BZT52C15V

厂商：
CDIL
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BZT52C15V - SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C 4V7 to 39V SOD-123 PLASTIC PACKAGE Marking: As Indicated below with Cathode Band ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION Forward Voltage Drop @ IF 10mA Power Dissipation @ 25ºC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-WaveSuperimposed on Rated Load Operating Junction and Storage Temperature Range SYMBOL VF *PD **IFSM Tj VALUE 0.9 410 2.0 - 55 to +150 UNIT V mW A °C 2 * Mounted on 5.0mm ( 0.13mm thick) land areas ** Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C unless specified otherwise) VF @ 10mA

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BZT52C15V

1. 物料型号： - 型号为BZT52C系列，电压范围从4V7到39V。

2. 器件简介： - 该器件为表面贴装硅齐纳二极管，采用SOD-123塑料封装。

3. 引脚分配： - 阴极通过带子标记。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：正向电压降@I 10mA为0.9V，功率耗散@25°C为410mW，峰值正向浪涌电流为2.0A（8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上），工作结和存储温度范围为-55至+150°C。 - 电气特性（Ta=25°C）包括齐纳电压Vz@IzT、齐纳阻抗、反向漏电流等。

5. 功能详解： - 该系列二极管在不同的电压下具有不同的参数，例如BZT52C 4V7的齐纳电压为4.47V至4.94V，齐纳阻抗为78欧姆，反向漏电流最大为500μA。

6. 应用信息： - 该器件符合RoHS标准，客户应根据所在国家的环境法规进行处理。

7. 封装信息： - 封装为SOD-123塑料封装，详细尺寸包括A、B、C、D、E和F，所有尺寸单位为毫米。

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