物料型号:
- CMHZ4678至CMHZ4717
器件简介:
- 这是一系列由Central Semiconductor生产的硅低水平齐纳二极管,专为需要极低工作电流和低漏电流的电压调节应用设计。
引脚分配:
- SOD-123封装,具有两个引脚:1) 阴极(Cathode)2) 阳极(Anode)
参数特性:
- 最大耗散功率(PD):500mW
- 工作和存储结温(TJ, Tstg):-65至+200°C
- 电气特性(TA=25°C):
- 齐纳电压(VZ):1.71V至43.00V不等,具体值依据型号而定
- 齐纳电压公差:5%
- 最大反向漏电流(IR@VR):0.01至1.0μA不等,具体值依据型号而定
- 最大齐纳电流(IZM):0.70至0.43mA不等,具体值依据型号而定
功能详解:
- 这些二极管在电路中主要起过压保护作用,能够在低电流和低功耗条件下稳定工作。
应用信息:
- 适用于需要低功耗电压调节和过压保护的场合,如电源、信号处理等。
封装信息:
- SOD-123封装,具体尺寸如下:
- A(长度):0.95至1.35英寸(或2.50至2.80毫米)
- B(宽度):0.00至0.12英寸(或0.00至0.30毫米)
- C(高度):0.20英寸(或0.50毫米)
- D(垫圈直径):1.40至1.80英寸(或3.60至3.90毫米)
- E(阴极引线长度):2.50至2.80英寸(或0.50至0.70毫米)
- F(阳极引线长度):3.60至3.90英寸(或0.40毫米)
- G(垫圈半径):0.40英寸(或1.02毫米)
- H(阴极引线宽度):0.50至0.70英寸(或1.27至1.78毫米)
- J(阳极引线宽度):0.25英寸(或0.64毫米)