### 物料型号
- 型号:NE3509M04
### 器件简介
- 描述:NE3509M04是一款N-CHANNEL HJ-FET(异质结场效应晶体管),用作L到S波段的低噪声放大器。
- 特点:超低噪声系数(典型值0.4dB)和相关增益(典型值17.5dB @ 2GHz, VDS=2V, ID=10mA)。
### 引脚分配
- 引脚1(Pin1):源极(Source)
- 引脚2(Pin2):漏极(Drain)
### 参数特性
- 最大额定值:
- 漏源电压(VDS):0.4V
- 栅源电压(VGS):0.3V
- 总功率耗散(Ptot):0.5W
- 工作温度范围(Tstg):-65°C至+150°C
- 推荐工作条件:
- 漏源电压(VDS):2V至3V
- 漏极电流(ID):10mA至20mA
- 输入功率(Pin):0dBm
### 功能详解
- 电气特性:
- 栅源漏电流(IGSO):0.5μA至10μA
- 饱和漏电流(IDSS):30mA至60mA
- 栅源截止电压(VGS(off)):-0.35V至-0.65V
- 跨导(gm):80mS(VDS=2V, ID=10mA)
- 噪声系数(NF):0.4dB(VDS=2V, ID=10mA, f=2GHz)
- 相关增益(Ga):14.5dB至17.5dB
- 1dB增益压缩点输出功率(Po(1dB)):11dBm
### 应用信息
- 应用领域:
- 卫星无线电(SDARS, DMB等)天线低噪声放大器
- GPS天线低噪声放大器
- 微波通信系统低噪声放大器
### 封装信息
- 封装类型:Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (M04) 封装,无铅(Pb-Free)。