1. 物料型号：
- BC856T系列和BC857T系列是表面贴装PNP硅晶体管。
2. 器件简介：
- 这些PNP硅晶体管由中央半导体公司生产，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于通用开关和放大应用。
3. 引脚分配：
- 引脚代码：1）基极 2）发射极 3）集电极。
4. 参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BC857T为50V，BC856T为80V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BC857T为45V，BC856T为65V。
- 基极-发射极电压（VEBO）：BC857T为5.0V。
- 连续集电极电流（Ic）：BC857T为100mA。
- 峰值集电极电流（ICM）：BC857T为200mA。
- 峰值基极电流（BM）：BC857T为100mA。
- 功率耗散（PD）：BC857T为250mW。
- 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（θJA）：500°C/W。
5. 功能详解：
- 电气特性（A=25°C，除非另有说明）：
- CBO：VCB=30V时，BC857T的最小值为15nA，BC857T在150°C时的最大值为5.0nA。
- EBO：VEB=5.0V时，最小值为100nA。
- BVCBO：Ic=10μA时，BC857T的最小值为50V。
- BVCEO：Ic=10mA时，BC857T的最小值为45V，BC856T的最小值为65V。
- BVEBO：IE=10μA时，最小值为5.0V。
- VCE(SAT)：Ic=10mA，Ig=0.5mA时，最小值为0.20V；Ic=100mA，Ig=5.0mA时，最小值为0.40V。
- VBE(ON)：Ic=2.0mA，VCE=5.0V时，最小值为0.58V；Ic=10mA，VCE=5.0V时，最大值为0.77V。
- fT：VcE=5.0V，Ic=10mA，f=100MHz时，最大值为100MHz。
- Ccb：VCB=10V，IE=0，f=1.0MHz时，最大值为2.5pF。
- Cbe：VEB=0.5V，Ic=0，f=1.0MHz时，最大值为10pF。
6. 应用信息：
- 这些晶体管适用于通用开关和放大应用。
7. 封装信息：
- SOT-523表面贴装封装。
- 机械轮廓尺寸和标记代码已提供。
