1. 物料型号:
- 型号:CMLT491E
- 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR
- 封装:PICOmini™ SOT-563
2. 器件简介:
- 该型号为NPN低VCE(SAT)晶体管,具有1.0A的集电极电流能力,饱和电压低,采用节省空间的PICOmini™ SOT-563表面贴装封装,适用于需要高电流能力和低饱和电压的应用。
3. 引脚分配:
- 引脚1和2:集电极
- 引脚3:基极
- 引脚4:发射极
- 引脚5和6:集电极(共同)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集-基电压(VCBO):80V
- 集-射电压(VCEO):60V
- 发-基电压(VEBO):5.0V
- 连续集电极电流(Ic):1.0A
- 峰值集电极电流(ICM):2.0A
- 连续基极电流(B):200mA
- 功率耗散(PD):250mW
- 工作和存储结温(TJ,Tstg):-65至+150°C
- 热阻(θJA):500°C/W
5. 功能详解:
- 电气特性:
- 集电极-基极漏电流(ICBO):100nA
- 发射极-基极漏电流(EBO):100nA
- 集电极-基极击穿电压(BVCBO):80V
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):60V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):5.0V
- 饱和压降(VCE(SAT)):0.20V至0.40V
- 基极-发射极饱和电压(VBE(SAT)):1.1V
- 基极-发射极开启电压(VBE(ON)):1.0V
- 电流增益(hFE):15至600
- 截止频率(fT):150MHz
- 集电极-基极电容(Cob):10pF
6. 应用信息:
- 适用于需要高电流能力和低饱和电压的应用。
7. 封装信息:
- 封装类型:SOT-563
- 尺寸参数以英寸和毫米给出,具体数值请参考PDF文档中的“DIMENSIONS”部分。