BC856BW

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BC856BW - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BC856W SERIES BC857W SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and BC857W Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-323 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(ON) VBE(ON) Cib Cob fT NF Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM PD TJ, Tstg ΘJA BC857W 50 45 BC856W 80 65 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W UNITS nA μA nA V V V V V V V V V V pF pF MHz dB BC857CW MIN MAX 420 800 5.0 100 200 200 275 -65 to +150 455 MAX 15 4.0 100 CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=150°C VEB=5.0V IC=10μA (BC857W) IC=10μA (BC856W) IC=10mA (BC857W) IC=10mA (BC856W) IE=10μA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5.0mA IC=100mA, IB=5mA IC=2.0mA, VCE=5.0V IC=10mA, VCE=5.0V VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz VCE=5.0V, IC=200μA, RS=2.0KΩ, f=1.0KHz, BW=200Hz otherwise noted) MIN 50 80 45 65 5.0 0.30 0.65 0.95 0.75 0.82 12 5.0 0.60 100 10 BC856BW BC857BW MIN MAX 220 475 hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC856AW BC857AW MIN MAX 125 250 R1 (20-November 2009) BC856W SERIES BC857W SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR SOT-323 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: STANDARD 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC856AW BC856BW BC857AW BC857BW BC857CW *REVERSE 1) EMITTER 2) BASE 3) COLLECTOR MARKING CODE 3AT 3BT 3ET 3FT 3GT * Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. R1 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BC856BW

物料型号： - BC856W系列 - BC857W系列

器件简介： - 这些是表面贴装PNP硅晶体管，由中央半导体公司制造，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑在SUPERmini™表面贴装封装中，设计用于通用开关和放大应用。

引脚分配： - 标准：1) 基极，2) 发射极，3) 集电极 - 反向：1) 发射极，2) 基极，3) 集电极

参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BC857W为50V，BC856W为80V - 集电极-发射极电压（VCEO）：BC857W为45V，BC856W为65V - 发射极-基极电压（VEBO）：BC857W为5.0V - 连续集电极电流（Ic）：100mA - 峰值集电极电流（ICM）：200mA - 峰值基极电流（IBM）：200mA - 功率耗散（PD）：275mW - 工作和存储结温（TJ Tstg）：-65至+150°C - 热阻（JA）：455°C/W

- 电气特性（TA=25°C除非另有说明）： - 集电极-基极漏电流（ICBO）：15nA - 发射极-基极漏电流（IEBO）：100nA - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：BC857W为5080455 - 饱和压降（VCE(SAT)）：Ic=10mA时，BC857W为0.30V，BC856W为0.65V - 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：0.95V - 基极-发射极开启电压（VBE(ON)）：Ic=2.0mA时，0.60至0.75V；Ic=10mA时，0.82V - 截止频率（fT）：1.0MHz时，BC857W为5.0pF，BC856W为12pF - 增益（hFE）：VCE=5.0V，Ic=2.0mA时，BC856AW为125至250，BC857AW为220至475

功能详解： - 这些晶体管设计用于通用开关和放大应用，具有不同的增益和电压特性，以适应不同的电路设计需求。

应用信息： - 适用于需要PNP硅晶体管的开关和放大应用。

封装信息： - SOT-323表面贴装封装，提供标准和反向引脚配置。

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