明.......................................................................... 28 8.1 概述...........................................................................28 8.2 功能方框图：LM358B、LM358BA、LM2904B、 LM2904BA...................................................................28 8.3 特性说明....................................................................29 8.4 器件功能模式............................................................ 29 9 应用和实现.......................................................................30 9.1 应用信息....................................................................30 9.2 典型应用....................................................................30 10 电源相关建议................................................................. 31 11 布局................................................................................31 11.1 布局指南..................................................................31 11.2 布局示例..................................................................32 12 器件和文档支持............................................................. 33 12.1 接收文档更新通知................................................... 33 12.2 支持资源..................................................................33 12.3 商标.........................................................................33 12.4 Electrostatic Discharge Caution..............................33 12.5 术语表..................................................................... 33 13 机械、封装和可订购信息............................................... 34 4 修订历史记录 注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同 Changes from Revision Z (July 2021) to Revision AA (March 2022) • • • • Page 在器件信息 表中添加了 LM358BA 和 LM2904BA...............................................................................................1 向说明 部分添加了系列比较 表........................................................................................................................... 1 在 ESD 等级 表中，将 B 版本和 BA 版本的 ESD (CDM) 从 1kV 升高到 1.5kV..................................................5 将 LM2904BA 在 TA = –40℃ 至 +125℃ 范围内的输入失调电压最大值从 ±2.5mV 更改为 ±3.0mV............... 10 Changes from Revision Y (February 2021) to Revision Z (July 2021) Page • 删除了器件信息 表中 LM358B 和 LM2904B SOT-23 (8) 封装的预发布标签...................................................... 1 • 更新了热性能信息表中的 DDF (SOT-23) 封装....................................................................................................6 • 从器件和文档支持部分删除了相关链接 ............................................................................................................33 Changes from Revision X (June 2020) to Revision Y (February 2021) • • • • Page 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式......................................................................................... 1 在整个数据表中添加了 SOT23-8 (DDF) 封装信息.............................................................................................. 1 删除了器件信息 表中 LM358B 和 LM2904B VSSOP (8) 封装的预发布标签...................................................... 1 在热性能信息表中添加了 DDF (SOT-23) 封装....................................................................................................6 Changes from Revision W (October 2019) to Revision X (June 2020) Page • 向应用 部分添加了应用链接................................................................................................................................1 • 删除了器件信息 表中 LM358B 和 LM2904B TSSOP (8) 封装的预发布标签.......................................................1 2 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 Changes from Revision V (September 2018) to Revision W (October 2019) • • • • • • Page 更改了 ESD 等级 中 LM358B 和 LM2904B 的 CDM ESD 等级.......................................................................... 5 将建议运行条件中的 VS 更改为 V+..................................................................................................................... 6 更改了 LM158FK 和 LM158JG 器件的热性能信息 ............................................................................................ 6 为 LM358B 和 LM2490B 运算放大器添加了典型特性部分............................................................................... 18 在参数测量信息部分中添加了 THD+N 和小信号阶跃响应的测试电路 (G = –1).............................................. 27 更改了功能方框图 ............................................................................................................................................ 28 Changes from Revision U (January 2017) to Revision V (September 2018) • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • Page 更改了数据表标题............................................................................................................................................... 1 更改了特性 部分中的前四项................................................................................................................................1 更改了应用 部分中的第一项并添加了四个新项...................................................................................................1 更改了说明 部分第一段中的电压值.....................................................................................................................1 更改了说明 部分第二段中的文本内容................................................................................................................. 1 在数据表中添加了器件 LM358B 和 LM2904B.................................................................................................... 1 更改了器件信息 表的前三行，并为状态为预发布的器件添加了交叉参考注释.................................................... 1 向引脚功能表中添加了表格注释......................................................................................................................... 4 将绝对最大额定值说明中的“自然通风条件下的温度”更改为“环境温度”..................................................... 5 更改了绝对最大额定值表中除 TJ 和 Tstg 以外的所有条目................................................................................... 5 从绝对最大额定值中删除了引线温度和外壳温度................................................................................................ 