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创作活动
2N3440

2N3440

  • 厂商:

    CDIL

  • 封装:

  • 描述:

    2N3440 - NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS - Continental Device India Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N3440 数据手册
Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer IS/ISO 9002 Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 700000 IS / IECQC 750100 NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS 2N3439 2N3440 TO-39 High Voltage Silicon Planar Transistors used in High Voltage & High Power Amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL 2N3439 VCEO 350 Collector -Emitter Voltage VCBO 450 Collector -Base Voltage VEBO 7.0 Emitter -Base Voltage IC 1.0 Collector Current Continuous IB 0.5 Base Current PD 1.0 Power Dissipation@ Ta=25 degC 5.7 Derate Above 25 deg C PD 5.0 Power Dissipation@ Tc=25 degC 28.6 Derate Above 25 deg C Tj, Tstg -65 to +200 Operating And Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Rth(j-a) 175 Junction to Ambient Rth(j-c) 35 Junction to Case ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION VCEO(sus)* IC=50mA,IB=0 Collector -Emitter Voltage ICBO VCB=360V, IE=0 Collector-Cut off Current VCB=250V, IE=0 ICEO VCE=300V, IB=0 VCE=200V, IB=0 ICEX VCE=450V,VBE=1.5V VCE=300V,VBE=1.5V IEBO VEB=6V, IC=0 Emitter-Cut off Current hFE* IC=2mA,VCE=10V DC Current Gain IC=20mA,VCE=10V IC=50mA,IB=4mA Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat)* VBE(Sat) * IC=50mA,IB=4mA Base Emitter Saturation Voltage 2N3440 250 300 UNITS V V V A A W mW/deg C W mW/deg C deg C deg C/W deg C/W 2N3439 >350
2N3440
1. 物料型号: - 型号:2N3439 和 2N3440,均为NPN型高压硅晶体管,封装为TO-39。

2. 器件简介: - 这些是高压硅平面晶体管,用于高压和高功率放大器应用。

3. 引脚分配: - PIN CONFIGURATION:1.发射极(EMITTER)2.基极(BASE)3.集电极(COLLECTOR)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C,除非另有说明): - 2N3439的集电极-发射极电压(VCEO)为350V,2N3440为250V。 - 集电极-基极电压(VCBO)分别为450V和300V。 - 发射极-基极电压(VEBO)2N3439为7.0V。 - 集电极连续电流(IC)为1.0A。 - 基极电流为0.5A。 - 功率耗散在25°C时为1.0W,2N3440为5.0W。 - 存储和工作结温范围为-65至+200°C。 - 热阻: - 结到环境(Rth(j-a))2N3439为175°C/W,结到外壳(Rth(j-c))为35°C/W。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管适用于高压和高功率放大器应用,具有较高的电压和功率特性,适用于需要这些参数的电路设计。

6. 封装信息: - TO-39金属封装,具体尺寸和引脚配置已在文档中提供。 - 包装细节:500 pcs/polybag,内盒尺寸3"x7.5"x7.5",外盒尺寸17"x15"x13.5",毛重40 kgs。
2N3440 价格&库存

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