2N6043

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
2N6043 - COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS - Central Semiconductor Corp

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2N6040 2N6041 2N6042 PNP 2N6043 2N6044 2N6045 NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6040 and 2N6043 Series types are Complementary Silicon Power Transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-220 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PD TJ, Tstg ΘJC 2N6040 2N6043 60 60 2N6041 2N6044 80 80 5.0 8.0 16 120 75 -65 to +150 1.67 2N6042 2N6045 100 100 UNITS V V V A A mA W °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS ICBO ICEV ICEV ICEO IEBO BVCEO BVCEO BVCEO VCE(SAT) VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(ON) hFE hFE hFE VCB=Rated VCBO VCE=Rated VCEO, VBE(OFF)=1.5V VCE=Rated VCEO, VBE(OFF)=1.5V, TC=150°C VCE=Rated VCEO VEB=5.0V IC=100mA (2N6040, 2N6043) IC=100mA (2N6041, 2N6044) IC=100mA (2N6042, 2N6045) IC=4.0A, IB=16mA (2N6040, 2N6041, 2N6043, 2N6044) IC=3.0A, IB=12mA (2N6042, 2N6045) IC=8.0A, IB=80mA IC=8.0A, IB=80mA VCE=4.0V, IC=4.0A VCE=4.0V, IC=4.0A (2N6040, 2N6041, 2N6043, 2N6044) VCE=4.0V, IC=3.0A (2N6042, 2N6045) VCE=4.0V, IC=8.0A MIN MAX 20 20 200 20 2.0 UNITS µA µA µA µA mA V V V 60 80 100 2.0 2.0 4.0 4.5 2.8 1,000 1,000 100 20,000 20,000 V V V V V R1 (16-November 2009) 2N6040 2N6041 2N6042 PNP 2N6043 2N6044 2N6045 NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX hfe fT Cob Cob VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0kHz VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0MHz VCB=10V, IE=0, f=100kHz (NPN Types) VCB=10V, IE=0, f=100kHz (PNP Types) 300 4.0 200 300 MHz pF pF UNITS TO-220 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) BASE 2) COLLECTOR 3) EMITTER 4) COLLECTOR MARKING: FULL PART NUMBER R1 (16-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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2N6043

1. 物料型号： - 2N6040、2N6041、2N6042为PNP型 - 2N6043、2N6044、2N6045为NPN型

2. 器件简介： - 这些型号属于CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的互补硅功率晶体管，采用外延基工艺制造，设计用于一般目的的放大应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极 - 引脚2：集电极 - 引脚3：发射极

4. 参数特性： - 最大额定值（TC=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：2N6043和2N6040为60V，2N6041和2N6044为80V，2N6045和2N6042为100V - 集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）：均为60V - 连续集电极电流（IC）：8.0A - 峰值集电极电流（ICM）：16A - 基极电流（IB）：120mA - 功率耗散（PD）：75W - 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C - 热阻（ΘJC）：1.67°C/W

5. 功能详解： - 电气特性（TC=25°C，除非另有说明）： - 集电极-基极电流（ICBO）：20µA - 集电极-发射极电压（ICEV）：20µA至200µA - 发射极-基极电流（IEBO）：2.0mA - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：60V至100V不等 - 饱和压降（VCE(SAT)）：2.0V至4.0V不等 - 基极-发射极电压（VBE(SAT)）：4.5V - 基极-发射极导通电压（VBE(ON)）：2.8V - 电流增益（hFE）：1,000至20,000

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于一般目的的放大应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220封装，PDF中提供了详细的机械轮廓图和尺寸信息。

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