BC858A

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BC858A - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BC858A 数据手册

BC856 SERIES BC857 SERIES BC858 SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856, BC857 and BC858 Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: PLEASE SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C) SYMBOL Collector-Base Voltage VCBO Collector-Emitter Voltage VCEO Emitter-Base Voltage VEBO Collector Current IC Peak Collector Current ICM Peak Base Current IBM Power Dissipation PD Operating and Storage Junction Temperature TJ,Tstg Thermal Resistance ΘJA BC858 30 30 Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. BC857 50 45 5.0 100 200 200 350 -65 to +150 357 BC856 80 65 UNITS V V V mA mA mA mW °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN ICBO VCB= 30V ICBO VCB= 30V, TA=150°C IEBO VEB=5.0V BVCBO IC=10µA (BC858) 30 BVCBO IC=10µA (BC857) 50 BVCBO IC=10µA (BC856) 80 BVCEO IC=10mA (BC858) 30 BVCEO IC=10mA (BC857) 45 BVCEO IC=10mA (BC856) 65 BVEBO IE=10µA 5.0 VCE(SAT) IC=10mA, IB=0.5mA VCE(SAT) IC=100mA, IB=5.0mA IC=2.0mA, VCE=5.0V 0.6 VBE(ON) VBE(ON) IC=10mA, VCE=5.0V fT VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz 100 NF VCE=5.0V, IC=200µA, RS=2KΩ, f= 1KHz, BW=200Hz BC856A BC857A BC858A MIN MAX 125 250 TYP MAX 15 4.0 100 0.3 0.65 0.75 0.82 UNITS nA µA nA V V V V V V V V V V V MHz dB 10 BC856B BC857B BC858B MIN MAX 220 475 hFE VCE=5.0V, IC=2.0mA BC857C BC858C MIN MAX 420 800 R1 (10-September 2004) Central TM Semiconductor Corp. BC856 SERIES BC857 SERIES BC858 SERIES SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: STANDARD 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR DEVICE BC856A BC856B BC857A BC857B BC857C BC858A BC858B BC858C *REVERSE 1) EMITTER 2) BASE 3) COLLECTOR MARKING CODE 3A 3B 3E 3F 3G 3J 3K 3L * Reverse Lead Codes Available, Add “R” to the end of the Part # and Marking Code. R1 (10-September 2004)

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BC858A

物料型号： - BC856系列 - BC857系列 - BC858系列

器件简介： - 这些是PNP型硅晶体管，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于一般用途的开关和放大应用。

引脚分配： - 标准引脚代码：1) 基极，2) 发射极，3) 集电极 - 反向引脚代码：1) 发射极，2) 基极，3) 集电极

参数特性： - 最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BC858为30V，BC857为50V，BC856为80V - 集电极-发射极电压（VCEO）：BC858为30V，BC857为45V，BC856为65V - 发射极-基极电压（VEBO）：BC857为5.0V - 集电极电流（Ic）：BC857为100mA - 峰值集电极电流（ICM）：BC857为200mA - 峰值基极电流（IBM）：BC857为200mA - 功率耗散（PD）：BC857为350mW - 工作和存储结温范围：-65至+150°C - 热阻（Tsja）：BC857为357°C/W

- 电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）： - CBO：在VCB=30V时，BC858的最小值为15nA，BC858在TA=150°C时最大值为4.0A - EBO：在VEB=5.0V时，最小值为100nA - BVCBO：在Ic=10mA时，BC858为30V，BC857和BC856未给出 - BVCEO：在Ic=10mA时，BC858为30V，BC857为45V，BC856为6V - BVEBO：在IE=10mA时，最小值为5.0V - VCE(SAT)：在Ic=10mA，Ig=0.5mA时，最小值为0.3V；在Ic=100mA，Ig=5.0mA时，最小值为0.65V - VBE(ON)：在Ic=2.0mA，VCE=5.0V时，最小值为0.6V；在Ic=10mA，VCE=5.0V时，最大值为0.82V - fT：在VCE=5.0V，Ic=10mA，f=100MHz时，最小值为100MHz - NF：在VCE=5.0V，Ic=200μA，Rs=2KΩ，f=1KHz，BW=200Hz时，最小值为10dB

功能详解： - 这些晶体管设计用于一般用途的开关和放大应用。

应用信息： - 适用于一般用途的开关和放大应用。

封装信息： - SOT-23表面贴装封装。 - 封装尺寸详细列出了不同参数的最小值和最大值。

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