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CSC1009O

CSC1009O

  • 厂商:

    CDIL

  • 封装:

  • 描述:

    CSC1009O - PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS - Continental Device India Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSC1009O 数据手册
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSA709 PNP CSC1009 NPN TO-92 CBE High Voltage Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C ) DESCRIPTION SYMBOL CSA709 CSC1009 VCBO 160 160 Collector -Base Voltage VCEO 150 140 Collector -Emitter Voltage VEBO 8.0 8.0 Emitter -Base Voltage IC 700 700 Collector Current PC 800 800 Collector Dissipation Tj, Tstg -55 to +150 -55 to +150 Operating And Storage Junction Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION CSA709 CSC1009 VCBO IC=100uA.IE=0 >160 >160 Collector -Base Voltage VCEO IC=10mA,IB=0 >150 >140 Collector -Emitter Voltage VEBO IE=100uA, IC=0 >8.0 >8.0 Emitter-Base Voltage ICBO VCB=60V, IE=0
CSC1009O
1. 物料型号: - PNP型号:CSA709 - NPN型号:CSC1009

2. 器件简介: - 该文档描述的是PNP/NPN型的外延平面硅晶体管,具体型号为CSA709(PNP)和CSC1009(NPN),适用于高压放大器。

3. 引脚分配: - 1. 集电极(Collector) - 2. 基极(Base) - 3. 发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):160V(CSA709),160V(CSC1009) - 集电极-发射极电压(VCEO):150V(CSA709),140V(CSC1009) - 发射极-基极电压(VEBO):8.0V - 集电极电流(IC):700mA - 集电极耗散(PC):800mW - 工作和存储结温范围(Tj, Tstg):-55到+150°C

5. 功能详解: - 电气特性(Ta=25°C,除非另有说明): - 集电极-基极电压(VCBO):在IC=100μA,IE=0时测试 - 集电极-发射极电压(VCEO):在IC=10mA,IB=0时测试 - 发射极-基极电压(VEBO):在IE=100μA,IC=0时测试 - 集电极截止电流 - 发射极截止电流 - DC电流增益 - 集电极-发射极饱和电压 - 基极-发射极饱和电压 - 输出电容

6. 应用信息: - 该晶体管适用于高压放大器应用。

7. 封装信息: - 封装类型:TO-92塑料封装 - 尺寸和公差信息详细列出了封装的各个尺寸参数,如体宽、体高、体厚、引脚间距等。
CSC1009O 价格&库存

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