1. 物料型号：
- 型号：CMDD6263
- 封装：SOD-323 CASE
2. 器件简介：
- CMDD6263是CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的高电压、低正向电压降的硅肖特基二极管，采用SUPERmini™表面贴装封装，适用于需要快速开关和低正向电压降的应用。
3. 引脚分配：
- 1) 阴极（CATHODE）
- 2) 阳极（ANODE）
4. 参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 重复峰值反向电压（VRRM）：70V
- 连续正向电流（F）：15mA
- 峰值正向浪涌电流（tp=1.0s，IFSM）：50mA
- 功率耗散（PD）：250mW
- 操作和储存结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（OJA）：500°C/W
- 电气特性（TA=25°C）：
- 反向电流（IR）@ VR=50V：98至200nA
- 反向击穿电压（BVR）@ IR=10mA：70V
- 正向电压（VF）@ lp=1.0mA：395至410mV
- 电容（C）@ VR=0, f=1.0MHz：2.0pF
- 反向恢复时间（trr）@ IR=lp=10mA, I=1.0mA, RL=100：5.0ns
5. 功能详解：
- 快速开关特性，低正向电压降，适用于高电压环境。
6. 应用信息：
- 适用于需要高电压和快速开关的应用场景。
7. 封装信息：
- SOD-323(REV:R4)，具体尺寸参数如下：
- A: 0.031至0.039英寸，或0.80至1.00毫米
- B: 0.000至0.004英寸，或0.00至0.10毫米
- C: 0.008英寸，或0.20毫米
- D: 0.004至0.007英寸，或0.11至0.19毫米
- E: 0.045至0.053英寸，或1.15至1.35毫米
- F: 0.014毫米
- G: 0.063至0.071英寸，或1.60至1.80毫米
- H: 0.094至0.102英寸，或2.40至2.60毫米
