BC856BT

BC856BT

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    BC856BT - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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  • 价格&库存
BC856BT 数据手册
BC856T SERIES BC857T SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856T and BC857T Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-523 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM PD TJ, Tstg ΘJA BC857T 50 45 BC856T 80 65 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W 5.0 100 200 100 250 -65 to +150 500 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless SYMBOL TEST CONDITIONS ICBO VCB=30V ICBO VCB=30V, TA=150°C IEBO VEB=5.0V BVCBO IC=10μA (BC857T) BVCBO IC=10μA (BC856T) BVCEO IC=10mA (BC857T) BVCEO IC=10mA (BC856T) BVEBO IE=10μA VCE(SAT) IC=10mA, IB=0.5mA VCE(SAT) IC=100mA, IB=5.0mA VBE(ON) IC=2.0mA, VCE=5.0V VBE(ON) IC=10mA, VCE=5.0V fT VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz Cc VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz Ce VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz NF VCE=5.0V, IC=200μA, RS=2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz otherwise noted) MIN TYP MAX 15 5.0 100 50 80 45 65 5.0 0.20 0.40 0.70 0.77 2.5 10 10 BC856BT BC857BT MIN MAX 220 475 0.58 100 UNITS nA μA nA V V V V V V V V V MHz pF pF dB hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC856AT BC857AT MIN MAX 125 250 BC857CT MIN MAX 420 800 R1 (20-November 2009) BC856T SERIES BC857T SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR SOT-523 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC856AT BC856BT BC857AT BC857BT BC857CT MARKING CODE GT6 GT7 GT8 GT9 GT0 R1 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
BC856BT
1. 物料型号: - BC856T系列和BC857T系列是表面贴装PNP硅晶体管。

2. 器件简介: - 这些PNP硅晶体管由Central Semiconductor生产,采用外延平面工艺制造,封装在表面贴装封装中,适用于通用开关和放大应用。

3. 引脚分配: - 引脚代码:1)基极 2)发射极 3)集电极。

4. 参数特性: - 最大额定值(TA=25°C): - 集-基电压(VCBO):BC857T为50V,BC856T为80V。 - 集-射电压(VCEO):BC857T为45V,BC856T为65V。 - 发-基电压(VEBO):BC857T为5.0V。 - 连续集电极电流(Ic):100mA。 - 峰值集电极电流(ICM):200mA。 - 峰值基极电流(BM):100mA。 - 功率耗散(PD):250mW。 - 运行和存储结温(Tstg):-65至+150°C。 - 热阻(eJA):500°C/W。 - 电气特性(TA=25°C,除非另有说明): - CBO(VCB=30V):15nA。 - EBO(VEB=5.0V):100nA。 - BVCBO(Ic=10mA):BC857T为50V,BC856T未提供。 - BVCEO(Ic=10mA):BC857T为45V,BC856T为65V。 - VCE(SAT)(Ic=10mA, Ig=0.5mA):0.20V。 - VBE(ON)(Ic=2.0mA, VCE=5.0V):0.58V至0.70V。

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有不同的电气特性和最大额定值,以适应不同的工作条件。

6. 应用信息: - 适用于需要PNP硅晶体管的开关和放大电路。

7. 封装信息: - SOT-523表面贴装封装,具体尺寸和机械轮廓在文档中有详细描述。
BC856BT 价格&库存

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