BC847BW

BC847BW

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    BC847BW - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BC847BW 数据手册
BC846W SERIES BC847W SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846W and BC847W Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-323 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(ON) VBE(ON) Cob fT NF Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM PD TJ, Tstg ΘJA BC847W 50 45 BC846W 80 65 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W 5.0 100 200 200 275 -65 to +150 455 CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=150°C VEB=5.0V IC=10μA (BC847W) IC=10μA (BC846W) IC=10mA (BC847W) IC=10mA (BC846W) IE=10μA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5.0mA IC=2.0mA, VCE=5.0V IC=10mA, VCE=5.0V VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz VCE=5.0V, IC=200μA, RS=2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz otherwise noted) MIN MAX 15 5.0 100 50 80 45 65 5.0 0.25 0.60 0.70 0.77 3.0 0.58 100 10 BC846BW BC847BW MIN MAX 200 450 UNITS nA μA nA V V V V V V V V V pF MHz dB hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC846AW BC847AW MIN MAX 110 220 BC847CW MIN MAX 420 800 R1 (20-November 2009) BC846W SERIES BC847W SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-323 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: STANDARD 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC846AW BC846BW BC847AW BC847BW BC847CW *REVERSE 1) EMITTER 2) BASE 3) COLLECTOR MARKING CODE 1AT 1BT 1ET 1FT 1GT * Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. R1 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
BC847BW
1. 物料型号: - BC846W系列和BC847W系列是NPN硅晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管由Central Semiconductor公司制造,采用外延平面工艺生产,表面贴装的SUPERmini™封装,适用于通用开关和放大应用。

3. 引脚分配: - SOT-323封装的引脚顺序为:1) 基极,2) 发射极,3) 集电极。

4. 参数特性: - 最大额定值(TA=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):BC847W为50V,BC846W为80V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BC847W为45V,BC846W为65V。 - 基极-发射极电压(VEBO):BC847W为5.0V。 - 连续集电极电流(IC):100mA。 - 峰值集电极电流(ICM):200mA。 - 峰值基极电流(BM):200mA。 - 功率耗散(PD):275mW。 - 工作和存储结温(TJ Tstg):-65至+150°C。 - 热阻(OJA):455°C/W。 - 电气特性(TA=25°C,除非另有说明): - 集电极-基极反向电流(ICBO):15nA(VCB=30V时)。 - 发射极-基极反向电流(IEBO):100nA(VEB=5.0V时)。 - 集电极-基极击穿电压(BVCBO):BC847W为50V,BC846W为80V。 - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):BC847W为45V,BC846W为65V。 - 饱和压降(VCE(SAT)):0.25V(Ic=10mA, Ig=0.5mA时)。 - 基极-发射极电压(VBE(ON)):0.58V至0.70V(Ic=2.0mA, VCE=5.0V时)。

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有不同的电流增益(hFE)范围,以适应不同的电路设计需求。

6. 应用信息: - 适用于需要NPN硅晶体管的开关和放大电路。

7. 封装信息: - 使用SUPERmini™表面贴装封装,具体尺寸和机械轮廓已在文档中提供。
BC847BW 价格&库存

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