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CSC1008

CSC1008

  • 厂商:

    CDIL

  • 封装:

  • 描述:

    CSC1008 - NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS - Continental Device India Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSC1008 数据手册
Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer IS/ISO 9002 Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 700000 IS / IECQC 750100 NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPN CSA708 PNP TO-92 CBE Low Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION Collector -Base Voltage Collector -Emitter Voltage Emitter -Base Voltage Collector Current Collector Dissipation Operating And Storage Junction Temperature Range SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj, Tstg VALUE 80 60 8.0 700 800 -55 to +150 UNIT V V V mA mW deg C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION CSC1008 VCBO IC=100uA.IE=0 >80 Collector -Base Voltage VCEO IC=10mA,IB=0 >60 Collector -Emitter Voltage VEBO IE=100uA, IC=0 >8.0 Emitter-Base Voltage ICBO VCB=60V, IE=0
CSC1008
1. 物料型号: - CSC1008:NPN型晶体管。 - CSA708:PNP型晶体管。

2. 器件简介: - 这两种型号的晶体管均为低频放大器用,采用TO-92封装。

3. 引脚分配: - 引脚1:Collector(集电极) - 引脚2:Base(基极) - 引脚3:Emitter(发射极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):80V - 集电极-发射极电压(VCEO):60V - 发射极-基极电压(VE):8.0V - 集电极电流(IC):700mA - 集电极耗散功率(PC):800mW - 工作和存储结温范围(Tj, Tstg):-55至+150°C - 电学特性: - 集电极-基极电压(VCBO):大于80V - 集电极-发射极电压(VCEO):大于60V - 发射极-基极电压(VEBO):大于8.0V - 集电极截止电流(ICBO):小于100nA - 发射极截止电流(IEBO):小于100nA - DC电流增益(hFE):CSC1008为40-400,CSA708为40-240 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(Sat)):CSC1008小于0.4V,CSA708小于0.7V - 过渡频率:CSC1008大于30MHz,CSA708典型值为50MHz - 输出电容(Cob):CSC1008典型值为8pF,CSA708典型值为13pF

5. 功能详解: - 这些晶体管适用于低频放大应用,具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于一般放大电路。

6. 应用信息: - 适用于一般低频放大器,不适用于生命维持或支持设备。

7. 封装信息: - TO-92塑料封装,具体尺寸和公差已在文档中详细列出。
CSC1008 价格&库存

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