BD675

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
BD675 - NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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BD675 SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD675 Series types are NPN Silicon Darlington Power Transistors, available in the plastic TO-126 package, and are designed for audio and video output applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-126 CASE BD675 MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) SYMBOL BD675A Collector-Base Voltage VCBO 45 Collector-Emitter Voltage VCEO 45 Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Continuous Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICBO ICBO ICEO IEBO BVCEO BVCEO BVCEO BVCEO BVCEO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(ON) VBE(ON) hFE hFE hfe VEBO IC IB PD TJ, Tstg ΘJC BD677 BD677A 60 60 BD679 BD679A 80 80 5.0 4.0 100 40 -65 to +150 3.13 MAX 200 2.0 500 2.0 45 60 80 100 120 2.5 2.8 2.5 2.5 750 750 1.0 BD681 100 100 BD683 120 120 UNITS V V V A mA W °C °C/W UNITS µA mA µA mA V V V V V V V V V CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) TEST CONDITIONS MIN VCB=Rated VCBO VCB=Rated VCBO, TC=100°C VCE=½Rated VCEO VEB=5.0V IC=50mA (BD675, BD675A) IC=50mA (BD677, BD677A) IC=50mA (BD679, BD679A) IC=50mA (BD681) IC=50mA (BD683) IC=1.5A, IB=30mA (Non-A) IC=2.0A, IB=40mA (A) VCE=3.0V, IC=1.5A (Non-A) VCE=3.0V, VCE=3.0V, IC=2.0A (A) IC=1.5A (Non-A) VCE=3.0V, IC=2.0A (A) VCE=3.0V, IC=1.5A, f=1.0MHz R1 (14-June 2010) BD675 SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR TO-126 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Collector 3) Base MARKING: FULL PART NUMBER R1 (14-June 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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BD675

1. 物料型号： - BD675 - BD677 - BD679 - BD681 - BD683

2. 器件简介： - BD675系列是NPN硅达林顿功率晶体管，采用塑料TO-126封装，适用于音频和视频输出应用。

3. 引脚分配： - 1) 发射极（Emitter） - 2) 集电极（Collector） - 3) 基极（Base）

4. 参数特性： - 最大额定值（TC=25°C）： - 集电极-基极电压（VCBO）：45V至120V不等 - 集电极-发射极电压（VCEO）：45V至120V不等 - 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V - 连续集电极电流（IC）：4.0A - 连续基极电流（IB）：100mA - 功率耗散（PD）：40W - 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C - 热阻（ΘJC）：3.13°C/W

5. 功能详解： - 电气特性（TA=25°C除非另有说明）： - 集电极电流（ICBO）：在额定VCBO下为200µA，100°C时为2.0mA - 集电极-发射极电流（ICEO）：在VCE为额定VCEO的一半时为500µA - 基极-发射极电流（IEBO）：在VEB为5.0V时为2.0mA - 击穿电压（BVCEO）：在IC为50mA时，BD675和BD675A为45V，BD677和BD677A为60V，BD679和BD679A为80V，BD681为100V，BD683为120V - 饱和压降（VCE(SAT)）：在IC为1.5A，IB为30mA（非A型）或IC为2.0A，IB为40mA（A型）时为2.5V至2.8V - 基极-发射极电压（VBE(ON)）：在VCE为3.0V，IC为1.5A时为2.5V - 电流增益（hFE）：在VCE为3.0V，IC为1.5A时为750，IC为2.0A时也为750，IC为1.5A且f=1.0MHz时为1.0

6. 应用信息： - 适用于音频和视频输出应用。

7. 封装信息： - TO-126塑料封装，详细尺寸已在文档中提供。

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