1. 物料型号:
- CJD340 NPN
- CJD350 PNP
2. 器件简介:
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD340和CJD350是互补硅功率晶体管,采用表面贴装封装,适用于高电压通用应用。
3. 引脚分配:
- B) 基极
- C) 集电极
- E) 发射极
4. 参数特性:
- 最大额定值(TC=25°C除非另有说明):
- 集电极-基极电压(VCBO):300V
- 集电极-发射极电压(VCEO):300V
- 发射极-基极电压(VEBO):3.0V
- 芯片连续集电极电流(Ic):500mA
- 峰值集电极电流(ICM):750mA
- 功率耗散(PD):15W(TA=25°C时为1.56W)
- 热阻(OJC):8.33°C/W
- 热阻(eJA):80.1°C/W
- 电气特性(TC=25°C除非另有说明):
- 集电极-基极漏电流(ICBO):VCE=300V时,100nA
- 发射极-基极漏电流(EBO):VEB=3.0V时,100μA
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):Ic=1.0mA时,300V
- 电流增益(hFE):VCE=10V, Ic=50mA时,30至240
5. 功能详解:
- 这些晶体管是用于高电压应用的互补硅功率晶体管,具有较高的电压和电流承受能力,适用于需要高电压和大电流的电路。
6. 应用信息:
- 适用于高电压通用应用,具体应用场景未在文档中详述。
7. 封装信息:
- DPAK晶体管封装,具体尺寸如下:
- A: 0.250-0.265英寸(6.35-6.73毫米)
- B: 0.205-0.215英寸(5.21-5.46毫米)
- C: 0.374-0.409英寸(9.50-10.40毫米)
- D: 0.235-0.245英寸(5.97-6.22毫米)
- E: 0.025-0.040英寸(0.64-1.02毫米)
- F: 0.025-0.035英寸(0.64-0.88毫米)
- G: 0.030-0.045英寸(0.76-1.14毫米)
- H: 0.090英寸(2.28毫米)
- J: 0.086-0.094英寸(2.19-2.38毫米)
- K: 0.018-0.023英寸(0.46-0.58毫米)
- L: 0.040-0.050英寸(1.02-1.27毫米)
- M: 0.170英寸(4.32毫米)
- N: 0.020英寸(0.51毫米)
- O: 0.018-0.023英寸(0.46-0.58毫米)