1. 物料型号：
- 2N6040, 2N6041, 2N6042 (PNP型)
- 2N6043, 2N6044, 2N6045 (NPN型)
2. 器件简介：
- 这些型号属于互补硅功率达林顿晶体管，由CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产，采用外延基工艺制造，适用于通用放大应用。
3. 引脚分配：
- 引脚代码：1) 基极 2) 集电极 3) 发射极 4) 集电极
4. 参数特性：
- 最大额定值（TC=25°C）：
- 集-基电压（VCBO）：2N6043和2N6040为60V，2N6041和2N6044为80V，2N6045和2N6042为100V。
- 集-射电压（VCEO）：均为60V。
- 发-基电压（VEBO）：均为5.0V。
- 连续集电极电流（IC）：8.0A。
- 峰值集电极电流（ICM）：16A。
- 基极电流（IB）：120mA。
- 功率耗散（PD）：75W。
- 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（ΘJC）：1.67°C/W。
5. 功能详解：
- 电气特性（TC=25°C，除非另有说明）：
- 集电极-基极电流（ICBO）：20µA。
- 集电极-发射极电压（ICEV）：在VCE=额定VCEO，VBE(OFF)=1.5V时为20µA。
- 发射极-基极电压（IEBO）：在VEB=5.0V时为2.0mA。
- 集-射截止电压（BVCEO）：在IC=100mA时，2N6040和2N6043为60V，2N6041和2N6044为80V，2N6042和2N6045为100V。
- 饱和压降（VCE(SAT)）：在不同IC和IB条件下，分别为2.0V和4.0V。
- 基极-发射极电压（VBE(SAT)）：在IC=8.0A，IB=80mA时为4.5V。
- 基极-发射极导通电压（VBE(ON)）：在VCE=4.0V，IC=4.0A时为2.8V。
- 电流增益（hFE）：在不同VCE和IC条件下，范围从1,000至20,000。
6. 应用信息：
- 这些晶体管适用于通用放大应用。
7. 封装信息：
- 采用TO-220封装，PDF中提供了详细的机械轮廓尺寸和引脚排列。