5 更改了 ESD 等级 表中的器件列表及其电压值.................................................................................................... 5 将建议运行条件说明中的“自然通风条件下的温度”更改为”环境温度“.........................................................6 更改了建议运行条件 表中所有参数的表格条目...................................................................................................6 向“热性能信息”表中添加了几行，以及有关器件封装组合的表格注释............................................................ 6 删除了运行条件表............................................................................................................................................. 17 向典型特性 部分添加了条件说明...................................................................................................................... 25 将具体电压更改为对建议运行条件 的引用........................................................................................................ 28 将单位增益带宽从所有器件为 0.7MHz 更改为 B 版本器件为 1.2MHz.............................................................. 29 将压摆率从所有器件均为 0.3V/µs 更改为 B 版本器件为 0.5V/µs......................................................................29 通篇更改了多处的节 8.3.3 部分........................................................................................................................ 29 在节 9.1 部分中，将 VCC 更改为 VS ................................................................................................................ 30 将 RI 和 RF 的后缀处理成了下标.......................................................................................................................30 更改了非反相配置的运算放大器电路板布局并添加了包含双通道运算放大器的图像........................................ 32 Changes from Revision T (April 2015) to Revision U (January 2017) Page • 更改了数据表标题............................................................................................................................................... 1 Changes from Revision S (January 2014) to Revision T (April 2015) Page • 添加了应用 部分、ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源相关建议 部分、布 局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分.................................................................... 1 Changes from Revision R (July 2010) to Revision S (Jauary 2014) • • • • Page 使用网上的 PDF 将此数据表从 QS 格式转换为 DocZone.................................................................................. 1 删除了订购信息 表.............................................................................................................................................. 1 更新了特性 部分以包含“军用免责声明”.......................................................................................................... 1 添加了“典型特性”部分.................................................................................................................................. 25 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 3 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 5 IN2+ Not to scale V+ NC 20 19 NC IN1± 5 17 OUT2 NC 6 16 NC IN1+ 7 15 IN2± NC 8 14 NC NC 图 5-1. D、DDF、DGK、P、PS、PW 和 JG 封装 8 引脚 SOIC、SOT23-8、VSSOP、PDIP、SO、 TSSOP 和 CDIP 顶视图 18 13 4 4 NC V± NC 12 IN2± IN2+ 6 NC 3 1 IN1+ 11 OUT2 NC 7 OUT1 2 2 IN1± 10 V+ V± 8 NC 1 9 OUT1 3 5 引脚配置和功能 Not to scale NC - 无内部连接 图 5-2. FK 封装 20 引脚 LCCC 顶视图 表 5-1. 引脚功能 引脚 LCCC(1) SOIC、SOT23-8、VSSOP、 CDIP、PDIP、SO、TSSOP、 CFP(1) I/O 5 2 I 负输入 IN1+ 7 3 I 正输入 IN2– 15 6 I 负输入 IN2+ 12 5 I 正输入 OUT1 2 1 O 输出 OUT2 17 7 O 输出 V– 10 4 — 负（最低）电源或接地（对于单电源供电） NC 1、3、4、6、8、 9、11、13、14、 16、18、19 — — 没有与内部电路连接 V+ 20 8 — 正（最高）电源 名称 IN1– (1) 4 说明 有关器件列表及器件采用的具体封装，请参阅节 3。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6 规格 6.1 绝对最大额定值 在工作环境温度范围内（除非另外注明）(1) 最小值 电源电压，VS = ([V+] – [V–]) ±20 或 40 LM158、LM258、LM358、 LM158A、LM258A、 LM358A、LM2904V ±16 或 32 LM2904 ±13 或 26 LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA、 LM158、LM258、LM358、 LM158A、LM258A、 LM358A、LM2904V 差分输入电压，VID (2) 输入电压，VI 任一输入 -32 32 LM2904 –26 26 LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA -0.3 40 –0.3 32 -0.3 26 LM158、LM258、LM358、 LM158A、LM258A、 LM358A、LM2904V LM2904 输出对地短路（一个放大器）的持续时间（在或低于 TA = 25°C、 VS ≤ 15V 条件下）(3) 工作环境温度，TA 无限 LM158、LM158A –55 125 LM258、LM258A –25 85 LM358B、LM358BA –40 85 0 70 -40 125 LM358、LM358A LM2904B、LM2904BA、 LM2904、LM2904V 运行虚拟结温，TJ -65 贮存温度，Tstg (1) (2) (3) 最大值 LM358B、LM358BA、 LM2904B、LM2904BA 单位 V V V s °C 150 °C 150 °C 超出绝对最大额定值下所列的值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为应力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行 条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于最大绝对额定情况下会影响设备的可靠性。 差分电压是相对于 IN− 的 IN+ 上的值。 从输出到 VS 的短路会导致过热，并且最终会发生损坏。 6.2 ESD 等级 值 单位 LM358B、LM358BA、LM2904B 和 LM2904BA V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) 充电器件模型（CDM），符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±2000 ±1500 V LM158、LM258、LM358、LM158、LM258A、LM358A、LM2904 和 LM2904V V(ESD) (1) (2) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) ±500 充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000 V JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。 JEDEC 文件 JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准 ESD 控制流程下安全生产。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 5 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.3 建议运行条件 在工作环境温度范围内测得（除非另外注明） VS 电源电压，VS= ([V+] – [V–]) VCM 最小值 最大值 LM358B、LM358BA、LM2904B、 LM2904BA 3 36 LM158、LM258、LM358、LM158A、 LM258A、LM358A、LM2904V 3 30 LM2904 3 26 V– V+ – 2 –40 85 -40 125 LM358、LM358A 0 70 LM258、LM258A -20 85 LM158、LM158A –55 125 共模电压 LM358B、LM358BA LM2904B、LM2904BA、LM2904、 LM2904V TA 工作环境温度 单位 V V °C 6.4 热性能信息 LM258、LM258A、LM358、LM358A、LM358B、LM358BA、LM2904、 LM2904B、LM2904BA、LM2904V(2) 热指标(1) D (SOIC) DGK (VSSOP) P (PDIP) PS (SO) PW (TSSOP) DDF (SOT-23) FK (LCCC) JG (CDIP) 8 个引脚 8 个引脚 8 个引脚 8 个引脚 8 个引脚 8 个引脚 20 个引脚 8 个引脚 单位 RθJA 结至环境热阻 124.7 181.4 80.9 116.9 171.7 164.3 84.0 112.4 °C/W RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 66.9 69.4 70.4 62.5 68.8 98.1 56.9 63.6 °C/W RθJB 结至电路板热阻 67.9 102.9 57.4 68.6 99.2 82.1 57.5 100.3 °C/W ψJT 结至顶部特征参数 19.2 11.8 40 21.9 11.5 11.4 51.7 35.7 °C/W ψJB 结至电路板特征参数 67.2 101.2 56.9 67.6 97.9 81.7 57.1 93.3 °C/W RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 — — — — — — 10.6 22.3 °C/W (1) (2) 6 LM158、LM158A 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。 