BZX83C8V2

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BZX83C8V2 - SILIICON PLANAR ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer IS/ISO 9002 Lic# QSC/L-000019.3 SILIICON PLANAR ZENER DIODES BZX83C 2V7 to 56V 500mW DO- 35 Glass Axial Package Best suited for Industrial, Military and Space Applications. The glass passivated diode chip in the hermetically sealed glass package with double studs provides excellent stability and reliability. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) DESCRIPTION Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Thermal Resistance - Junction to Ambient in free air SYMBOL PTA Tj Tstg Rth(j-a) VALUE 500 175 - 55 to +175 300 UNIT mW °C °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C unless specified otherwise) Forward Voltage @ IF=200mA Device VZT @ IZT* min (V) 2.50 2.80 3.10 3.40 3.70 4.00 4.40 4.80 5.20 5.80 6.40 7.00 7.70 8.50 9.40 10.40 11.40 12.40 13.80 15.30 16.80 18.80 20.80 22.80 25.10 max (V) 2.90 3.20 3.50 3.80 4.10 4.60 5.00 5.40 6.00 6.60 7.20 7.90 8.70 9.60 10.60 11.60 12.70 14.10 15.60 17.10 19.10 21.20 23.30 25.60 28.90 rZT @ IZT* max (Ω ) 90 90 90 90 90 80 80 60 40 10 8 7 7 10 15 20 20 25 30 40 55 55 58 80 80 VF < 1.2 V IZT rZK @ IZK max (Ω ) 600 600 600 600 600 600 600 550 450 200 150 50 50 50 70 70 90 110 110 170 170 220 220 220 250 IZK Temp. Coeff of Zener Voltage typ (%/°C) -0.07 -0.07 -0.06 -0.06 -0.05 -0.03 -0.01 +0.01 +0.03 +0.04 +0.05 +0.05 +0.06 +0.06 +0.07 +0.07 +0.07 +0.07 +0.08 +0.08 +0.08 +0.08 +0.08 +0.08 +0.09 IR @ Ta 25°C max (µ A) 100 60 30 20 10 5 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 VR IZM BZX83C 2V7 BZX83C 3V0 BZX83C 3V3 BZX83C 3V6 BZX83C 3V9 BZX83C 4V3 BZX83C 4V7 BZX83C 5V1 BZX83C 5V6 BZX83C 6V2 BZX83C 6V8 BZX83C 7V5 BZX83C 8V2 BZX83C 9V1 BZX83C 10 BZX83C 11 BZX83C 12 BZX83C 13 BZX83C 15 BZX83C 16 BZX83C 18 BZX83C 20 BZX83C 22 BZX83C 24 BZX83C 27 (mA) 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 (mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 (V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 3.0 3.5 4.0 5.0 6.0 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 max (mA) 135 125 115 105 95 90 85 75 70 64 58 53 47 43 40 36 32 29 27 24 21 20 18 16 14 *Pulse Condition : 20ms < tp

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BZX83C8V2

1. 物料型号： - 型号为BZX83C系列，电压范围从2.7V至56V，均为500mW的硅平面稳压二极管。

2. 器件简介： - 这些器件是专为工业、军事和太空应用设计的玻璃轴向封装的稳压二极管。玻璃钝化二极管芯片在密封的玻璃封装中具有双引脚，提供出色的稳定性和可靠性。

3. 引脚分配： - 阴极通过带子标记。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括功率耗散（500mW）和结温（-55至+175°C）。 - 电气特性包括在25°C时的正向电压、Zener电压、动态电阻、正向电流、温度系数等参数。

5. 功能详解： - 这些稳压二极管用于稳定电压，防止电压过高造成的损害。

6. 应用信息： - 适用于需要电压稳定和保护的电路，特别是在工业、军事和太空领域。

7. 封装信息： - 封装为DO-35玻璃轴向封装，提供了详细的尺寸参数和包装规格，包括52mm胶带包装和弹药包装的详细说明。

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