物料型号:
- BC846T系列
- BC847T系列
器件简介:
CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BC846T和BC847T系列是采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管,采用环氧模塑封装在表面贴装封装中,设计用于通用开关和放大应用。
引脚分配:
- 1) 基极(BASE)
- 2) 发射极(EMITTER)
- 3) 集电极(COLLECTOR)
参数特性:
- 最大额定值(TA=25°C):
- 集-基电压(VCBO):BC847T为50V,BC846T为80V
- 集-射电压(VCEO):BC847T为45V,BC846T为65V
- 发-基电压(VEBO):BC847T为5.0V
- 连续集电极电流(Ic):100mA
- 峰值集电极电流(ICM):200mA
- 峰值基极电流(BM):100mA
- 功率耗散(PD):250mW
- 工作和存储结温(Tstg):-65至+150°C
- 热阻(θJA):500°C/W
- 电气特性(TA=25°C,除非另有说明):
- CBO:VCB=30V时为15nA
- EBO:VEB=0V时为100nA
- BVCBO:Ic=10mA时,BC847T为50V,BC846T为80V
- BVCEO:Ic=10mA时,BC847T为45V,BC846T为65V
- BVEBO:IE=10mA时为5.0V
- VCE(SAT):Ic=10mA, Ig=0.5mA时为0.20V;Ic=100mA, Ig=5.0mA时为0.40V
- VBE(ON):Ic=2.0mA, VCE=5.0V时为0.58V至0.70V;Ic=10mA, VCE=5.0V时为0.77V
- fT:VcE=5.0V, Ic=10mA, f=100MHz时为100MHz
- Ccb:VcB=10V, IE=0, f=1.0MHz时为100至1.5pF
- Cce:VcE=5.0V, Ic=10mA, f=1.0MHz时为11pF
- NF:VcE=5.0V, Ic=200μA, Rs=2.0KΩ f=1.0KHz, BW=200Hz时为10dB
功能详解:
这些晶体管是用于通用开关和放大应用的NPN硅晶体管。
应用信息:
适用于需要开关和放大功能的电路。
封装信息:
- SOT-523表面贴装封装
- 机械轮廓图和尺寸信息在文档中有详细描述。