BC846BT

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BC846BT - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BC846T SERIES BC847T SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846T and BC847T Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-523 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(ON) VBE(ON) fT Cc Ce NF SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM PD TJ, Tstg ΘJA BC847T 50 45 BC846T 80 65 5.0 100 200 100 250 -65 to +150 500 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=150°C VEB=5.0V IC=10μA (BC847T) IC=10μA (BC846T) IC=10mA (BC847T) IC=10mA (BC846T) IE=10μA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5.0mA IC=2.0mA, VCE=5.0V IC=10mA, VCE=5.0V VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz VCE=5.0V, IC=200μA, RS=2.0KΩ f=1.0KHz, BW=200Hz otherwise noted) MIN TYP MAX 15 5.0 100 50 80 45 65 5.0 0.20 0.40 0.70 0.77 1.5 11 10 BC846BT BC847BT MIN MAX 200 450 0.58 100 UNITS nA μA nA V V V V V V V V V MHz pF pF dB BC847CT MIN MAX 420 800 hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC846AT BC847AT MIN MAX 110 220 R1 (20-November 2009) BC846T SERIES BC847T SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-523 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC846AT BC846BT BC847AT BC847BT BC847CT MARKING CODE GT1 GT2 GT3 GT4 GT5 R1 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BC846BT

物料型号： - BC846T系列 - BC847T系列

器件简介： CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BC846T和BC847T系列是采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管，采用环氧模塑封装在表面贴装封装中，设计用于通用开关和放大应用。

引脚分配： - 1）基极（BASE） - 2）发射极（EMITTER） - 3）集电极（COLLECTOR）

参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集-基电压（VCBO）：BC847T为50V，BC846T为80V - 集-射电压（VCEO）：BC847T为45V，BC846T为65V - 发-基电压（VEBO）：BC847T为5.0V - 连续集电极电流（IC）：100mA - 峰值集电极电流（ICM）：200mA - 峰值基极电流（BM）：100mA - 功率耗散（PD）：250mW - 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C - 热阻（θJA）：500°C/W

- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）： - CBO：VCB=30V时为15nA - EBO：VEB=5.0V时为100nA - BVCBO：BC847T在Ic=10mA时为50V，BC846T为80V - BVCEO：BC847T在Ic=10mA时为45V，BC846T为65V - BVEBO：IE=10mA时为5.0V - VCE(SAT)：Ic=10mA, Ig=0.5mA时为0.20V；Ic=100mA, Ig=5.0mA时为0.40V - VBE(ON)：Ic=2.0mA, VCE=5.0V时为0.58V至0.70V；Ic=10mA, VCE=5.0V时为0.77V - fT：VcE=5.0V, Ic=10mA, f=100MHz时为100MHz至1.5pF - Chi：VcB=10V, IE=0, f=1.0MHz时为100至1.5pF - Cpi：VEB=0.5V, Ic=0, f=1.0MHz时为11pF - NF：VcE=5.0V, Ic=200μA, Rs=2.0KΩ f=1.0KHz, BW=200Hz时为10dB

功能详解：这些晶体管是为通用开关和放大应用设计的，具有不同的电压和电流参数，以适应不同的电路设计需求。

应用信息：适用于需要NPN硅晶体管的开关和放大电路。

封装信息： - SOT-523表面贴装封装 - 机械轮廓图和尺寸信息在文档中提供

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