BC847B

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BC847B - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BC846 SERIES BC847 SERIES BC848 SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846, BC847 and BC848 Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(ON) VBE(ON) fT NF Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM PD TJ, Tstg ΘJA BC848 30 30 BC847 50 45 5.0 100 200 200 350 -65 to +150 357 BC846 80 65 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) TEST CONDITIONS MIN VCB=30V VCB=30V, TA=150°C VEB=5.0V IC=10μA (BC848) 30 IC=10μA (BC847) 50 IC=10μA (BC846) 80 IC=10mA (BC848) 30 IC=10mA (BC847) 45 IC=10mA (BC846) 65 IE=10μA 5.0 IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5.0mA IC=2.0mA, VCE=5.0V 0.58 IC=10mA, VCE=5.0V VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz 100 VCE=5.0V, IC=200μA, RS=2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz BC846A BC847A BC848A MIN MAX 110 220 MAX 15 5.0 100 0.25 0.60 0.70 0.77 UNITS nA μA nA V V V V V V V V V V V MHz dB 10 BC846B BC847B BC848B MIN MAX 200 450 hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC847C BC848C MIN MAX 420 800 R1 (20-November 2009) BC846 SERIES BC847 SERIES BC848 SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: STANDARD 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC846A BC846B BC847A BC847B BC847C BC848A BC848B BC848C *REVERSE 1) EMITTER 2) BASE 3) COLLECTOR MARKING CODE 1A 1B 1E 1F 1G 1J 1K 1L * Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. R1 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BC847B

物料型号： - BC846系列 - BC847系列 - BC848系列

器件简介： CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BC846、BC847和BC848系列是采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管，采用环氧模塑表面贴装封装，适用于通用开关和放大应用。

引脚分配： - 标准：1) 基极，2) 发射极，3) 集电极 - 反向：1) 发射极，2) 基极，3) 集电极

参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BC848为30V，BC847为50V，BC846为80V - 集电极-发射极电压（VCEO）：BC847为45V，BC846为65V - 发射极-基极电压（VEBO）：BC847为5.0V - 连续集电极电流（Ic）：BC847为100mA - 峰值集电极电流（ICM）：BC847为200mA - 峰值基极电流（IBM）：BC847为200mA - 功率耗散（PD）：BC847为350mW - 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C - 热阻（JA）：BC847为357°C/W

- 电气特性（TA=25°C除非另有说明）： - 集电极-基极漏电流（ICBO）：15nA - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）和集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：数据未提供 - 饱和压降（VCE(SAT)）：在Ic=10mA, Ig=0.5mA时为0.25V；在Ic=100mA, Ig=5.0mA时为0.60V - 基极-发射极电压（VBE(ON)）：在Ic=2.0mA, VCE=5.0V时为0.58V至0.70V；在Ic=10mA, VCE=5.0V时为0.77V - 截止频率（fT）：100MHz - 噪声系数（NF）：在VE5 0 IC10nA =1M VCE=5.0V, Ic=200 A, Rs=2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz时为10dB

功能详解：这些晶体管是为通用开关和放大应用设计的，具有不同的电压和电流额定值，以适应不同的电路设计需求。

应用信息：适用于需要NPN硅晶体管的开关和放大电路。

封装信息： - SOT-23表面贴装封装 - 尺寸和标记代码在文档中有详细描述

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