BZT52C30S

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CDIL
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BZT52C30S - SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C 4V3S to 39S SOD-323 PLASTIC PACKAGE Marking: As Indicated below with Cathode Band SYMBOL VF *PD **IFSM Tj VALUE 0.9 200 2.0 - 55 to +150 UNIT V mW A °C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION Maximum Forward Voltage Drop @ IF= 10mA Power Dissipation @ 25ºC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-WaveSuperimposed on Rated Load Operating Junction and Storage Temperature Range * Mounted on 5.0mm2 ( 0.13mm thick) land areas ** Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C unless specified otherwise) Zener Voltage Device # min 4.09 4.47 4.85 5.32 5.89 6.46 7.13 7.79 8.65 9.50 10.45 11.40 12.35 14.25 15.20 17.10 19.00 20.90 22.80 25.65 28.50 31.35 34.20 37.05 VZ @ IZT (V) max 4.52 4.94 5.36 5.88 6.51 7.14 7.88 8.61 9.56 10.50 11.55 12.60 13.65 15.75 16.80 18.90 21.00 23.10 25.20 28.35 31.50 34.65 37.80 40.95 VF @ 10mA

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BZT52C30S

1. 物料型号： - 型号为BZT52C 4V3S至BZT52C 39S，封装为SOD-323塑料封装。

2. 器件简介： - 这是一系列表面贴装硅齐纳二极管，符合ISO/TS 16949、ISO 9001和ISO 14001认证，用于电压稳定和过压保护。

3. 引脚分配： - 阴极通过带状标记来标识。

4. 参数特性： - 最大正向电压降：0.9V（在10mA时） - 功率耗散：200mW（在25°C时） - 峰值正向浪涌电流：2.0A（8.3ms单半正弦波，叠加在额定负载上） - 工作和存储结温范围：-55至+150°C

5. 功能详解： - 齐纳二极管在反向偏置下工作，用于维持恒定电压，防止电压过高。

6. 应用信息： - 这些二极管适用于电压稳定和过压保护的应用场合，不推荐用于生命维持/支持设备或系统。

7. 封装信息： - SOD-323封装的详细尺寸如下： - A尺寸：最小1.15mm，最大1.35mm - B尺寸：最小0.25mm，最大0.40mm - C尺寸：最小2.30mm，最大2.80mm - D尺寸：最小1.60mm，最大1.80mm - E尺寸：最小0.80mm，最大1.10mm - F尺寸：0.00mm至0.15mm

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