BC450B

BC450B

  • 厂商:

    CDIL

  • 封装:

  • 描述:

    BC450B - PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS - Continental Device India Limited

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BC450B 数据手册
Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer IS/ISO 9002 Lic# QSC/L- 000019.2 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC 446, A, B BC 448, A, B BC 450, A, B TO-92 Plastic Package General Purpose High Voltage Transistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION MIN VCEO Collector Emitter Voltage 60 VCBO Collector Base Voltage 60 Emitter Base Voltage Collector Current Continuous Total Device Dissipation@ Ta=25ºC Derate Above 25ºC Total Device Dissipation@ Tc=25ºC Derate Above 25ºC Operating And Storage Junction Temperature Range THERMAL RESISTANCE Junction to ambient Junction to case Rth(j-a) Rth(j-c) 200 83.3 ºC/W ºC/W VEBO IC PD PD Tj, Tstg 5 300 625 5 1.5 12 -55 to +150 TYP 80 80 5 MAX 100 100 5 UNITS V V V mA mW mW/ ºC W mW/ ºC ºC Continental Device India Limited Data Sheet Page 1 of 4 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC 446, A, B BC 448, A, B BC 450, A, B TO-92 Plastic Package ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION MIN BVCEO * IC=1mA,IB=0 Collector Emitter BreakdownVoltage BC446 60 BC448 80 BC450 100 BVCBO IC=100uA, IE =0 Collector Base Breakdown Voltage BC446 60 BC448 80 BC450 100 BVEBO IE=10uA, IC=0 5 Emitter Base Breakdown Voltage ICBO Collector-Cut off Current BC446 BC448 BC450 DC Current Gain NON SUFFIX A B NON SUFFIX A B NON SUFFIX A B Collector Emitter Saturation Voltage Base Emitter Saturation Voltage Base Emitter On Voltage VCE(sat) IC=100mA,IB=10mA VBE(sat) VBE(on) IC=100mA,IB=10mA IC=2mA,VCE =5V IC=100mA,VCE =5V* hFE* IC=2mA,VCE=5V 50 120 180 50 100 160 50 60 90 VCB =40V, IE =0 VCB =60V, IE =0 VCB =80V, IE =0 TYP MAX UNITS V V V V V V V 100 100 100 nA nA nA 460 220 460 IC=2mA,VCE=5V IC=100mA,VCE=5V 0.25 0.85 0.55 0.70 1.2 V V V V DYNAMICS CHARACTERISTICS Transition Frequency fT IC=50mA, VCE=5V f=100MHz Pulse Test : Pulse width < 300µs, Duty Cycle
BC450B
1. 物料型号: - BC 446, A, B - BC 448, A, B - BC 450, A, B

2. 器件简介: - 这些是PNP硅平面外延晶体管,属于通用高电压晶体管,封装为TO-92塑料封装。

3. 引脚分配: - 根据TO-92封装的典型引脚排列,引脚分别为:集电极(C)、基极(B)、发射极(E)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-发射极电压(VCEO):60V至100V - 集电极-基极电压(VCBO):60V至100V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流连续(Ic):300mA - 总器件耗散功率@Ta-2°C(PD):625mW - 总器件耗散功率@Tc=25°C(PD):1.5W - 工作和存储结温范围(Tj,Tstg):-55°C至+150°C - 热阻: - 结到环境(Rth(ja)):200°C/W - 结到封装(Rth(ja)):83.3°C/W

5. 功能详解: - 这些晶体管具有不同的集电极-发射极击穿电压(BVcEo),分别为60V、80V和100V,适用于不同的电压应用场景。 - 直流电流增益(hFE)在不同配置下有不同的范围,例如在Ic=2mA, VcE=5V时,范围为50至460。 - 集电极-发射极饱和电压(VcE(sat))在Ic=100mA, Ig=10mA时为0.25V。 - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat))在相同条件下为0.85V。 - 基极-发射极导通电压(VBE(on))在Ic=2mA, VcE=5V时为0.55V至0.70V。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于需要高电压和高电流增益的应用,如放大器、开关等。

7. 封装信息: - 采用TO-92塑料封装,具体尺寸和封装细节在文档中有详细描述。
BC450B 价格&库存

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