BCX53-10

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BCX53-10 - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

数据手册：

下载BCX53-10.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BCX53-10 数据手册

BCX51 BCX52 BCX53 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51, BCX52, and BCX53 types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current general purpose amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Continuous Base Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PD TJ, Tstg ΘJA BCX51 45 45 BCX52 60 60 5.0 1.0 1.5 100 200 1.3 -65 to +150 96 BCX53 100 80 UNITS V V V A A mA mA W °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVCEO VCE(SAT) VBE(ON) hFE hFE hFE hFE hFE fT TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=125°C VEB=5.0V IC=100µA (BCX51) IC=100µA (BCX52) IC=100µA (BCX53) IC=10mA (BCX51) IC=10mA (BCX52) IC=10mA (BCX53) IC=500mA, IB=50mA VCE=2.0V, IC=500mA VCE=2.0V, IC=5.0mA VCE=2.0V, IC=150mA VCE=2.0V, IC=150mA (BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10) VCE=2.0V, IC=150mA (BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16) VCE=2.0V, IC=500mA VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz MIN TYP MAX 100 10 100 UNITS nA µA nA V V V V V V V V 45 60 100 45 60 80 0.5 1.0 40 63 63 100 25 50 250 160 250 MHz R5 (20-November 2009) BCX51 BCX52 BCX53 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR SOT-89 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) EMITTER 2) COLLECTOR 3) BASE DEVICE BCX51 BCX51-10 BCX51-16 BCX52 BCX52-10 BCX52-16 BCX53 BCX53-10 BCX53-16 MARKING CODE AA AC AD AE AG AM AH AK AL (Bottom View) R5 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

下载 PDF

BCX53-10

1. 物料型号： - BCX51 - BCX52 - BCX53

2. 器件简介： - CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BCX51、BCX52和BCX53型号是PNP硅晶体管，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，设计用于高电流通用放大应用。

3. 引脚分配： - 1) 发射极（EMITTER） - 2) 集电极（COLLECTOR） - 3) 基极（BASE）

4. 参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集-基电压（VCBO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为100V - 集-射电压（VCEO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为80V - 发-基电压（VEBO）：BCX52为5.0V - 连续集电极电流（Ic）：BCX52为1.0A - 峰值集电极电流（ICM）：BCX52为1.5A - 连续基极电流（Ib ch）：BCX53为100mA - 峰值基极电流（BM）：BCX53为200mA - 功率耗散（PD）：BCX53为1.3W - 工作和存储结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C - 热阻（θJA）：BCX53为96°C/W

5. 功能详解： - 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）： - 集-基截止电压（CBO）：在VCB=30V时，BCX51和BCX52的典型值为100nA，在VCB=30V和TA=125°C时，BCX52的典型值为10μA - 发-基截止电压（EBO）：VEB=5.0V时，典型值为100nA - 集-基击穿电压（BVCBO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为100V - 集-射击穿电压（BVCEO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为80V - 饱和压降（VCE(SAT)）：Ic=500mA，Ig=50mA时，典型值为0.5V - 导通电压（VBE(ON)）：VCE=2.0V，Ic=500mA时，典型值为1.0V - 电流增益（hFE）：在不同条件下有多个典型值，例如VCE=2.0V，Ic=5.0mA时为40，VCE=2.0V，Ic=150mA时为63至250 - 截止频率（fT）：VcE=5.0V，Ic=10mA，f=100MHz时，典型值为50MHz

6. 应用信息： - 设计用于高电流通用放大应用。

7. 封装信息： - SOT-89封装，机械轮廓图和尺寸表已提供，包括英寸和毫米单位的最小值和最大值。

BCX53-10 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BCX53-10”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货