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CSA673D

CSA673D

  • 厂商:

    CDIL

  • 封装:

  • 描述:

    CSA673D - PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS - Continental Device India Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSA673D 数据手册
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSA673 CSA673A TO-92 Plastic Package Complementary CSC1213 and CSC1213A Low Frequency Amplifier, Medium Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION Collector Emitter Voltage Collector Base Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Operating And Storage Junction Temperature Range SYMBOL VCEO VCBO VEBO IC PC Tj, Tstg CSA673 35 35 4 500 400 -55 to +150 CSA673A 50 50 4 500 400 -55 to +150 UNIT V V V mA mW ºC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTION Collector Emitter Voltage Collector Base Voltage Emitter Base Voltage Collector Cut off Current Collector Emitter Saturation Voltage DC Current Gain Base Emitter Voltage Classification hFE* **Pulse Test SYMBOL TEST CONDITION BVCEO VCBO VEBO ICBO VCE(sat) ** hFE* VBE IC=1mA, IB=0 IC=10µA, IE=0 IE=10µA, IC=0 VCB=20V, IE = 0 IC=150mA, IB=15mA VCE=3V, IC=10mA VCE=3V, IC=500mA ** VCE=3V, IC=10mA B 60 - 120 CSA673 >35 >35 >4 50 >50 >4
CSA673D
1. 物料型号: - 型号为CSC673和CSC673A。

2. 器件简介: - 这些是PNP硅平面外延晶体管,用于低频放大和中速开关,与CSC1213和CSC1213A互补。

3. 引脚分配: - PIN CONFIGURATION: 1. BASE (基极) 2. COLLECTOR (集电极) 3. EMITTER (发射极)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-发射极电压 VCEO:35V/50V - 集电极-基极电压 VCBO:35V/50V - 发射极-基极电压 VEBO:4V/4V - 集电极电流 IC:500mA/500mA - 集电极功率耗散 PC:400mW/400mW - 工作和存储结温 Tj, Tstg:-55 to +150ºC - 温度范围 - 电气特性: - 集电极-发射极电压 BVCEO:IC=1mA, IB=0时 >35V/>50V - 集电极截止电流 ICBO:VCB=20V, IE=0时 <500nA/<500nA - 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat):IC=150mA, IB=15mA时 <0.6V/<0.6V - DC电流增益 hFE:VCE=3V, IC=10mA时 60 - 320/60 - 320 - 基极-发射极电压 VBE:VCE=3V, IC=10mA时典型值为0.64V/0.64V

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于低频放大和中速开关应用,具体功能包括信号放大和控制。

6. 应用信息: - 适用于需要低频放大和中速开关的电子电路。

7. 封装信息: - 封装为TO-92塑料封装。
CSA673D 价格&库存

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