1. 物料型号:
- 型号为NESG204619,有两个版本:NESG204619-A(50 pcs,非卷带包装)和NESG204619-T1-A(3000 pcs/卷,卷带包装,引脚3朝向带孔的一侧)。
2. 器件简介:
- 该器件是NEC公司生产的NPN SiGe晶体管,适用于低噪声、高增益放大应用,具有0.8 dB的典型噪声系数和11.0 dB的典型增益,工作频率可达2 GHz。
3. 引脚分配:
- 引脚1:发射极(Emitter)
- 引脚2:基极(Base)
- 引脚3:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:集-基电压VCBO为13V,集-射电压VCEO为5V,发射极-基极电压VEBO为1.5V,集电极电流Ic为40mA,总功率耗散Ptot为200mW,结温Ti为150°C,存储温度Tstg为-65至+150°C。
- 电气特性:在25°C下,集-基截止电流ICBO小于100nA,发射极-基极截止电流IEBO小于100nA,直流电流增益hFE在140至220之间,增益带宽积fr为15至18GHz,插入功率增益IS21el2为10至12dB,噪声系数NF为0.8至1.5dB,相关增益Ga为9.0至11.0dB,反向传输电容Cre为0.2至0.4pF。
5. 功能详解:
- 该晶体管采用高击穿电压技术,具有低噪声和高增益的特性,适用于高频应用。
6. 应用信息:
- 该产品不适用于生命维持设备、器具或系统中,这些设备的故障可能导致人身伤害。
7. 封装信息:
- 采用3-PIN SUPER MINIMOLD(19)封装,具体尺寸图可在文档中查看。