物料型号：
- CMLDM7002A
- CMLDM7002AG
- CMLDM7002AJ
器件简介：
这些CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的器件是双N沟道增强型MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，设计用于高速脉冲放大器和驱动应用。CMLDM7002A使用美国引脚配置，CMLDM7002AJ使用日本引脚配置。这些器件提供低RDS(ON)和低VDS(ON)。
引脚分配：
- CMLDM7002A (USA Pinout): 1) Gate Q1, 2) Source Q1, 3) Drain Q2, 4) Gate Q2, 5) Source Q2, 6) Drain Q1
- CMLDM7002AJ (Japanese Pinout): 1) Source Q1, 2) Gate Q1, 3) Drain Q2, 4) Source Q2, 5) Gate Q2, 6) Drain Q1
参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 漏源电压 (VDs)：未提供具体数值
- 漏栅电压 (VDG)：未提供具体数值
- 栅源电压 (VGS)：未提供具体数值
- 连续漏电流：280 mA
- 连续源电流（体内二极管）：280 mA
- 最大脉冲漏电流：1.5 A
- 最大脉冲源电流：1.5 A
- 功率耗散：350 mW（陶瓷或铝芯PCB，铜敷垫面积4.0mm²），300 mW（FR-4环氧PCB，铜敷垫面积4.0mm²），150 mW（FR-4环氧PCB，铜敷垫面积1.4mm²）
- 工作和存储结温：-65至+150°C
- 热阻：357 °CM
- 电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）：
- IGSSF, IGSSR：VGs=20V, VDs=0，100 nA
- Ipss：VDs=60V, VGs=0，1.0 μA
- IDss：Vps=60V, VGs=0, T=125°C，500 μA
- ID(ON)：VGs=10V, VDs=10V，500 mA
- BVDSS：VGs=0, ID=10 mA，60V
- VGS(th)：Vps=VGs, ID=250 μA，2.5V
- VDS(ON)：VGs=10V, ID=500 mA，1.0V
- VDS(ON)：VGs=5.0V, Ip=50 mA，0.15V
- VSD：VGs=0, Is=400 mA，1.2V
- gFS：Vps=10V, Ip=200 mA，80 ms
功能详解：
这些MOSFET是用于高速脉冲放大和驱动应用的双N沟道增强型场效应晶体管。它们具有低导通电阻和低导通电压的特性，适合需要快速开关和低功耗的应用。
应用信息：
适用于高速脉冲放大器和驱动应用。
封装信息：
- SOT-563 CASE
- 封装标记代码：CMLDM7002A: L02, CMLDM7002AG: C2G, CMLDM7002AJ: 02J
- 设计为无卤素产品
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