1. 物料型号：
- CMLDM7003E：使用美国引脚配置的型号。
- CMLDM7003JE：使用日本引脚配置的型号。
2. 器件简介：
- CMLDM7003E和CMLDM7003JE是中央半导体公司生产的增强型N沟道MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，适用于高速脉冲放大器和驱动应用。这些特殊的双晶体管设备提供了低漏源导通电阻（rDS(ON)）和高达2kV的ESD保护。
3. 引脚分配：
- CMLDM7003E（美国引脚配置）：1）栅极Q1，2）源极Q1，3）漏极Q2，4）栅极Q2。
- CMLDM7003JE（日本引脚配置）：1）源极Q1，2）栅极Q1，3）漏极Q2，4）源极Q2，5）源极Q2，6）栅极Q2，7）漏极Q1。
4. 参数特性：
- 最大漏源电压（VDs）：未提供具体数值。
- 最大栅漏电压（VDG）：未提供具体数值。
- 最大栅源电压（VGS）：未提供具体数值。
- 连续漏电流（ID）：280mA。
- 最大脉冲漏电流（IDM）：1.5A。
- 最大耗散功率（PD）：根据不同的PCB材料和铜垫面积，分别为350mW、300mW和150mW。
- 工作和存储结温（TJTstg）：-65°C至+150°C。
- 热阻（OJA）：357°C/W。
5. 功能详解：
- 这些MOSFET具有低导通电阻和高ESD保护，适合于高速脉冲放大和驱动应用。
6. 应用信息：
- 适用于高速脉冲放大器和驱动应用。
7. 封装信息：
- SOT-563封装，具体尺寸和机械轮廓在PDF中有详细图表描述。
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