有关器件列表及器件采用的具体封装，请参阅节 3。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.5 电气特性：LM358B 和 LM358BA 在 VS = (V+) – (V–) = 5V 至 36V（±2.5V 至 ±18V）、TA = 25°C、VCM = VOUT = VS / 2、RL = 10kΩ（连接至 VS / 2 ）条件下（除非另有说明） 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 ±0.3 ±3.0 mV ±4 mV ±2.0 mV 失调电压 LM358B VOS TA = –40°C 至 +85°C 输入失调电压 LM358BA dVOS/dT 输入失调电压漂移 PSRR 电源抑制比 通道分离，直流 ±2.5 TA = –40°C 至 +85°C TA = -40°C 至 +85°C(1) 11 µV/°C ±2 15 µV/V ±1 f = 1 kHz 至 20kHz mV ±3.5 µV/V 输入电压范围 VCM CMRR VS=3 V 至 36 V 共模电压范围 VS=5 V 至 36 V 共模抑制比 TA = –40°C 至 +85°C (V–) ≤ VCM ≤ (V+) – 1.5V VS=3 V 至 36 V (V–) ≤ VCM ≤ (V+) – 2.0V VS=5 V 至 36 V (V–) (V+) – 1.5 V (V–) (V+) – 2 V 20 100 25 316 ±10 ±35 nA ±50 nA 4 nA µV/V TA = –40°C 至 +85°C 输入偏置电流 IB 输入偏置电流 TA = –40°C 至 +85°C(1) 0.5 IOS 输入失调电流 dIOS/dT 输入失调电流漂移 TA = –40°C 至 +85°C(1) 5 TA = –40°C 至 +85°C nA 10 pA/℃ 3 µVPP 40 nV/ √/Hz 噪声 En 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 输入阻抗 ZID 差分 10 || 0.1 MΩ|| pF ZIC 共模 4 || 1.5 GΩ|| pF 开环增益 AOL VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 10kΩ（连接到 (V-)） 开环电压增益 70 TA = –40°C 至 +85°C 140 V/mV 35 V/mV 频率响应 GBW 1.2 MHz 压摆率 G=+1 0.5 V/µs 相位裕度 G = + 1，RL = 10kΩ，CL = 20pF 56 ° tOR 过载恢复时间 VIN × 增益 > VS 10 µs ts 建立时间 精度达到 0.1%，VS = 5V，2V 阶跃，G = +1，CL = 100pF 4 µs 总谐波失真 + 噪声 G = + 1，f = 1kHz，VO = 3.53VRMS，VS = 36V，RL = 100kΩ，IOUT ≤ ±50µA，BW = 80kHz 0.001 % SR Θm THD+N 增益带宽积 输出 IOUT = 50µA 正电源轨 (V+) VO 相对于电源轨的电压输出摆幅 负电源轨 (V-) VS = 5V，RL ≤ 10kΩ（连接到 (V–)） IO 输出电流 VS = 15V；VO = V–； VID = 1V 吸电流(1) VS = 15V；VO = V+； VID = –1V 灌电流(1) VID = –1V；VO = (V–) + 200mV ISC 短路电流 VS = 20V，(V+) = 10V，(V–) = –10V，VO = 0V Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated 1.35 1.42 V 输出电流= 1 mA 1.4 1.48 V IOUT = 5mA(1) 1.5 1.61 V IOUT = 50µA 100 150 mV 输出电流= 1 mA 0.75 1 V 5 20 mV TA = –40°C 至 +85°C -20 TA = –40°C 至 +85°C 10 TA = –40°C 至 +85°C -30 -10 mA 20 5 60 100 ±40 μA ±60 mA Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 7 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.5 电气特性：LM358B 和 LM358BA (continued) 在 VS = (V+) – (V–) = 5V 至 36V（±2.5V 至 ±18V）、TA = 25°C、VCM = VOUT = VS / 2、RL = 10kΩ（连接至 VS / 2 ）条件下（除非另有说明） 参数 8 CLOAD 容性负载驱动 RO 开环输出电阻 测试条件 f=1MHz，IO = 0A Submit Document Feedback 最小值 典型值 最大值 单位 100 pF 300 Ω Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.5 电气特性：LM358B 和 LM358BA (continued) 在 VS = (V+) – (V–) = 5V 至 36V（±2.5V 至 ±18V）、TA = 25°C、VCM = VOUT = VS / 2、RL = 10kΩ（连接至 VS / 2 ）条件下（除非另有说明） 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 300 460 µA 800 µA 电源 IQ 每个放大器的静态电流 VS = 5V，IO = 0A IQ 每个放大器的静态电流 VS = 36V，IO = 0A (1) TA = –40°C 至 +85°C 仅由特征确定。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 9 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.6 电气特性：LM2904B 和 LM2904BA 在 VS =(V+) – (V–) = 5V 至 36V（±2.5V 至 ±18V）、TA = 25°C、VCM = VOUT = VS / 2、RL = 10kΩ（连接至 VS / 2 ）条件下（除非另有说明） 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 ±0.3 ±3.0 mV ±4 mV ±2.0 mV ±3.0 mV 失调电压 LM2904B VOS TA=-40°C 至 +125°C 输入失调电压 LM2904BA TA=-40°C 至 +125°C +125°C(1) dVOS/dT 输入失调电压漂移 ±3.5 12 µV/°C PSRR 电源抑制比 ±2 15 µV/V 通道分离，直流 ±1 TA = –40°C 至 f = 1 kHz 至 20kHz µV/V 输入电压范围 VCM 共模电压范围 CMRR 共模抑制比 VS=3 V 至 36 V VS=5 V 至 36 V TA = –40°C 至 +125°C (V–) ≤ VCM ≤ (V+) – 1.5V VS=3 V 至 36 V (V–) ≤ VCM ≤ (V+) – 2.0V VS=5 V 至 36 V (V–) (V+) – 1.5 V (V–) (V+) – 2 V 20 100 25 316 ±10 ±35 nA ±50 nA 4 nA µV/V TA = –40°C 至 +125°C 输入偏置电流 IB 输入偏置电流 TA = –40°C 至 +125°C(1) 0.5 IOS 输入失调电流 dIOS/dT 输入失调电流漂移 TA = –40°C 至 +125°C(1) 5 TA=-40°C 至 +125°C nA 10 pA/℃ 3 µVPP 40 nV/ √/Hz 噪声 En 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 输入阻抗 ZID 差分 10 || 0.1 MΩ|| pF ZIC 共模 4 || 1.5 GΩ|| pF 开环增益 AOL VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 10kΩ（连接到 (V-)） 开环电压增益 70 TA = –40°C 至 +125°C 140 V/mV 35 V/mV 频率响应 GBW 增益带宽积 1.2 MHz SR 压摆率 G=+1 0.5 V/µs Θm 相位裕度 G = + 1，RL = 10kΩ，CL = 20pF 56 ° tOR 过载恢复时间 VIN × 增益 > VS 10 µs ts 建立时间 精度达到 0.1%，VS = 5V，2V 阶跃，G = +1，CL = 100pF 4 µs THD+N 总谐波失真 + 噪声 G = + 1，f = 1kHz，VO = 3.53VRMS，VS = 36V，RL = 100kΩ，IOUT ≤ ±50µA，BW = 80kHz 0.001 % 输出 IOUT = 50µA 正电源轨 (V+) VO 相对于电源轨的电压输出摆幅 负电源轨 (V-) VS = 5V，RL ≤ 10kΩ 连接到 (V–) IO 输出电流 VS = 15V；VO = V-；VID = 1V 吸电流(1) VS = 15V；VO = V+；VID = 1V 灌电流(1) VID = -1V；VO = (V-) + 200mV ISC 短路电流 CLOAD 容性负载驱动 10 VS = 20V，(V+) = 10V，(V-) = -10V，VO = 0V 1.35 1.42 V 输出电流= 1 mA 1.4 1.48 V IOUT = 5mA(1) 1.5 1.61 V IOUT = 50µA 100 150 mV 输出电流= 1 mA 0.75 1 V 5 20 mV TA = –40°C 至 +125°C -20 TA = –40°C 至 +125°C 10 TA = –40°C 至 +125°C -30 -10 5 60 100 ±40 100 Submit Document Feedback mA 20 μA ±60 mA pF Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 在 VS =(V+) – (V–) = 5V 至 36V（±2.5V 至 ±18V）、TA = 25°C、VCM = VOUT = VS / 2、RL = 10kΩ（连接至 VS / 2 ）条件下（除非另有说明） 参数 RO 测试条件 开环输出电阻 f=1MHz，IO = 0A IQ 每个放大器的静态电流 VS = 5V，IO = 0A IQ 每个放大器的静态电流 VS = 36V，IO = 0A 最小值 典型值 最大值 300 单位 Ω 电源 (1) TA = –40°C 至 +125°C 300 460 µA 800 µA 仅由特征确定。