CMBZ5242B

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CDIL
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描述：
CMBZ5242B - SILIICON PLANAR ZENER DIODES - Continental Device India Limited

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Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILIICON PLANAR ZENER DIODES 3 3 CMBZ5229B to CMBZ5261B 4.3V to 47V Pin Configuration 1 = ANODE 2 = NC 3 = CATHODE SOT-23 Formed SMD Package 2 1 1 2 Low voltage general purpose voltage regulator diodes. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) DESCRIPTION Working Voltage Range Working Voltage Tolerance Power Dissipation upto Ta=25ºC Derate Above 25ºC Thermal Resistance Junction to Ambient Power Dissipation upto Ta=25ºC Derate Above 25ºC Thermal Resistance Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature Rth (j-a) Tj Tstg Rth (j-a) **Ptot *Ptot SYMBOL VZ VALUE 4.3 to 47 +5 300 2.4 417 225 1.8 556 150 - 55 to +150 UNIT V % mW mW/ºC °C/mW mW mW/ºC °C/mW °C °C * Device mounted on a ceramic alumina of 8mm x 10mm x 0.7 mm ** Device mounted on an FR5 printed - circuit board Forward Voltage at IF=10mA VF < 0.9 V & VF at 200mA

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CMBZ5242B

1. 物料型号： - 型号范围从CMBZ5229B到CMBZ5261B，涵盖了4.3V至47V的工作电压。

2. 器件简介： - 这些是低电压通用电压调节二极管，采用SOT-23成型表面贴装封装。

3. 引脚分配： - SOT-23封装通常有3个引脚，分别是阴极（Cathode）、阳极（Anode）和测试引脚（Test）。

4. 参数特性： - 工作电压范围：4.3V至47V。 - 工作电压公差：±5%。 - 25°C时的功率耗散：Ptot为300mW，Ptol为225mW。 - 25°C以上的功率耗散递减率：2.4mW/°C和1.8mW/°C。 - 结到环境的热阻：Rt(-a)为417°C/mW，Rih(-a)为556°C/mW。 - 结温：150°C。 - 储存温度：-55°C至+150°C。

5. 功能详解： - 这些齐纳二极管主要用于低电压应用中的电压调节，具有稳定的电压参考特性。

6. 应用信息： - 适用于需要电压稳定和保护的低电压电路。

7. 封装信息： - 采用SOT-23封装，具体包装信息包括330mm卷轴至少包含10,000个器件，180mm卷轴至少包含3,000个器件。卷轴规格和包装细节在文档中有详细描述。

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