BZT52C8V2S

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CDIL
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BZT52C8V2S - SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C 4V3S to 39S SOD-323 PLASTIC PACKAGE Marking: As Indicated below with Cathode Band SYMBOL VF *PD **IFSM Tj VALUE 0.9 200 2.0 - 55 to +150 UNIT V mW A °C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION Maximum Forward Voltage Drop @ IF= 10mA Power Dissipation @ 25ºC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-WaveSuperimposed on Rated Load Operating Junction and Storage Temperature Range * Mounted on 5.0mm2 ( 0.13mm thick) land areas ** Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C unless specified otherwise) Zener Voltage Device # min 4.09 4.47 4.85 5.32 5.89 6.46 7.13 7.79 8.65 9.50 10.45 11.40 12.35 14.25 15.20 17.10 19.00 20.90 22.80 25.65 28.50 31.35 34.20 37.05 VZ @ IZT (V) max 4.52 4.94 5.36 5.88 6.51 7.14 7.88 8.61 9.56 10.50 11.55 12.60 13.65 15.75 16.80 18.90 21.00 23.10 25.20 28.35 31.50 34.65 37.80 40.95 VF @ 10mA

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BZT52C8V2S

物料型号： - BZT52C系列，包括4V3S至39S型号。

器件简介： - 该系列是表面贴装的硅稳压二极管，采用SOD-323塑料封装。

引脚分配： - SOD-323封装的尺寸参数最小和最大值如下： - A: 1.15mm至1.35mm - B: 0.25mm至0.40mm - C: 2.30mm至2.80mm - D: 1.60mm至1.80mm - E: 0.80mm至1.10mm - F: 0.00mm至0.15mm - 阴极由带标记。

参数特性： - 最大正向电压降（@ Iz 10mA）：0.9V - 功率耗散（@ 25°C）：200mW - 峰值正向浪涌电流（8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上）：2.0A - 工作结和储存温度范围：-55至+150°C

功能详解： - 详细列出了不同型号的稳压电压（Zener Voltage）、稳压阻抗（Zener Impedance）、反向漏电流（Reverse Leakage Current）等参数。

应用信息： - 该系列产品适用于需要稳压功能的电子设备，具体应用需根据具体型号的参数选择。

封装信息： - SOD-323塑料封装，所有尺寸单位为毫米。

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