2N5820

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
2N5820 - COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS - Central Semiconductor Corp

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2N5820 2N5822 NPN 2N5821 2N5823 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-92-18R CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Peak Collector Current Power Dissipation Power Dissipation (TC=25°C) Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCES VCEO VEBO IC ICM PD PD TJ,Tstg ΘJA ΘJC 70 70 60 5.0 750 1.0 625 1.5 -65 to +150 200 83.3 UNITS V V V V mA A mW W °C °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) 2N5820 2N5821 SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCES BVCEO BVEBO VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(ON) hFE hFE TEST CONDITIONS VCB=25V VCB=25V, TA=100°C VEB=5.0V IC=10µA IC=10mA IE=10µA IC=500mA, IB=50mA IC=500mA, IB=50mA VCE=2.0V, IC=500mA VCE=2.0V, VCE=2.0V, IC=2.0mA IC=500mA MIN MAX 100 15 10 70 60 5.0 0.75 1.2 0.60 60 20 1.1 120 0.60 100 25 70 60 5.0 0.75 1.2 1.1 250 2N5822 2N5823 MIN MAX 100 15 10 UNITS nA µA µA V V V V V V R1 (21-October 2005) Central TM Semiconductor Corp. 2N5820 2N5822 NPN 2N5821 2N5823 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (Continued) 2N5820 2N5821 SYMBOL fT Cob Cib TEST CONDITIONS VCE=2.0V, IC=50mA, f=20MHz VCB=10V, IC=0, f=1.0MHz VEB=0.5V, IE=0, f=1.0MHz MIN 100 MAX 15 55 2N5822 2N5823 MIN 120 MAX 15 55 UNITS MHz pF pF TO-92-18R CASE - MECHANICAL OUTLINE DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MAX MIN MAX SYMBOL MIN A (DIA) 0.175 0.205 4.45 5.21 B 0.170 0.210 4.32 5.33 C 0.500 12.70 D 0.016 0.022 0.41 0.56 E 0.100 2.54 F 0.050 1.27 G 0.125 0.165 3.18 4.19 H 0.080 0.105 2.03 2.67 J (DIA) 0.100 2.54 K 0.015 0.38 TO-92-18R (REV: R1) LEAD CODE: 1) COLLECTOR 2) BASE 3) EMITTER MARKING CODE: FULL PART NUMBER R1 (21-October 2005)

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2N5820

### 物料型号 - 型号：2N5820、2N5821、2N5822、2N5823

### 器件简介 - 描述：CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820系列是环氧模塑互补硅小信号晶体管，采用外延平面工艺制造，适用于需要高集电极电流额定值的通用放大应用。

### 引脚分配 - 引脚：1) 集电极 2) 基极 3) 发射极

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：70V - 集电极-发射极电压（VCES、VCEO）：分别为70V和60V - 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V - 集电极电流（Ic）：750mA（平均值） - 峰值集电极电流（ICM）：1.0A - 功率耗散（PD）：625mW（连续操作）和1.5W（Tc=25°C时） - 结温（TJ,Tstg）：-65至+150℃ - 热阻（θJA、θJC）：分别为200℃/W和83.3℃/W

### 功能详解 - 电气特性： - 集电极-基极漏电流（ICBO）：100nA - 发射极-基极电流（CBO、EBO）：分别为15μA和10μA - 集电极-发射极击穿电压（BVCES、BVCEO、BVEBO）：分别为70V、60V和5.0V - 饱和压降（VCE(SAT)）：0.75V - 饱和电压（VBE(SAT)、VBE(ON)）：分别为1.2V和0.60-1.1V - 直流电流增益（hFE）：在不同条件下为60-250

### 应用信息 - 应用：适用于需要高集电极电流额定值的通用放大应用。

### 封装信息 - 封装：TO-92-18R封装，具体尺寸信息如下： - A(DIA)：0.175-0.205英寸或4.45-5.21毫米 - B：0.170-0.210英寸或4.32-5.33毫米 - C：0.500英寸或12.70毫米 - D：0.016-0.022英寸或0.41-0.56毫米 - E：0.100英寸或2.54毫米 - F：0.050英寸或1.27毫米 - G：0.125-0.165英寸或3.18-4.19毫米 - H：0.080-0.105英寸或2.03-2.67毫米 - J(DIA)：0.100英寸或2.54毫米 - K：0.015英寸或0.38毫米

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