物料型号:CMOSH-4E
器件简介:这是CMOSH-3硅肖特基二极管的增强版本,采用SOD-523表面安装封装。
引脚分配:文档中未明确列出引脚分配,但通常在SOD-523封装中,较短的引脚是阳极,较长的是阴极。
参数特性:
- 最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
- 连续正向电流(IF):200mA
- 峰值正向浪涌电流(IFSM),10ms脉冲:750mA
- 功率耗散(PD):250mW
- 工作和存储结温(TJ.Tstg):-65°C 至 +150°C
- 热阻(θJA):500°C/W
功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括在不同条件下的反向电流(IR)、正向电压(VF)和电容(CJ)等参数。
应用信息:文档提到了CENTRAL SEMICONDUCTOR提供的设计师支持和服务,包括免费快速样品、在线技术数据、SPICE模型、环境法规合规性等。
封装信息:SOD-523封装的机械轮廓图和尺寸数据被提供,包括英寸和毫米单位的最小和最大尺寸。