物料型号：
- BCX54
- BCX55
- BCX56
器件简介：
CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的BCX54、BCX55和BCX56型号是NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，设计用于高电流通用放大应用。
引脚分配：
- 1) 发射极（EMITTER）
- 2) 集电极（COLLECTOR）
- 3) 基极（BASE）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：BCX54为45V，BCX55为60V，BCX56为100V。
- 集-射电压（VCEO）：BCX54为45V，BCX55为60V，BCX56为80V。
- 发-基电压（VEBO）：BCX55为5.0V。
- 连续集电极电流（Ic）：BCX55为1.0A。
- 峰值集电极电流（ICM）：BCX55为1.5A。
- 连续基极电流（IB ch）：BCX55为100mA。
- 峰值基极电流（BM）：BCX55为200mA。
- 功耗（PD）：BCX55为1.3W。
- 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C。
- 热阻（eJA）：BCX56为96°C/W。
功能详解：
这些晶体管在25°C下具有特定的电气特性，包括集-基击穿电压（BVCBO）、集-射击穿电压（BVCEO）、饱和压降（VCE(SAT)）、开启电压（VBE(ON)）和电流增益（hFE）。此外，还有一个截止频率（fT）为130MHz。
应用信息：
这些晶体管适用于高电流通用放大应用。
封装信息：
晶体管采用SOT-89封装，具体尺寸信息如下：
- A: 0.055至0.067英寸（1.40至1.70毫米）
- C: 0.014至0.018英寸（0.35至0.46毫米）
- D: 0.173至0.185英寸（4.40至4.70毫米）
- E: 0.064至0.074英寸（1.62至1.87毫米）
- F: 0.146至0.177英寸（3.70至4.50毫米）
- G: 0.090至0.106英寸（2.29至2.70毫米）
- H: 0.028至0.051英寸（0.70至1.30毫米）
- J: 0.014至0.019英寸（0.36至0.48毫米）
- K: 0.017至0.023英寸（0.44至0.58毫米）
- L: 0.059英寸（1.50毫米）
- M: 0.118英寸（3.00毫米）
