1. 物料型号：
- BC856T系列和BC857T系列是CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的PNP硅晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，设计用于通用开关和放大应用。
3. 引脚分配：
- 引脚代码：1) 基极 2) 发射极 3) 集电极。
4. 参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BC857T为50V，BC856T为80V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BC857T为45V，BC856T为65V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：BC857T为5.0V。
- 连续集电极电流（Ic）：100mA。
- 峰值集电极电流（ICM）：200mA。
- 峰值基极电流（BM）：100mA。
- 功率耗散（PD）：250mW。
- 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（θJA）：500°C/W。
- 电气特性（A=25°C，除非另有说明）：
- CBO：VCB=30V时，BC857T的最小值为15nA，BC857T在TA=150°C时的最大值为5.0nA。
- EBO：VEB=5.0V时，最大值为100nA。
- BVCBO：Ic=10μA时，BC857T的最小值为50V。
- BVCEO：Ic=10mA时，BC857T的最小值为45V，BC856T为65V。
- VCE(SAT)：Ic=10mA, Ig=0.5mA时，最小值为0.20V；Ic=100mA, Ig=5.0mA时，为0.40V。
- VBE(ON)：Ic=2.0mA, VCE=5.0V时，最小值为0.58V；Ic=10mA, VCE=5.0V时，最大值为0.77V。
- fT：VcE=5.0V, Ic=10mA, f=100MHz时，最大值为100MHz。
- Ccb：VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz时，最大值为2.5pF。
- Cbe：VEB=0.5V, Ic=0, f=1.0MHz时，最大值为10pF。
5. 功能详解：
- 这些晶体管适用于通用开关和放大应用，具有不同的增益值（hFE），具体数值取决于型号。
6. 应用信息：
- 适用于需要PNP硅晶体管的开关和放大电路。
7. 封装信息：
- SOT-523表面贴装封装，具体尺寸和机械轮廓图在文档中有详细描述。