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 11 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.7 电气特性：LM358、LM358A 在 VS = (V+) – (V–) = 5V，TA = 25°C 条件下测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 典型值(2) 最大值 3 7 单位 失调电压 LM358 VOS 输入失调电压 VS = 5V 至 30V；VC M = 0V；VO = 1.4V 9 TA = 0°C 至 70°C LM358A 2 3 5 TA = 0°C 至 70°C dVOS/dT 输入失调电压漂移 PSRR 输入失调电压与电源电压间的 关系 (ΔVIO/ΔVS) VS=5 V 至 30 V VO1/ VO2 通道分离 f = 1 kHz 至 20kHz mV LM358 TA = 0°C 至 70°C 7 LM358A TA = 0°C 至 70°C 7 65 20 µV/°C 100 dB 120 dB 输入电压范围 VCM 共模电压范围 CMRR 共模抑制比 VS=5 V 至 30 V LM358 VS = 30 V LM358A VS=5 V 至 30 V LM358 VS = 30 V LM358A (V–) (V+) – 1.5 (V–) (V+) – 2 V TA = 0°C 至 70°C 65 VS = 5V 至 30V；VCM = 0V 80 dB 输入偏置电流 LM358 IB 输入偏置电流 VO = 1.4V LM358A LM358 IOS 输入失调电流 VO = 1.4V LM358A -20 TA = 0°C 至 70°C -250 –500 –15 TA = 0°C 至 70°C –100 –200 2 50 150 TA = 0°C 至 70°C 2 30 输入失调电流漂移 LM358A nA 75 TA = 0°C 至 70°C 10 dIOS/dT nA 300 TA = 0°C 至 70°C pA/°C 噪声 en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 40 开环电压增益 VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 2kΩ nV/√Hz 开环增益 AOL 25 TA = 0°C 至 70°C 100 V/mV 15 频率响应 GBW 增益带宽积 SR 压摆率 G = +1 0.7 MHz 0.3 V/µs 输出 VS = 30V；RL = 2kΩ VO 正电源轨 自电源轨的电压输出摆幅 4 TA = 0°C 至 70°C 2 VS = 30V；RL ≥ 10kΩ 负电源轨 VS = 5V；RL ≤ 10kΩ 5 TA = 0°C 至 70°C -20 VS = 15V；VO = 0V； VID = 1V IO 吸电流 VS = 15V；VO = 15V； VID = –1V TA = 0°C 至 70°C mA 20 5 12 VS = 10V；VO = VS / 2 短路电流 mV –60 VID = –1V；VO = 200mV ISC 20 -10 10 灌电流 V –30 LM358A TA = 0°C 至 70°C 输出电流 3 1.5 VS = 5V；RL ≥ 2kΩ 30 ±40 µA ±60 mA 电源 IQ (1) 12 每个放大器的静态电流 VO = 2.5V；IO = 0A VS = 30V；VO = 15V；IO = 0A TA = 0°C 至 70°C 350 600 500 1000 µA 除非另有说明，所有特性均在开环条件下以零共模输入电压测定。对于 LM358 和 LM358A，用于测试目的的最大 VS 为 30V。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn (2) ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 所有典型值均在 TA=25°C 下测得。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 13 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.8 电气特性：LM2904、LM2904V 在 VS = (V+) – (V–) = 5V，TA = 25°C 条件下测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 (2) 典型值 最大值 单位 失调电压 不带后缀 A 的器件 VOS VS = 5V 至最大值；VC M = 0V；VO = 1.4V 输入失调电压 A 后缀器件 dVOS/dT 输入失调电压漂移 PSRR 输入失调电压与电源电压间的关系 (ΔVIO/ΔVS) VO1/ VO2 通道分离 3 1 2 mV 4 TA = –40°C 至 125°C 7 TA = –40°C 至 125°C 65 VS=5 V 至 30 V 7 10 TA = –40°C 至 125°C f = 1 kHz 至 20kHz µV/°C 100 dB 120 dB 输入电压范围 VCM 共模电压范围 VS = 5V 至最大值 CMRR 共模抑制比 VS = 5V 至最大值；VCM = 0V TA = –40°C 至 125°C (V–) (V+) – 1.5 (V–) (V+) – 2 65 80 V dB 输入偏置电流 IB -20 VO = 1.4V 输入偏置电流 TA = –40°C 至 125°C 不带后缀 V 的器件 IOS VO = 1.4V 输入失调电流 带有 V 后缀 的器件 dIOS/dT 2 2 nA 50 300 TA = –40°C 至 125°C 50 nA 150 TA = –40°C 至 125°C TA = –40°C 至 125°C 输入失调电流漂移 -250 –500 10 pA/°C 40 nV/√Hz 噪声 en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 开环电压增益 VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 2kΩ 开环增益 AOL 25 TA = –40°C 至 125°C 100 V/mV 15 频率响应 GBW 增益带宽积 SR 压摆率 G = +1 0.7 MHz 0.3 V/µs 输出 RL ≥ 10kΩ 不带后缀 V 的 器件 VO 正电源轨 自电源轨的电压输出摆幅 带有 V 后缀的 器件 负电源轨 VS = 15V；VO = 0V；VID = 1V IO VS = 最大值；RL ≥ 10kΩ VS = 最大值；RL = 2kΩ 4 2 -20 TA = –40°C 至 125°C TA = –40°C 至 125°C 4 5 5 20 mA 20 5 30 不带后缀 V 的器件 12 带有 V 后缀的器件 mV –30 -10 10 VS = 10V；VO = VS / 2 短路电流 V 6 VS = 5V；RL ≤ 10kΩ TA = –40°C 至 125°C 吸电流 3 TA = –40°C 至 125°C VS = 最大值；RL ≥ 10kΩ VS = 15V；VO = 15V；VID = –1V 灌电流 输出电流 VID = -1V；VO = 200mV ISC VS – 1.5 VS = 最大值；RL = 2kΩ µA 40 ±40 ±60 mA 电源 IQ (1) (2) 14 每个放大器的静态电流 VO = 2.5V；IO = 0A VS = 最大值；VO = 最大值 / 2；IO = 0A TA = –40°C 至 125°C 350 600 500 1000 µA 除非另有说明，所有特性均在开环条件下以零共模输入电压测定。对于 LM2904，用于测试目的的最大 VS 为 26V，对于 LM2904V 则为 32V。 所有典型值均在 TA=25°C 下测得。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.9 电气特性：LM158、LM158A 在 VS = (V+) – (V–) = 5V，TA = 25°C 条件下测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 典型值(2) 最大值 3 5 单位 失调电压 LM158 VOS 输入失调电压 VS = 5V 至 30V；VC M = 0V；VO = 1.4V LM158A dVOS/dT 输入失调电压漂移 PSRR 输入失调电压与电源电压间的关系 (ΔVIO/ΔVS) VS=5 V 至 30 V VO1/ VO2 通道分离 f = 1 kHz 至 20kHz 7 TA = -55°C 至 125°C 2 mV 4 TA = -55°C 至 125°C LM158 TA = -55°C 至 125°C 7 LM158A TA = -55°C 至 125°C 7 65 15(3) µV/°C 100 dB 120 dB 输入电压范围 VCM CMRR 共模电压范围 VS=5 V 至 30 V LM158 VS = 30 V LM158A VS=5 V 至 30 V LM158 VS = 30 V LM158A (V+) – 1.5 (V–) (V+) – 2 V TA = -55°C 至 125°C 70 VS = 5V 至 30V；VCM = 0V 共模抑制比 (V–) 80 dB 输入偏置电流 LM158 IB 输入偏置电流 VO = 1.4V LM158A LM158 IOS 输入失调电流 VO = 1.4V LM158A dIOS/dT -20 TA = -55°C 至 125°C –150 –300 –15 TA = -55°C 至 125°C -50 –100 2 30 100 TA = -55°C 至 125°C 2 10 LM158A nA 30 TA = -55°C 至 125°C 10 输入失调电流漂移 nA 200 TA = -55°C 至 125°C pA/°C 噪声 en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 40 开环电压增益 VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 2kΩ nV/√Hz 开环增益 AOL 50 TA = -55°C 至 125°C 100 V/mV 25 频率响应 GBW 增益带宽积 SR 压摆率 G = +1 0.7 MHz 0.3 V/µs 输出 VS = 30V；RL = 2kΩ VO 正电源轨 自电源轨的电压输出摆幅 4 TA = -55°C 至 125°C 2 VS = 30V；RL ≥ 10kΩ 负电源轨 VS = 5V；RL ≤ 10kΩ 5 TA = -55°C 至 125°C -20 VS = 15V；VO = 0V；VID = 1V IO 吸电流 VS = 15V；VO = 15V；VID = – 灌电流 1V VID = –1V；VO = 200mV ISC 短路电流 VS = 10V；VO = VS / 2 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated V 20 mV –30 LM158A –60 TA = -55°C 至 125°C 输出电流 3 1.5 VS = 5V；RL ≥ 2kΩ 10 TA = -55°C 至 125°C mA -10 20 5 12 30 ±40 µA ±60 mA Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 15 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.9 电气特性：LM158、LM158A (continued) 在 VS = (V+) – (V–) = 5V，TA = 25°C 条件下测得（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 典型值(2) 最大值 单位 电源 IQ (1) (2) (3) 16 每个放大器的静态电流 VO = 2.5V；IO = 0A VS = 30V；VO = 15V；IO = 0A TA = -55°C 至 125°C 350 600 500 1000 µA 除非另有说明，所有特性均在开环条件下以零共模输入电压测定。对于 LM158 和 LM158A，用于测试目的的最大 VS 为 30V。 所有典型值均在 TA=25°C 下测得。 对于符合 MIL-PRF-38535 标准的产品，此参数未经量产测试。 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.10 电气特性：LM258、LM258A 在 VS = (V+) – (V–) = 5V，TA = 25°C 条件下（除非另有说明） 测试条件(1) 参数 最小值 典型值(2) 最大值 3 5 单位 失调电压 LM258 VOS 输入失调电压 VS = 5V 至 30V；VC M = 0V；VO = 1.4V LM258A LM258 dVOS/dT 输入失调电压漂移 PSRR 输入失调电压与电源电压间的关系 (ΔVIO/ΔVS) VS=5 V 至 30 V VO1/ VO2 通道分离 f = 1 kHz 至 20kHz LM258A 7 TA = -25°C 至 85°C 2 3 mV 4 TA = -25°C 至 85°C 7 TA = -25°C 至 85°C 7 65 15 µV/°C 100 dB 120 dB 输入电压范围 VCM 共模电压范围 CMRR VS=5 V 至 30 V LM258 VS = 30 V LM258A VS=5 V 至 30 V LM258 VS = 30 V LM258A (V+) – 1.5 (V–) (V+) – 2 V TA = -25°C 至 85°C 70 VS = 5V 至 30V；VCM = 0V 共模抑制比 (V–) 80 dB 输入偏置电流 LM258 IB 输入偏置电流 VO = 1.4V LM258A LM258 IOS 输入失调电流 VO = 1.4V LM258A dIOS/dT -20 TA = -25°C 至 85°C –150 –300 –15 TA = -25°C 至 85°C -80 –100 2 30 100 TA = -25°C 至 85°C 2 15 LM258A nA 30 TA = -25°C 至 85°C 10 输入失调电流漂移 nA 200 TA = -25°C 至 85°C pA/°C 噪声 en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 40 开环电压增益 VS = 15V；VO = 1V 至 11V；RL ≥ 2kΩ nV/√Hz 开环增益 AOL 50 TA = -25°C 至 85°C 100 V/mV 25 频率响应 GBW 增益带宽积 SR 压摆率 G = +1 0.7 MHz 0.3 V/µs 输出 VS = 30V；RL = 2kΩ VO 正电源轨 自电源轨的电压输出摆幅 4 TA = -25°C 至 85°C 2 VS = 30V；RL ≥ 10kΩ 负电源轨 VS = 5V；RL ≤ 10kΩ 5 TA = -25°C 至 85°C -20 VS = 15V；VO = 0V；VID = 1V IO 吸电流 VS = 15V；VO = 15V；VID = – 灌电流 1V mV TA = -25°C 至 85°C mA -10 10 20 5 12 VS = 10V；VO = VS / 2 短路电流 20 –60 VID = –1V；VO = 200mV ISC V –30 LM258A TA = -25°C 至 85°C 输出电流 3 1.5 VS = 5V；RL ≥ 2kΩ 30 ±40 µA ±60 mA 电源 IQ (1) 每个放大器的静态电流 VO = 2.5V；IO = 0A VS = 30V；VO = 15V；IO = 0A TA = -25°C 至 85°C 350 600 500 1000 µA 除非另有说明，所有特性均在开环条件下以零共模输入电压测定。