BCX53

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BCX53 - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BCX53 数据手册

BCX51 BCX52 BCX53 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51, BCX52, and BCX53 types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current general purpose amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Continuous Base Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PD TJ, Tstg ΘJA BCX51 45 45 BCX52 60 60 5.0 1.0 1.5 100 200 1.3 -65 to +150 96 BCX53 100 80 UNITS V V V A A mA mA W °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVCEO VCE(SAT) VBE(ON) hFE hFE hFE hFE hFE fT TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=125°C VEB=5.0V IC=100µA (BCX51) IC=100µA (BCX52) IC=100µA (BCX53) IC=10mA (BCX51) IC=10mA (BCX52) IC=10mA (BCX53) IC=500mA, IB=50mA VCE=2.0V, IC=500mA VCE=2.0V, IC=5.0mA VCE=2.0V, IC=150mA VCE=2.0V, IC=150mA (BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10) VCE=2.0V, IC=150mA (BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16) VCE=2.0V, IC=500mA VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz MIN TYP MAX 100 10 100 UNITS nA µA nA V V V V V V V V 45 60 100 45 60 80 0.5 1.0 40 63 63 100 25 50 250 160 250 MHz R5 (20-November 2009) BCX51 BCX52 BCX53 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR SOT-89 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) EMITTER 2) COLLECTOR 3) BASE DEVICE BCX51 BCX51-10 BCX51-16 BCX52 BCX52-10 BCX52-16 BCX53 BCX53-10 BCX53-16 MARKING CODE AA AC AD AE AG AM AH AK AL (Bottom View) R5 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BCX53

1. 物料型号： - BCX51、BCX52、BCX53是CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的PNP硅晶体管。

2. 器件简介： - 这些器件是采用外延平面工艺制造的PNP硅晶体管，表面贴装封装，设计用于高电流通用放大应用。

3. 引脚分配： - 1) 发射极（Emitter） - 2) 集电极（Collector） - 3) 基极（Base）

4. 参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为100V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为80V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V。 - 连续集电极电流（ICM）：5.0A。 - 峰值集电极电流（IC）：1.0A或1.5A。 - 连续基极电流（IB）：100mA。 - 峰值基极电流（IBM）：200mA。 - 功率耗散（PD）：1.3W。 - 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C。 - 热阻（ΘJA）：96°C/W。

5. 功能详解： - 电气特性（测试条件：A=25°C，除非另有说明）： - 集电极-基极击穿电流（ICBO）：VCB=30V时为100nA。 - 发射极-基极击穿电流（IEBO）：VCB=30V，TA=125°C，VEB=5.0V时为100nA至10µA。 - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：IC=100µA时，BCX51为45V，BCX52为60V。 - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：BVCBO IC=100µA时，BCX53为100V，IC=10mA时，BCX51为45V，BCX52为60V，BCX53为80V。 - 饱和压降（VCE(SAT)）：IC=500mA，IB=50mA时为0.5V。 - 基极-发射极电压（VBE(ON)）：VCE=2.0V，IC=500mA时为1.0V。 - 直流电流增益（hFE）：VCE=2.0V，IC=5.0mA时为40至250，IC=150mA时为63至250，特定型号为160或100。 - 截止频率（fT）：VCE=5.0V，IC=10mA，f=100MHz时为50MHz。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于高电流通用放大应用。

7. 封装信息： - SOT-89封装，机械轮廓图和尺寸数据已提供，包括英寸和毫米单位的最小和最大尺寸。

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