物料型号：
- BC856T系列
- BC857T系列
器件简介：
CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BC856T和BC857T系列是PNP硅晶体管，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于通用开关和放大应用。
引脚分配：
- 1) 基极（BASE）
- 2) 发射极（EMITTER）
- 3) 集电极（COLLECTOR）
参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集-基电压（VCBO）：BC857T为50V，BC856T为80V
- 集-射电压（VCEO）：BC857T为45V，BC856T为65V
- 发-基电压（VEBO）：BC857T为5.0V
- 连续集电极电流（Ic）：100mA
- 峰值集电极电流（ICM）：200mA
- 峰值基极电流（BM）：100mA
- 功率耗散（PD）：250mW
- 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（θJA）：500°C/W
- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）：
- CBO：VCB=30V时，BC857T的最小值为15nA，BC857T在TA=150°C时的最大值为5.0nA
- EBO：VEB=5.0V时，最小值为100nA
- BVCBO：Ic=10μA时，BC857T的值为50V
- BVCEO：Ic=10mA时，BC857T的值为45V，BC856T的值为65V
- BVEBO：IE=10μA时，最小值为5.0V
- VCE(SAT)：Ic=10mA，Ig=0.5mA时，最小值为0.20V；Ic=100mA，Ig=5.0mA时，最大值为0.40V
- VBE(ON)：Ic=2.0mA，VCE=5.0V时，最小值为0.58V；Ic=10mA，VCE=5.0V时，最大值为0.77V
- fT：VcE=5.0V，Ic=10mA，f=100MHz时，最大值为100MHz
- Ccb：VCB=10V，IE=0，f=1.0MHz时，最大值为2.5pF
- Cbe：VEB=0.5V，Ic=0，f=1.0MHz时，最大值为10pF
功能详解：
这些晶体管设计用于通用开关和放大应用，具有不同的电气特性，以适应不同的工作条件和要求。
应用信息：
适用于需要PNP硅晶体管的开关和放大电路。
封装信息：
- SOT-523表面贴装封装
- 机械轮廓图和尺寸信息在文档中有详细描述
