1. 物料型号：
- BCX51、BCX52、BCX53是CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的PNP硅晶体管。
2. 器件简介：
- 这些型号的晶体管采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，设计用于高电流通用放大应用。
3. 引脚分配：
- 1) 发射极（Emitter）
- 2) 集电极（Collector）
- 3) 基极（Base）
4. 参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为100V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为80V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：均为5.0V。
- 连续集电极电流（ICM）：均为5.0A。
- 峰值集电极电流（IC）：均为1.0A或1.5A。
- 连续基极电流（IB）：均为100mA。
- 峰值基极电流（IBM）：均为200mA。
- 功率耗散（PD）：1.3W。
- 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（ΘJA）：96°C/W。
5. 功能详解：
- 电气特性（A=25°C，除非另有说明）：
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为100V。
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：BCX51为45V，BCX52为80V，BCX53为100V。
- 饱和压降（VCE(SAT)）：在IC=500mA，IB=50mA时为0.5V。
- 基极-发射极电压（VBE(ON)）：在VCE=2.0V，IC=500mA时为1.0V。
- 电流增益（hFE）：在VCE=2.0V，IC=5.0mA时为40至250，在VCE=2.0V，IC=150mA时为63至250，在VCE=2.0V，IC=500mA时为25。
- 截止频率（fT）：在VCE=5.0V，IC=10mA，f=100MHz时为50MHz。
6. 应用信息：
- 这些晶体管适用于高电流通用放大应用。
7. 封装信息：
- SOT-89封装，具体尺寸和机械轮廓图已提供。
