1. 物料型号：
- CMLM0305
- CMLM0305G
2. 器件简介：
- CMLM0305和CMLM0305G是Multi Discrete Modules™，包含一个N-Channel Enhancement-mode MOSFET和一个低正向电压(VF)硅肖特基二极管(Schottky diode)，封装在节省空间的PICOmini™ SOT-563表面贴装案例中。这些器件设计用于小信号通用应用，尺寸和操作效率是主要要求。
3. 引脚分配：
- 1) Gate Q1
- 2) Source Q1
- 3) Cathode D1
- 4) Anode D1
- 5) Anode D1
- 6) Drain Q1
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- 耗散功率(PD)：350mW（Note 1），300mW（Note 2），150mW（Note 3）
- 工作和存储结温(TJ,Tstg)：-65至+150°C
- 栅源电压(VGS)：未提供具体数值
- 连续漏极电流(ID)：280mA
- 最大脉冲漏极电流(IDM)：1.5A
- 峰值重复反向电压：40V
- 电气特性(TA=25°C)：
- 漏源电压(VSD)：1.4V
- 导通电阻(DS(ON))：在不同VGS下分别为1.6Ω, 1.3Ω, 1.1Ω
- 漏极沟道电阻(gFS)：200mS
- 反向传输电容(Crss)：5.0pF
- 输入电容(Ciss)：50pF
- 输出电容(Coss)：25pF
5. 功能详解：
- 这些器件具备ESD保护高达2kV，低漏极导通电阻(rDS(on))晶体管最大值30Ω@VGS=1.8V，以及低正向电压肖特基二极管(0.47V最大值@0.5A)。
6. 应用信息：
- 应用包括DC/DC转换器和电池供电的便携设备。
7. 封装信息：
- SOT-563案例，尺寸和机械轮廓详细列出了不同参数的最小值和最大值。
