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CMKD7000E

CMKD7000E

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CMKD7000E - SURFACE MOUNT DUAL PAIR OF SERIES CONFIGURED ULTRA-HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES -...

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CMKD7000E 数据手册
CMKD7000E SURFACE MOUNT DUAL PAIR OF SERIES CONFIGURED ULTRA-HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKD7000E is an enhanced version of the CMKD7000. It consists of two pair of electrically isolated, series configured ultra-high speed switching diodes in an ULTRAminiTM SOT-363 surface mount package, designed for ESD protection and high speed switching applications. MARKING: K0E SOT-363 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL VRRM IO IFM PD TJ, Tstg ΘJA 120 200 500 250 -65 to +150 500 UNITS V mA mA mW °C °C/W ♦ Peak Repetitive Reverse Voltage Average Forward Current Peak Forward Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX IR IR IR VR=50V VR=50V (TA=125°C) VR=100V IR=100μA IF=1.0mA IF=10mA IF=100mA VR=0, f=1.0MHz IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA 120 0.55 0.67 0.85 150 0.59 0.72 0.91 1.5 2.0 0.65 0.77 1.0 2.6 4.0 300 100 500 UNITS nA μA nA V V V V pF ns ♦ BVR ♦ VF ♦ VF ♦ VF CT trr ♦ Enhanced specification. R0 (2-December 2009) CMKD7000E SURFACE MOUNT DUAL PAIR OF SERIES CONFIGURED ULTRA-HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES SOT-363 CASE - MECHANICAL OUTLINE PIN CONFIGURATION LEAD CODE: 1) ANODE D1 2) CATHODE D2 3) ANODE D3, CATHODE D4 4) ANODE D4 5) CATHODE D3 6) CATHODE D1, ANODE D2 MARKING CODE: K0E R0 (2-December 2009) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CMKD7000E
物料型号: - 型号为CMKD7000E。

器件简介: - CMKD7000E是CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的增强型CMKD7000,包含两对电气隔离、串联配置的超高速开关二极管,用于ESD保护和高速开关应用。

引脚分配: - 引脚配置如下: 1. ANODE D1 2. CATHODE D2 3. ANODE D3, CATHODE D4 4. ANODE D4 5. CATHODE D3 6. CATHODE D1, ANODE D2

参数特性: - 最大额定值(TA=25°C): - 峰值重复反向电压(VRRM):120V - 平均正向电流(IF):200mA - 峰值正向电流(IFM):500mA - 功率耗散(PD):250mW - 工作和存储结温(TJ, Tstg):-65至+150°C - 热阻(θJA):500°C/W

功能详解: - 每个二极管的电气特性: - 反向电流(IR)在50V时的最小值为300nA - 正向电压(VF)在1.0mA时的范围是0.55至0.65V - 电容(C)在1.0MHz时的范围是1.5至2.6pF - 反向恢复时间(trr)在10mA时的范围是2.0至4.0ns

应用信息: - 该器件适用于ESD保护和高速开关应用。

封装信息: - 封装类型为SOT-363,具体尺寸如下: - A: 0.10至0.25英寸(2.54至6.35毫米) - B: 0.12英寸(3.05毫米) - C: 0.00至0.10英寸(0至2.54毫米) - D: 0.80至1.10英寸(20.32至27.94毫米) - E: 1.80至2.20英寸(45.72至55.88毫米) - F: 1.30英寸(33.02毫米) - G: 0.65英寸(16.51毫米) - H: 1.90至2.30英寸(48.26至58.42毫米) - J: 1.10至1.40英寸(27.94至35.56毫米) - K: 0.15至0.30英寸(3.81至7.62毫米)
CMKD7000E 价格&库存

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