物料型号：
- BCW67系列和BCW68系列PNP硅晶体管。
器件简介：
- 这些PNP硅晶体管由CENTRAL SEMICONDUCTOR制造，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于通用开关和放大应用。
引脚分配：
- 引脚1：基极（BASE）
- 引脚2：发射极（EMITTER）
- 引脚3：集电极（COLLECTOR）
参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BCW67为45V，BCW68为60V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BCW67为32V，BCW68为45V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：BCW67为5.0V。
- 连续集电极电流（IC）：BCW67为800mA。
- 峰值集电极电流（ICM）：BCW67为1.0A。
- 连续基极电流（IB）：BCW67和BCW68均为100mA。
- 峰值基极电流（BM）：BCW67和BCW68均为200mA。
- 功率耗散（PD）：BCW67和BCW68均为350mW。
- 工作和存储结温（TJ Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（θJA）：BCW67和BCW68均为357°C/W。
功能详解：
- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）：
- 集电极-基极反向饱和电流（ICBO）：最大20nA。
- 发射极-基极反向电流（CBO）：最大20μA。
- 发射极-集电极反向电流（EBO）：最大20nA。
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：BCW67为10A时未给出具体值。
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：BCW67在10mA时为4560至2550V。
- 饱和压降（VCE(SAT)）：BCW67在100mA时为0.3V，在500mA时为0.7V。
- 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：BCW67在100mA时为1.25V，在500mA时为2.0V。
- 截止频率（fT）：BCW67在5.0V时为200MHz。
应用信息：
- 这些晶体管适用于通用开关和放大应用。
封装信息：
- SOT-23表面贴装封装。
- 机械轮廓图和尺寸数据已提供，包括英寸和毫米单位。
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