物料型号:NESG2030M04
器件简介:NPN SiGe高频晶体管,使用NEC的SiGe工艺制造,适用于100MHz至10GHz以上的应用,具有低噪声和高最大稳定增益。
引脚分配:1. Emitter 2. Collector 3. Emitter 4. Base
参数特性:过渡频率60 GHz,低噪声系数0.9 dBm(2 GHz时),最大稳定增益20 dB(2 GHz时),新低轮廓M04封装,仅0.59 mm高,平坦的引脚样式提供更好的射频性能。
功能详解:适用于低电压/低电流性能优越的场合,理想用于移动通信系统中所有LNA和振荡器要求。
应用信息:便携式无线应用的理想选择,如移动通信系统。
封装信息:SOT-343平面引脚样式,以获得更好的射频性能。
NESG2030M04是NEC公司制造的一款NPN型SiGe高频晶体管,适用于广泛的射频应用。
它采用先进的SiGe工艺技术,具有60GHz的典型转换频率,能够在100MHz至超过10GHz的频率范围内工作。
这款晶体管的直流电流输入最大为35mA,提供了从250μA到25mA的可用电流范围。
它特别适合低电压和低电流的应用场景。
NESG2030M04的噪声系数在2GHz时为0.9dB,这使得它在低噪声应用中非常有用。
此外,它的最大稳定增益在2GHz时为20dB,这表明它能够在保持信号质量的同时提供显著的增益。
这款晶体管采用了新的低轮廓M04封装,这种封装的特点是高度仅为0.59mm,并且采用平面引脚样式,有助于提高射频性能。
它非常适合用于便携式无线设备,如移动通信系统中的低噪声放大器(LNA)和振荡器。
NESG2030M04的封装细节包括四个引脚,其中1号和3号引脚为发射极,2号引脚为集电极,4号引脚为基极。
它的热阻从结到外壳的热阻为150°C/W,这有助于在高功率应用中保持稳定的性能。
NESG2030M04的订购信息包括含铅和无铅版本,分别以不同的后缀标记。
含铅版本的型号为NESG2030M04和NESG2030M04-T2,而无铅版本则为NESG2030M04-A和NESG2030M04-T2-A。
NESG2030M04的绝对最大额定值包括8.0V的集电极到基极电压(VCBO),2.3V的集电极到发射极电压(VCEO),1.2V的发射极到基极电压(VEBO),35mA的集电极电流(Ic),80mW的总功率耗散(Pr2),150°C的结温(TJ),以及-65至+150°C的存储温度(TSTG)。
NESG2030M04的典型性能曲线包括集电极电流与集电极到发射极电压的关系,增益带宽与集电极电流的关系,以及热阻等。
此外,还提供了在不同频率下的噪声参数,包括最小噪声系数(NFMIN),关联增益(GA),最佳工作电流(IOPT),以及输入和输出反射系数(Rn/50)。
NESG2030M04的外形尺寸为M04扁平引脚4引脚超小型封装,具体尺寸数据在文档中有详细说明。
此外,还提供了NESG2030M04在不同偏置条件下的典型散射参数,这些参数对于设计和优化射频电路非常重要。
NESG2030M04的非线性模型包括了BJT非线性模型参数,这些参数对于模拟和分析晶体管在不同工作条件下的性能非常有用。
这些参数包括饱和电流(IS),最大直流电流增益(BF),电流增益带宽因子(Fc),结电容(CJE, CJS, CJC)等。
NESG2030M04的模型适用范围为0.1至12GHz的频率范围,以及0.5V至3V的VCE和1mA至30mA的IC偏置范围。
这些信息对于确保晶体管在设计电路中能够正常工作至关重要。
NESG2030M04的合规性信息表明,该产品符合欧盟关于限制电子电气设备中使用某些有害物质的指令(RoHS)和关于限制使用某些溴化阻燃剂的指令。
NESG2030M04的无铅版本带有后缀-A,而含有铅但被RoHS指令豁免的版本带有后缀-AZ。
所有这些版本的设备都符合RoHS指令的要求。
NESG2030M04的订购信息、性能曲线和模型参数都是设计和使用这款高频晶体管时的重要参考资料。
通过这些信息,工程师可以确保NESG2030M04能够在射频应用中提供最佳性能。