BD137

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BD137 - NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BD135 BD137 BD139 NPN SILICON TRANSISTOR Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD135, BD137, and BD139 are NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors designed for audio amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-126 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Continuous Base Current Peak Base Current Power Dissipation (Tmb≤70°C) Power Dissipation (TA=25°C) Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance SYMBOL BD135 BD137 BD139 VCBO 45 60 100 VCEO 45 60 80 VEBO 5.0 IC 1.5 ICM 2.0 IB 0.5 IBM 1.0 PD 8.0 PD 1.25 TJ, Tstg -65 to +150 ΘJmb 10 ΘJA 100 MAX 100 10 100 UNITS V V V A A A A W W °C °C/W °C/W UNITS nA µA nA V V V V V ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP ICBO VCB=30V ICBO VCB=30V, TC=125°C IEBO VEB=5.0V BVCEO IC=30mA (BD135) 45 BVCEO IC=30mA (BD137) 60 BVCEO IC=30mA (BD139) 80 VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA VBE(ON) VCE=2.0V, IC=500mA hFE VCE=2.0V, IC=5.0mA 40 hFE VCE=2.0V, IC=150mA 63 hFE VCE=2.0V, IC=500mA 25 fT VCE=5.0V, IC=50mA, f=100MHz 190 BD135-10 BD137-10 BD139-10 MIN MAX 63 160 0.5 1.0 250 MHz SYMBOL hFE TEST CONDITIONS VCE=2.0V, IC=500mA BD135-16 BD137-16 BD139-16 MIN MAX 100 250 R3 (18-September 2009) Central TM Semiconductor Corp. BD135 BD137 BD139 NPN SILICON TRANSISTOR TO-126 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Collector 3) Base Mounting Pad is Common to Pin 2 MARKING: FULL PART NUMBER R3 (18-September 2009)

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BD137

1. 物料型号： - BD135、BD137、BD139，这些是Central Semiconductor Corp.生产的NPN硅外延平面晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管被设计用于音频放大和开关应用。

3. 引脚分配： - 引脚代码：1) 发射极 2) 集电极 3) 基极，安装垫与引脚2共用。

4. 参数特性： - 最大额定值（TC=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD135为45V，BD137为60V，BD139为100V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD135为45V，BD137为60V，BD139为80V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V。 - 连续集电极电流（IC）：1.5A。 - 峰值集电极电流（ICM）：0.5A（BD135和BD137），2.0A（BD139）。 - 峰值基极电流（IBM）：1.0A。 - 功率耗散（Tmb≤70°C）：8.0W。 - 功率耗散（TA=25°C）：1.25W。 - 工作和存储结温：-65至+150°C。 - 热阻（ΘJmb和ΘJA）：100°C/W和10°C/W。

5. 功能详解： - 电气特性（T=25°C，除非另有说明）： - 集电极-基极击穿电压（ICBO）：在VCB=30V时，100nA至10µA（125°C）。 - 发射极-基极击穿电压（IEBO）：在VEB=5.0V时，100nA。 - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：在IC=30mA时，BD135为45V，BD137为60V，BD139为80V。 - 饱和压降（VCE(SAT)）：在IC=500mA，IB=50mA时，0.5V。 - 基极-发射极电压（VBE(ON)）：在VCE=2.0V，IC=500mA时，1.0V；在VCE=2.0V，IC=5.0mA时，40至250。 - 截止频率（fT）：在VCE=5.0V，IC=50mA，f=100MHz时，190MHz。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于音频放大和开关应用。

7. 封装信息： - TO-126封装，具体尺寸和标记信息已在文档中提供。

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