CMHZ4101

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CENTRAL(中环)
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CMHZ4101 - SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 47 VOLTS 500mW - Central Semic...

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CMHZ4099 THRU CMHZ4125 SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 47 VOLTS 500mW, 5% TOLERANCE w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHZ4099 Series types are high quality Silicon Zener Diodes designed for low leakage, low current and low noise applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE ON ELECTRICAL CHARACTERISTIC TABLE SOD-123 CASE MAXIMUM RATINGS: Power Dissipation (@TL=75°C) Operating and Storage Junction Temperature SYMBOL PD TJ, Tstg UNIT mW °C 500 -65 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) VF=1.5V MAX @ IF=100mA (for all types) ZENER VOLTAGE TYPE MIN V CMHZ4099 6.460 CMHZ4100 7.125 CMHZ4101 7.790 CMHZ4102 8.265 CMHZ4103 8.645 CMHZ4104 9.500 CMHZ4105 10.45 CMHZ4106 11.40 CMHZ4107 12.35 CMHZ4108 13.30 CMHZ4109 14.25 CMHZ4110 15.20 CMHZ4111 16.15 CMHZ4112 17.10 CMHZ4113 18.05 CMHZ4114 19.00 CMHZ4115 20.90 VZ @ IZT NOM V 6.8 7.5 8.2 8.7 9.1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 MAX V 7.140 7.865 8.610 9.135 9.555 10.50 11.55 12.60 13.65 14.70 15.75 16.80 17.85 18.90 19.95 21.00 23.10 μA 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 Ω 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 100 100 100 150 150 150 μA 10 10 1.0 1.0 1.0 1.0 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.01 0.01 V 5.2 5.7 6.3 6.7 7.0 7.6 8.5 9.2 9.9 10.7 11.4 12.2 13.0 13.7 14.5 15.2 16.8 mA 35.0 31.8 29.0 27.4 26.2 24.8 21.6 20.4 19.0 17.5 16.3 15.4 14.5 13.2 12.5 11.9 10.8 μV/ 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 Hz CHX CHY CHZ CJC CJD CJE CJF CJH CJJ CJK CJM CJN CJP CJT CJU CJV CJA TEST CURRENT IZT MAXIMUM ZENER IMPEDANCE ZZT @ IZT MAX REVERSE LEAKAGE CURRENT IR @ VR MAXIMUM ZENER CURRENT IZM MAXIMUM NOISE DENSITY ND @ IZT MARKING CODE R5 (12-August 2010) CMHZ4099 THRU CMHZ4125 SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 47 VOLTS 500mW, 5% TOLERANCE ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) VF=1.5V MAX @ IF=100mA (for all types) ZENER VOLTAGE TYPE MIN V CMHZ4116 22.80 CMHZ4117 23.75 CMHZ4118 25.65 CMHZ4119 26.60 CMHZ4120 28.50 CMHZ4121 31.35 CMHZ4122 34.20 CMHZ4123 37.05 CMHZ4124 40.85 CMHZ4125 44.65 VZ @ IZT NOM V 24 25 27 28 30 33 36 39 43 47 MAX V 25.20 26.25 28.35 29.40 31.50 34.65 37.80 40.95 45.15 49.35 μA 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 Ω 150 150 150 200 200 200 200 200 250 250 μA 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 V 18.3 19.0 20.5 21.3 22.8 25.1 27.4 29.7 32.7 35.8 mA 9.9 9.5 8.8 8.5 7.9 7.2 6.6 6.1 5.5 5.1 μV/ 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 Hz CJZ CJY CKA CKC CKD CKE CKF CKH CKJ CKL TEST CURRENT IZT MAXIMUM ZENER IMPEDANCE ZZT @ IZT MAX REVERSE LEAKAGE CURRENT IR @ VR MAXIMUM ZENER CURRENT IZM MAXIMUM NOISE DENSITY ND @ IZT MARKING CODE SOD-123 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE 1) Cathode 2) Anode R5 (12-August 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMHZ4101

### 物料型号 - 型号范围：CMHZ4099至CMHZ4125

### 器件简介 - CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的CMHZ4099系列硅齐纳二极管，专为低漏电、低电流和低噪声应用设计。

### 引脚分配 - SOD-123封装，引脚代码：1) 阴极（Cathode），2) 阳极（Anode）

### 参数特性 - 最大功耗（PD）：500mW - 工作和存储结温（TJ, Tstg）：-65至+150°C - 电气特性（TA=25°C）： - 反向电压（Ve）：最大1.5V@100mA - 齐纳电压（Vz@IzT）：6.8V至47V不等 - 测试电流（IzT）：100μA - 最大齐纳阻抗（ZzT@IzT）：从10Ω至250Ω不等 - 最大反向漏电流（IR@VR）：从0.01μA至200μA不等 - 最大齐纳电流（IzM）：从0.05mA至35.8mA不等 - 最大噪声密度（ND@IzT）：从5μV/√Hz至40μV/√Hz不等

### 功能详解 - 这些齐纳二极管用于提供稳定的反向电压，以保护电路免受电压浪涌的影响。

### 应用信息 - 适用于需要低漏电、低电流和低噪声的电路，如电源、信号处理等。

### 封装信息 - SOD-123封装，具体尺寸如下： - A: 0.95英寸至1.35英寸（2.4mm至3.4mm） - B: 0.00英寸至0.12英寸（0mm至3.05mm） - C: 0.20英寸（5mm） - D: 1.40英寸至1.80英寸（3.55mm至4.57mm） - E: 2.50英寸至2.80英寸（6.35mm至7.11mm） - F: 3.60英寸至3.90英寸（9.15mm至9.91mm） - G: 0.40英寸（10.16mm） - H: 0.50英寸至0.70英寸（12.7mm至17.78mm） - J: 0.25英寸（6.35mm）

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