BCX55-10

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BCX55-10 - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BCX54 BCX55 BCX56 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX54, BCX55, and BCX56 types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current general purpose amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Continuous Base Current Peak Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PD TJ, Tstg ΘJA BCX54 45 45 BCX55 60 60 5.0 1.0 1.5 100 200 1.3 -65 to +150 96 BCX56 100 80 UNITS V V V A A mA mA W °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL ICBO ICBO IEBO BVCBO BVCBO BVCBO BVCEO BVCEO BVCEO VCE(SAT) VBE(ON) hFE hFE hFE hFE hFE fT TEST CONDITIONS VCB=30V VCB=30V, TA=125°C VEB=5.0V IC=100µA (BCX54) IC=100µA (BCX55) IC=100µA (BCX56) IC=10mA (BCX54) IC=10mA (BCX55) IC=10mA (BCX56) IC=500mA, IB=50mA VCE=2.0V, IC=500mA VCE=2.0V, IC=5.0mA VCE=2.0V, IC=150mA VCE=2.0V, IC=150mA (BCX54-10, BCX55-10, BCX56-10) VCE=2.0V, IC=150mA (BCX54-16, BCX55-16, BCX56-16) VCE=2.0V, IC=500mA VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz MIN TYP MAX 100 10 100 UNITS nA µA nA V V V V V V V V 45 60 100 45 60 80 0.5 1.0 40 63 63 100 25 130 250 160 250 MHz R5 (20-November 2009) BCX54 BCX55 BCX56 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-89 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) EMITTER 2) COLLECTOR 3) BASE DEVICE BCX54 BCX54-10 BCX54-16 BCX55 BCX55-10 BCX55-16 BCX56 BCX56-10 BCX56-16 MARKING CODE BA BC BD BE BG BM BH BK BL (Bottom View) R5 (20-November 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BCX55-10

1. 物料型号： - BCX54、BCX55、BCX56是中央半导体公司生产的NPN硅晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于大电流通用放大应用。

3. 引脚分配： - 1) 发射极（Emitter） - 2) 集电极（Collector） - 3) 基极（Base）

4. 参数特性： - 最大额定值（TA=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BCX54为45V，BCX55为60V，BCX56为100V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BCX54为45V，BCX55为60V，BCX56为80V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：BCX55为5.0V。 - 连续集电极电流（IC）：BCX55为1.0A。 - 峰值集电极电流（ICM）：BCX55为1.5A。 - 连续基极电流（IB ch）：BCX55为100mA。 - 峰值基极电流（BM）：BCX55为200mA。 - 功率耗散（PD）：BCX55为1.3W。 - 工作和存储结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C。 - 热阻（JA）：BCX56为96°C/W。

5. 功能详解： - 电气特性在25°C下测试，除非另有说明。包括集电极开路（CBO）、基极开路（CBO）、集电极-基极击穿电压（BVCBO）、集电极-发射极击穿电压（BVCEO）、饱和压降（VCE(SAT)）、开启电压（VBE(ON)）、直流电流增益（hFE）和截止频率（fT）。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于大电流通用放大应用。

7. 封装信息： - SOT-89封装，机械轮廓图和尺寸数据已提供，包括英寸和毫米单位的最小值和最大值。

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