对于 LM258 和 LM258A，用于测试目的的最大 VS 为 30V。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 17 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 (2) 所有典型值均在 TA=25°C 下测得。 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B 20 30 18 27 16 24 14 21 Amplifiers (%) Amplifiers (%) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 12 10 8 18 15 12 6 9 4 6 2 3 0 -1800 0 -1200 -600 0 600 Offset Voltage (µV) 1200 1800 0 DC11 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 Offset Voltage Drift (µV/°C) 500 450 300 150 -150 -450 -750 -40 100 -100 -300 -20 0 20 40 60 Temperature (°C) 80 100 -500 -18 120 60 70 80 60 70 50 60 40 50 30 40 20 30 10 20 0 10 Gain (dB) Phase (°) -20 18 Submit Document Feedback 12 17 DC10 G=1 G = 10 G = 100 G = 1000 G = –1 50 40 30 20 10 0 -10 0 -20 -10 -30 1M 图 6-5. 开环增益和相位与频率间的关系 Closed Lopp Voltage Gain (dB) 70 90 Phase ( ) Open Loop Voltage Gain (dB) 100 80 10k 100k Frequency (Hz) -6 0 6 Common-Mode Voltage (V) 图 6-4. 失调电压与共模电压间的关系 90 1k -12 DC10 图 6-3. 失调电压与温度间的关系 -10 DC12 图 6-2. 失调电压漂移分配 750 Offset Voltage (µV) Offset Voltage (µV) 图 6-1. 失调电压生产分配 2.25 2.5 2.75 1k D012 10k 100k Frequency (Hz) 1M D017 图 6-6. 闭环增益与频率间的关系 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 -5 120 IB+ IB– Input Offset Current (pA) 100 Input Bias Current (nA) -7.5 -10 -12.5 80 60 40 20 0 -20 -15 -20 -15 -10 -5 0 5 10 Common-Mode Voltage (V) 15 -40 -20 20 -15 15 20 DC3I 图 6-8. 输入失调电流与共模电压间的关系 -6 0.06 -7 0.045 Input Offset Current (nA) Input Bias Current (nA) 图 6-7. 输入偏置电流与共模电压间的关系 -8 -9 IB+ IB– -10 -10 -5 0 5 10 Common-Mode Voltage (V) DC3I 0.03 0.015 0 -0.015 -11 -12 -40 -10 20 50 Temperature (°C) 80 110 -0.03 -40 130 -10 20 50 Temperature (°C) DCIB 图 6-9. 输入偏置电流与温度间的关系 80 110 130 DCIO 图 6-10. 输入失调电流与温度间的关系 V+ (V–) + 18 V –40 C 25 C 125 C (V–) + 15 V Output Voltage (V) Output Voltage (V) (V+) – 3 V (V+) – 6 V (V–) + 12 V (V–) + 9 V (V–) + 6 V (V+) – 9 V –40 C 25 C 125 C (V–) + 3 V V– (V+) – 12 V 0 10 20 30 Output Current (mA) 40 图 6-11. 输出电压摆幅与输出电流（拉电流）间的关系 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated 50 DC13 0 5 10 15 20 25 Output Current (mA) 30 35 40 DC1- 图 6-12. 输出电压摆幅与输出电流（灌电流）间的关系 Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 19 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 100 120 90 PSRR and CMRR (dB) 80 Common-Mode Rejection Ratio (dB) PSRR+ PSRRCMRR 70 60 50 40 30 20 10 0 1k 10k 100k Frequency (Hz) 115 110 105 100 95 90 VS = 36V VS = 5V 85 -40 1M -10 图 6-13. CMRR 和 PSRR 与频率间的关系 80 110 130 DC2_ 图 6-14. 共模抑制比与温度间的关系 (dB) 1.6 -118 1.2 -119 0.8 Voltage (µV) Power Supply Rejection Ratio (dB) 20 50 Temperature (°C) D001 -120 -121 0.4 0 -0.4 -0.8 -1.2 -122 -1.6 -123 -40 -2 -20 0 20 40 60 80 Temperature (°C) 100 120 0 140 1 2 3 DC8_ 4 5 6 Time (s) 7 8 9 10 D011 VS=5 V 至 36 V 图 6-16. 0.1Hz 至 10Hz 噪声 100 -32 90 -40 80 -48 70 -56 THD+N (dB) Voltage Noise Spectral Density (nV/—Hz) 图 6-15. 电源抑制比与温度间的关系 (dB) 60 50 40 10 k 2k -64 -72 -80 -88 30 20 -96 10 -104 0 10 -112 100 1k Frequency (Hz) 10k 100k D010 100 1k Frequency (Hz) 10k D013 G = 1，f = 1kHz，BW = 80kHz， 图 6-17. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 VOUT = 10VPP，RL 连接到 V– 图 6-18. THD+N 比与频率间的关系，G = 1 20 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 -32 -30 10 k 2k -40 -48 -50 -56 -60 THD+N (dB) THD+N (dB) -40 -64 -72 -70 -80 -80 -90 -88 -100 -96 -110 -104 100 1k Frequency (Hz) 10 k 2k -120 0.001 10k 0.01 D014 0.1 Amplitude (VPP) 1 10 20 D015 G = –1，f = 1kHz，BW = 80kHz， G = 1，f = 1kHz，BW = 80kHz， VOUT = 10VPP，RL 连接到 V– RL（连接到 V–） 请参阅图 7-3 图 6-20. THD+N 比与输出振幅间的关系，G = 1 -20 460 -35 430 Quiescent Current (µA) THD+N (dB) 图 6-19. THD+N 比与频率间的关系，G = -1 -50 -65 -80 400 370 340 310 -95 10 k 2k 280 -110 0.001 0.01 0.1 Amplitude (VPP) 1 3 10 20 9 15 21 Supply Voltage (V) D016 27 33 36 DC_S G = –1，f = 1kHz，BW = 80kHz， RL（连接到 V–） 请参阅图 7-3 图 6-22. 静态电流与电源电压间的关系 图 6-21. THD+N 比与输出振幅间的关系，G = –1 540 500 VS = 36V VS = 5V Open Loop Output Impedance ( ) Quiescent Current per Amplifier (µA) 600 480 420 360 300 240 -40 -20 0 20 40 60 Temperature (°C) 80 图 6-23. 静态电流与温度间的关系 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated 100 120 DC4_ 400 300 200 100 1k 10k 100k Frequency (Hz) 1M D006 图 6-24. 开环输出阻抗与频率间的关系 Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 21 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 44 18 Overshoot (+) Overshoot (-) 36 14 32 12 28 24 20 10 8 6 16 4 12 2 0 40 8 0 40 80 Overshoot (+) Overshoot (–) 16 Overshoot (%) Overshoot (%) 40 120 160 200 240 Capacitance load (pF) 280 320 360 80 120 D019 160 200 240 Capacitance load (pF) 280 320 360 D020 G = –1，100mV 输出阶跃，RL = 开路 G = 1，100mV 输出阶跃，RL = 开路 图 6-26. 小信号过冲与容性负载间的关系 图 6-25. 小信号过冲与容性负载间的关系 60 20 Input Output 57 10 51 Voltage (V) Phase Margin (°) 54 48 45 42 39 0 -10 36 33 -20 30 0 40 80 120 160 200 240 Capacitance Load (pF) 280 320 0 360 200 D018 400 600 Time ( s) 800 1000 D021 G = -10 图 6-28. 过载恢复 10 7.5 7.5 5 5 Voltage (mV) Voltage (mV) 图 6-27. 相位裕度与容性负载间的关系 10 2.5 0 -2.5 -5 2.5 0 -2.5 -5 -7.5 -7.5 Input Output -10 Input Output -10 0 20 40 60 Time ( s) G = 1，RL = 开路 80 100 D022 0 20 40 60 80 Time ( s) 100 D023 G = –1，RL = 开路，RFB = 10KΩ 请参阅图 7-3 图 6-29. 