### 物料型号
- 型号:CMBA857
- 封装:SOT23
### 器件简介
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR,即PNP型外延平面硅晶体管,是一种双极型晶体管,用于放大或开关应用。
### 引脚分配
SOT23封装通常有3个引脚,分别为:
1. 基极(B)
2. 发射极(E)
3. 集电极(C)
### 参数特性
- Collector-Base Voltage (VCBO):60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO):50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO):6V,IC=6.0mA
- Collector Current (IC):200mA
- Collector Power Dissipation:200mW
- Junction Temperature (Tj):125°C
- Storage Temperature (Tstg):-55 to +125°C
### 功能详解
该晶体管具有以下电气特性:
- Collector-Emitter Voltage (VCEO):在IC=100uA, IB=0条件下,最小值为50V。
- Collector Cut off Current (ICBO):在VCB=60V, IE=0条件下,最小值为100nA。
- Emitter Cut off Current (IEBO):在VEB=6V, IC=0条件下,最小值为100nA。
- DC Current Gain (hFE):在IC=1mA, VCE=6V条件下,范围为150至500。
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(Sat)):在IC=100mA, IB=10mA条件下,为0.30V。
- Base-Emitter Saturation Voltage (VBE(Sat)):在IC=100mA, IB=10mA条件下,为1.0V。
- Transition Frequency (ft):在VCE=6V, IC=10mA条件下,为200MHz。
- Collector Output Capacitance (Cob):在VCB=6V, IE=0条件下,为4.0pF。
### 应用信息
该晶体管适用于需要PNP型晶体管的放大或开关应用,具体应用需根据其电气特性和封装选择。
### 封装信息
- 封装类型:SOT-23
- 包装信息:
- 330mm卷带包含至少10,000个器件。
- 180mm卷带包含至少3,000个器件。
- 330mm卷带空位不超过0.5%,50个空位。
- 180mm卷带空位不超过0.5%,15个空位。
- 卷带开始至少有75个空位(相当于330mm)。
- 卷带结尾至少有40个空位(相当于160mm)。