1. 物料型号:
- 型号:BCW89
- 制造商:Central Semiconductor
2. 器件简介:
- BCW89是由Central Semiconductor生产的硅PNP晶体管,采用外延平面工艺制造,表面贴装封装,适用于通用应用。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(BASE)
- 引脚2:发射极(EMITTER)
- 引脚3:集电极(COLLECTOR)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集电极-发射极电压(VCEO/VCES):60V
- 发射极-基极电压(VEBO):5.0V
- 连续集电极电流(Ic):500mA
- 功率耗散(PD):350mW
- 工作和存储结温:-65°C至+150°C
- 热阻(T OJA):357°C/W
- 电气特性(TA=25°C):
- 集电极-基极漏电流(ICBO):100nA至10μA
- 集电极-发射极击穿电压(BVCBO/BVCEO/BVCES):60V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):5.0V
- 饱和压降(VCE(SAT)):300mV
- 基极-发射极开启电压(VBE(ON)):600mV至750mV
- 电流增益(hFE):120至260
- 噪声系数(NF):10dB
5. 功能详解:
- BCW89是一个通用的PNP晶体管,适用于需要PNP配置的放大应用。
6. 应用信息:
- 适用于通用应用,如放大器、开关等。
7. 封装信息:
- 封装类型:SOT-23
- 尺寸参数详细列出了封装的各个尺寸,以英寸和毫米为单位。