小信号阶跃响应，G = 1 22 Submit Document Feedback 图 6-30. 小信号阶跃响应，G = –1 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 20 40 16 32 Output Delta from Final Value (mV) Output Delta from Final Value (mV) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 12 8 4 0 -4 -8 -12 -16 -20 24 16 8 0 -8 -16 -24 -32 -40 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Time ( s) 3.5 4 4.5 5 0 0.5 1 1.5 G = 1，RL = 开路 2.5 3 Time ( s) 3.5 4 4.5 5 D004 G = 1，RL = 开路 图 6-31. 大信号阶跃响应（上升） 图 6-32. 大信号阶跃响应（下降） 0.675 2.5 Output Input 2 Positive Negative 1.5 0.625 Slew Rate(V/ s) 1 Votlage (V) 2 D003 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 0.575 0.525 0.475 -2 -2.5 0 20 40 60 80 Time (µs) 0.425 -40 100 -25 -10 5 AC_S 20 35 50 65 Temp( C) 80 95 110 125 D009 G = 1，RL = 开路 图 6-34. 压摆率与温度间的关系 图 6-33. 大信号阶跃响应 Short-Circuit Current (mA) 40 20 Sinking Sourcing 0 -20 -40 -60 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 Temperature (°C) 80 95 110 125 DC7_ Maximum Output Voltage (V PP) 60 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1k 10k 100k Frequency (Hz) 1M D005 VS = 15 V 图 6-35. 短路电流与温度间的关系 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated 图 6-36. 最大输出电压与频率间的关系 Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 23 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.11 典型特性：LM358B 和 LM2904B (continued) 这个典型特性部分适用于 LM358B 和 LM2904B。此部分中的典型特性数据均在 TA = 25°C、VS = 36V (±18V)、VCM = VS / 2、RLOAD = 10kΩ（连接到 VS / 2）条件下获得（除非另有说明）。 90 -75 84 78 72 -95 EMIRR (dB) Channel Separation (dB) -85 -105 -115 66 60 54 48 42 -125 36 30 -135 1k 10k 100k Frequency (Hz) 图 6-37. 通道隔离与频率间的关系 24 Submit Document Feedback 24 1M 1M D008 10M 100M Frequency (Hz) 1G D007 图 6-38. EMIRR（电磁干扰抑制比）与频率间的关系 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.12 典型特性：LM158、LM158A、LM258、LM258A、LM358、LM358A、LM2904 和 LM2904V 该典型特性部分适用于 LM158、LM158A、LM258、LM258A、LM358、LM358A、LM2904 和 LM2904V。 20 0.36 18 0.34 –55C 0C 125C Supply Current (mA) Input Current (nAdc) 16 14 12 10 8 5Vdc 15Vdc 30Vdc 6 4 0.32 0.3 0.28 0.26 0.24 0.22 2 0 –55 –35 –15 5 45 25 65 Temperature (°C) 85 105 0.2 125 0 5 图 6-39. 输入电流与温度间的关系 30 100 CMRR 90 RL=20K RL=2K 140 80 120 70 100 CMRR (dB) Avol Voltage Gain (dB) 25 图 6-40. 电源电流与电源电压间的关系 160 80 60 60 50 40 30 40 20 20 10 0 0 0 5 10 15 20 25 30 V+ Supply Voltage (Vdc) 35 0.1 40 1 10 100 1000 Frequency (kHz) 图 6-41. 电压增益与电源电压间的关系 C001 图 6-42. 共模抑制比与频率间的关系 3.5 0.50 VOUT 3.0 0.45 Voltage (V) 2.5 Voltage (V) 10 15 20 Supply Voltage (Vdc) 2.0 1.5 0.40 0.35 0.30 1.0 0.5 0.25 0.0 0.20 VOUT 0 4 8 12 16 20 24 28 32 Time ( s) 图 6-43. 电压跟随器大信号脉冲响应 (50pF) Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated 36 40 C001 0 2 4 6 8 Time ( s) 10 C001 图 6-44. 电压跟随器小信号响应 (50pF) Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 25 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 6.12 典型特性：LM158、LM158A、LM258、LM258A、LM358、LM358A、LM2904 和 LM2904V (continued) 该典型特性部分适用于 LM158、LM158A、LM258、LM258A、LM358、LM358A、LM2904 和 LM2904V。 8 Output Voltage (Vdc) relative to Vcc 20 17.5 Output Swing (Vp-p) 15 12.5 10 7.5 5 2.5 0 1 10 100 Frequency (kHz) 7 6 5 4 3 2 1 0.001 1k 0.01 图 6-45. 最大输出摆幅与频率间的关系 (VCC = 15V) 10 100 图 6-46. 输出拉电流特性 90 10 5Vdc 15Vdc 30Vdc 80 Output Current (mAdc) Output Voltage (Vdc) 0.1 1 Output Sink Current (mAdc) 1 0.1 70 60 50 40 30 20 10 0.01 0.001 0 0.01 0.1 1 10 Output Sink Current (mAdc) 图 6-47. 输出灌电流特性 26 Submit Document Feedback 100 –55 –35 –15 5 45 25 65 Temperature (°C) 85 105 125 图 6-48. 拉电流限制 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 7 参数测量信息 900 Ω VCC+ VCC+ − VI VO + 100 Ω − VI = 0 V RS VCC− CL RL VO + VCC− 图 7-2. 噪声测试电路 图 7-1. 单位增益放大器 10 k
– +18V VIN + RL -18V GND GND 图 7-3. THD+N 和小信号阶跃响应的测试电路 (G = –1) Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 27 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 8 详细说明 8.1 概述 这些器件包含 2 个独立的高增益频率补偿运算放大器，专为在宽电压范围内使用单电源而设计。如果两个电源之 间的电压差在节 6.3 中规定的电源电压范围内且 VS 比输入共模电压至少高 1.5V，也可使用双电源供电运行。低 电源电流漏极与电源电压的幅度无关。 具体应用包括传感器放大器、直流放大块和所有传统运算放大器电路，现在均可在单电源电压系统中轻松实施。 例如，这些器件可直接由数字系统使用的标准 5V 电源供电，无需额外的 ±5V 电源即可轻松提供所需的接口电子 元件。 8.2 功能方框图：LM358B、LM358BA、LM2904B、LM2904BA 28 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 8.3 特性说明 8.3.1 单位增益带宽 单位增益带宽是具有单位增益的放大器可以工作而不会导致信号严重失真的最大频率。这些器件具有 1.2MHz 的 单位增益带宽（B 版本）。 8.3.2 压摆率 压摆率是运算放大器在输入发生变化时可以改变输出的速率。这些器件具有 0.5V/μs 的压摆率（B 版本）。 8.3.3 输入共模范围 有效的共模范围是从器件地到 VS – 1.5V（在整个温度范围内为 VS – 2V）。输入可能会超过 VS 直至最大 VS 而 不会损坏器件。至少一个输入必须在有效的输入共模范围内，才能使输出具有正确的相位。如果两个输入都超出 有效范围，则输出相位未定义。如果任一输入低于 V– 超过 0.3V，则输入电流应限制为 1mA，并且输出相位未 定义。 8.4 器件功能模式 这些器件会在连接电源时加电。该器件可根据应用情况作为单电源运算放大器或双电源放大器使用。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 29 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 9 应用和实现 备注 以下应用部分中的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件 是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。 9.1 应用信息 LMx58 和 LM2904 运算放大器适用于各种信号调节应用。可以在 VS 之前为输入供电，从而实现多电源电路的灵 活性。 9.2 典型应用 运算放大器的典型应用是反相放大器。该放大器在输入端接受正电压，然后使电压变为同样幅度的负电压。它还 会以相同的方式使负输入电压变为正电压。 RF RI Vsup+ VOUT VIN + Vsup- 图 9-1. 应用原理图 9.2.1 设计要求 选择的电源电压必须大于输入电压范围和输出范围。例如，此应用将 ±0.5V 的信号扩展到了 ±1.8V。将电源设置 在 ±12V 就足以满足此应用的要求。 9.2.2 详细设计过程 使用 方程式 1 和 方程式 2 来确定反相放大器需要的增益： AV VOUT VIN AV 1.8 0.5 (1) 3.6 (2) 确定所需增益后，选择 RI 或 RF 的阻值。[下标也应该固定在相应数字和公式上。]由于放大器电路使用毫安级电 流，因此通常需要选择千欧姆级阻值。这样可以确保该器件不会消耗过多电流。此示例使用的 RI 为 10kΩ，这意 味着对 RF 使用 36kΩ。这是由方程式 3 算出的。 AV 30 RF RI (3) Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 9.2.3 应用曲线 2 VIN 1.5 VOUT 1 Volts 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 -2 0 0.5 1 Time (ms) 1.5 2 图 9-2. 反相放大器的输入和输出电压 10 电源相关建议 CAUTION 大于推荐额定工作范围的电源电压可能会永久损坏器件（请参阅节 6.1）。 将 0.1µF 旁路电容器置于电源引脚附近，以减少从高噪声电源或高阻抗电源中耦合进来的误差。有关旁路电容器 放置的更多详细信息，请参阅节 11。 11 布局 11.1 布局指南 为了实现器件的最佳工作性能，应使用良好的 PCB 布局实践，包括： • 噪声可通过全部电路电源引脚以及运算放大器自身传入模拟电路。旁路电容用于通过为局部模拟电路提供低阻 抗电源，以降低耦合噪声。 – 在每个电源引脚和接地端之间接入低等效串联电阻 (ESR) 0.1µF 陶瓷旁路电容，并尽量靠近器件放置。从 V+ 到接地端之间的单个旁路电容适用于单电源应用。 • 将电路中的模拟部分和数字部分单独接地是最简单最有效的噪声抑制方法之一。通常将多层 PCB 中的一层或 多层专门作为接地层。接地层有助于散热和降低 EMI 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物理隔离，同 时应注意接地电流。 • 为了减少寄生耦合，请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些迹线不能保持分离状态，最好让敏感 走线与有噪声的走线垂直相交，而不是平行相交。 • 外部组件的位置应尽量靠近器件。使 RF 和 RG 接近反相输入可最大限度地减小寄生电容（如节 11.2 所示）。 • 尽可能缩短输入走线。切记：输入走线是电路中最敏感的部分。 • 考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。这样可显著减少附近走线在不同电势下产生的漏电流。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 31 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 11.2 布局示例 Place components close to device and to each other to reduce parasitic errors Run the input traces as far away from the supply lines as possible VS+ RF OUT1 V+ GND IN1í OUT2 VIN IN1+ IN2í Ví IN2+ RG GND R IN Only needed for dual-supply operation GND Use low-ESR, ceramic bypass capacitor VSí (or GND for single supply) Ground (GND) plane on another layer 图 11-1. 非反相配置的运算放大器电路板布局 RIN VIN + VOUT RG RF 图 11-2. 同相配置的运算放大器原理图 32 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 12 器件和文档支持 12.1 接收文档更新通知 要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更 改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。 12.2 支持资源 TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解 答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。 链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的《使用条款》。 12.3 商标 TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments. 所有商标均为其各自所有者的财产。 12.4 Electrostatic Discharge Caution This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage. ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications. 12.5 术语表 TI 术语表 本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。 Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA 33 LM158, LM158A, LM258, LM258A LM2904, LM2904B, LM2904BA, LM2904V LM358, LM358A, LM358B, LM358BA www.ti.com.cn ZHCSIT6AA – JUNE 1976 – REVISED MARCH 2022 13 机械、封装和可订购信息 以下页中包括机械、封装和可订购信息。这些信息是针对指定器件可提供的最新数据。数据如有变更，恕不另行 通知或修订此文档。如需获取此数据表的浏览器版本，请查看左侧的导航面板。 34 Submit Document Feedback Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: LM158 LM158A LM258 LM258A LM2904 LM2904B LM2904BA LM2904V LM358 LM358A LM358B LM358BA PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 2-Dec-2023 PACKAGING INFORMATION Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking (3) Samples (4/5) (6) 5962-87710012A ACTIVE LCCC FK 20 55 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 596287710012A LM158FKB 5962-8771001PA ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 8771001PA LM158 5962-87710022A ACTIVE LCCC FK 20 55 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 596287710022A LM158AFKB 5962-8771002PA ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 8771002PA LM158A LM158 MW8 ACTIVE WAFERSALE YS 0 1 RoHS & Green Call TI Level-1-NA-UNLIM -55 to 125 LM158AFKB ACTIVE LCCC FK 20 55 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 596287710022A LM158AFKB LM158AJG ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 LM158AJG Samples LM158AJGB ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 8771002PA LM158A Samples LM158FKB ACTIVE LCCC FK 20 55 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 596287710012A LM158FKB LM158JG ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 LM158JG Samples LM158JGB ACTIVE CDIP JG 8 50 Non-RoHS & Green SNPB N / A for Pkg Type -55 to 125 8771001PA LM158 Samples LM258ADGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN | NIPDAUAG Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 (M3L, M3P, M3S, M3 U) Samples LM258ADR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 LM258A Samples LM258AP ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU | SN N / A for Pkg Type -25 to 85 LM258AP Samples LM258APE4 ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type -25 to 85 LM258AP Samples Addendum-Page 1 Samples Samples Samples Samples Samples Samples Samples PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 2-Dec-2023 Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking (3) Samples (4/5) (6) LM258DGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN | NIPDAUAG Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 (M2L, M2P, M2S, M2 U) Samples LM258DR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 LM258 Samples LM258DRG3 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 LM258 LM258DRG4 ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -25 to 85 LM258 Samples LM258P ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU | SN N / A for Pkg Type -25 to 85 LM258P Samples LM258PE4 ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type -25 to 85 LM258P Samples LM2904AVQDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904AV Samples LM2904AVQDRG4 ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904AV Samples LM2904AVQPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904AV Samples LM2904AVQPWRG4 ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904AV Samples LM2904BAIDDFR ACTIVE SOT-23-THIN DDF 8 3000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 2904A Samples LM2904BAIDGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 28CB Samples LM2904BAIDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 2904BA Samples LM2904BAIPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 2904BA Samples LM2904BIDDFR ACTIVE SOT-23-THIN DDF 8 3000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 Samples LM2904BIDGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 28BB Samples LM2904BIDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904B Samples LM2904BIPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904B Samples LM2904DE4 NRND 75 TBD Call TI Call TI -40 to 125 LM2904DGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN | NIPDAUAG Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 (MBL, MBP, MBS, MB U) Samples LM2904DR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 LM2904 Samples LM2904DRE4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 LM2904 Addendum-Page 2 PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 2-Dec-2023 Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 LM2904 (3) Samples (4/5) (6) LM2904DRG3 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green LM2904DRG4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 LM2904 LM2904P ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU | SN N / A for Pkg Type -40 to 125 LM2904P Samples LM2904PE4 ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type -40 to 125 LM2904P Samples LM2904PSR LIFEBUY SO PS 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PSR-JF LIFEBUY SO PS 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PW LIFEBUY TSSOP PW 8 150 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PWR-JF LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PWRG3 LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PWRG4 LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904PWRG4-JF LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904 LM2904QDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 2904Q1 LM2904QDRG4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 2904Q1 LM2904VQDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904V Samples LM2904VQDRG4 ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904V Samples LM2904VQPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904V Samples LM2904VQPWRG4 ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 125 L2904V Samples Samples Samples LM358ADE4 NRND 75 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM358ADGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN | NIPDAUAG Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 (M6L, M6P, M6S, M6 U) Samples LM358ADR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358A Samples LM358ADRE4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358A LM358ADRG4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358A LM358AP ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU | SN N / A for Pkg Type 0 to 70 LM358AP Samples LM358APE4 ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type 0 to 70 LM358AP Samples Addendum-Page 3 PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 2-Dec-2023 Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking (3) Samples (4/5) (6) LM358APW LIFEBUY TSSOP PW 8 150 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358A LM358APWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358A LM358APWRG4 LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358A LM358BAIDDFR ACTIVE SOT-23-THIN DDF 8 3000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 358BA Samples LM358BAIDGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 28DB Samples LM358BAIDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 L358BA Samples LM358BAIPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 L358BA Samples LM358BIDDFR ACTIVE SOT-23-THIN DDF 8 3000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 LM358 Samples LM358BIDGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 358B Samples LM358BIDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 LM358B Samples LM358BIPWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 LM358B Samples LM358DGKR ACTIVE VSSOP DGK 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN | NIPDAUAG Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 (M5L, M5P, M5S, M5 U) Samples LM358DR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358 Samples LM358DRE4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358 LM358DRG3 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358 LM358DRG4 LIFEBUY SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM358 LM358P ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU | SN N / A for Pkg Type 0 to 70 LM358P LM358PE3 LIFEBUY PDIP P 8 50 RoHS & Non-Green SN N / A for Pkg Type 0 to 70 LM358P LM358PE4 ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type 0 to 70 LM358P LM358PS-JF LIFEBUY SO PS 8 80 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PSR LIFEBUY SO PS 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PSR-JF LIFEBUY SO PS 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PW LIFEBUY TSSOP PW 8 150 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PW-JF LIFEBUY TSSOP PW 8 150 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 Addendum-Page 4 Samples Samples Samples PACKAGE OPTION ADDENDUM www.ti.com 2-Dec-2023 Orderable Device Status (1) Package Type Package Pins Package Drawing Qty Eco Plan (2) Lead finish/ Ball material MSL Peak Temp Op Temp (°C) Device Marking (3) Samples (4/5) (6) LM358PWR ACTIVE TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PWR-JF LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU | SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PWRG3 LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PWRG4 LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 LM358PWRG4-JF LIFEBUY TSSOP PW 8 2000 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 L358 (1) The marketing status values are defined as follows: ACTIVE: Product device recommended for new designs. LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect. NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design. PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available. OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device. (2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may reference these types of products as "Pb-Free". RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption. Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of