BZT52C22

厂商：
CDIL
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BZT52C22 - SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C 4V7 to 39V SOD-123 PLASTIC PACKAGE Marking: As Indicated below with Cathode Band ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION Forward Voltage Drop @ IF 10mA Power Dissipation @ 25ºC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-WaveSuperimposed on Rated Load Operating Junction and Storage Temperature Range SYMBOL VF *PD **IFSM Tj VALUE 0.9 410 2.0 - 55 to +150 UNIT V mW A °C 2 * Mounted on 5.0mm ( 0.13mm thick) land areas ** Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C unless specified otherwise) VF @ 10mA

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BZT52C22

1. 物料型号： - 型号为BZT52C，电压范围从4V7到39V。

2. 器件简介： - 该器件为表面贴装硅齐纳二极管，采用SOD-123塑料封装。

3. 引脚分配： - 阴极通过带子标记。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：正向电压降@I 10mA为0.9V，功率耗散@25°C为410mW，峰值正向浪涌电流为2.0A（8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上），工作结和存储温度范围为-55至+150°C。 - 电气特性（Ta=25°C）：在10mA下，正向电压降<0.9V。

5. 功能详解： - 该器件为齐纳二极管，具有稳定的反向击穿电压，用于过压保护、电压调节和参考电压源。

6. 应用信息： - 应用包括电路保护、电压稳定和信号处理。

7. 封装信息： - 封装类型为SOD-123塑料封装，具体尺寸参数如下： - A: 1.55-1.65mm - B: 0.5-0.6mm - C: 3.7-3.9mm - D: 2.6-2.7mm - E: 1.05-1.15mm - F: 0.127-0.135mm

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